本发明构思的一些示例实施例涉及半导体封装。
背景技术：
1、用于晶片接合的绝缘材料中包括的硅的重量比率可以小于20％。当执行晶片的接合工艺时，根据表面处理条件、在晶片接合之后的热处理条件等产生的h2o可能在接合表面中产生空隙。形成在晶片的接合表面上的空隙可能引起晶片的接合表面上的分层。因此，为了提高晶片接合的可靠性，期望或有必要抑制或防止晶片的接合表面上出现空隙。
技术实现思路
1、本发明构思的一些示例实施例提供了一种提高基板的接合可靠性的半导体封装。
2、然而，本发明构思不限于本文阐述的发明构思。通过参考下面给出的示例实施例的详细描述，上述和其他发明构思对本领域普通技术人员将变得更加清楚。
3、根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体封装包括：第一基板，包括硅；第一绝缘层，在第一基板上与第一基板接触，第一绝缘层包括氧化硅，第一绝缘层具有第一浓度的硅；第二绝缘层，在第一绝缘层上与第一绝缘层接触，第二绝缘层包括氧化硅，第二绝缘层具有第二浓度的硅，第二浓度低于第一浓度；以及在第二绝缘层上的结构，其中，第一浓度是第一绝缘层中的硅的重量与第一绝缘层的总重量的比率，其中，第二浓度是第二绝缘层中的硅的重量与第二绝缘层的总重量的比率，并且其中，第一浓度在20wt％至50wt％的范围内。
4、根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体封装包括：第一基板，包括硅；第一绝缘层，在第一基板上与第一基板接触，第一绝缘层包括氧化硅，第一绝缘层具有第一浓度的硅；第二绝缘层，在第一绝缘层上与第一绝缘层接触，第二绝缘层包括氧化硅，第二绝缘层具有第二浓度的硅，第二浓度低于第一浓度；第三绝缘层，在第二绝缘层上与第二绝缘层接触，第三绝缘层包括氧化硅，第三绝缘层具有第三浓度的硅，第三浓度高于第二浓度；以及设置在第三绝缘层上的结构，其中，第一浓度是第一绝缘层中包括的硅的重量与第一绝缘层的总重量的比率，其中，第二浓度是第二绝缘层中包括的硅的重量与第二绝缘层的总重量的比率，并且其中，第三浓度是第三绝缘层中包括的硅的重量与第三绝缘层的总重量的比率。
5、根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体封装包括：第一基板，包括硅；第一绝缘层，在第一基板上与第一基板接触，第一绝缘层包括氧化硅，第一绝缘层具有第一浓度的硅；第二绝缘层，在第一绝缘层上与第一绝缘层接触，第二绝缘层包括氧化硅，第二绝缘层具有第二浓度的硅，第二浓度低于第一浓度；第三绝缘层，在第二绝缘层上与第二绝缘层接触，第三绝缘层包括氧化硅，第三绝缘层具有第三浓度的硅，第三浓度高于第二浓度；以及第二基板，在第三绝缘层上与第三绝缘层接触，第二基板包括硅，其中，第一浓度是第一绝缘层中包括的硅的重量与第一绝缘层的总重量的比率，其中，第二浓度是第二绝缘层中包括的硅的重量与第二绝缘层的总重量的比率，其中，第三浓度是第三绝缘层中包括的硅的重量与第三绝缘层的总重量的比率，其中，第二绝缘层的厚度小于第一绝缘层的厚度和第三绝缘层的厚度中的每一个，其中，第一浓度和第三浓度中的每一个在20wt％至50wt％的范围内，并且其中，第二浓度在5wt％至20wt％的范围内。
1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二绝缘层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二绝缘层的厚度在至的范围内。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二浓度在5wt％至20wt％的范围内。
5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述结构包括：
6.根据权利要求5所述的半导体封装，还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，
8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述结构包括：
9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述结构包括：
10.根据权利要求9所述的半导体封装，还包括：
11.根据权利要求9所述的半导体封装，还包括：
12.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述第二绝缘层的侧壁的至少一部分与所述第一绝缘层接触。
13.一种半导体封装，包括：
14.根据权利要求13所述的半导体封装，其中，
15.根据权利要求13所述的半导体封装，其中，所述第二绝缘层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度和所述第三绝缘层的厚度中的每一个。
16.根据权利要求13所述的半导体封装，其中，
17.根据权利要求13所述的半导体封装，还包括：
18.根据权利要求13所述的半导体封装，还包括：
19.根据权利要求18所述的半导体封装，其中，所述第二绝缘层在水平方向上的宽度和所述第三绝缘层在所述水平方向上的宽度中的每一个小于所述第一绝缘层在所述水平方向上的宽度。
20.一种半导体封装，包括：
