本技术涉及半导体，特别涉及一种半导体结构的制造方法及半导体结构。
背景技术：
1、现有的一些芯片，例如直接接触式场效应晶体管，其源极和栅极位于芯片的正面，漏极位于芯片的背面。在将芯片连接到电路板上时，通常采用铜外壳将漏极引到芯片的正面，铜外壳的底壁通过导电胶与芯片的漏极电连接，铜外壳的侧壁向芯片的正面一侧延伸，来将芯片的漏极引至芯片的正面一侧，从而便于芯片与电路板电连接。
2、采用上述的方案会出现铜外壳倾斜、芯片倾斜、铜外壳变形、导电胶用量不易控制等问题，而导致产品良率较低。
技术实现思路
1、本技术实施例提供了一种半导体结构的制造方法。所述制造方法包括：
2、将多个芯片贴装在载板上，相邻所述芯片间隔设置；所述芯片包括芯片正面、与所述芯片正面相对的芯片背面、及连接芯片正面与芯片背面的多个芯片侧面，所述芯片包括设置在所述芯片正面的控制极和第一极、以及设置在所述芯片背面的第二极；
3、在各所述芯片侧面形成绝缘膜层，相邻两个所述芯片之间的两个所述绝缘膜层之间存在间隙；
4、设置导电结构，所述导电结构包括位于各所述芯片侧部的第一导电部及位于各所述芯片背面的第二导电部，所述第一导电部在位于所述芯片侧面的绝缘层之外；所述第二导电部至少覆盖部分所述第二极，所述芯片侧部的所述第一导电部与芯片背面的所述第二导电部相连；所述第一导电部背离所述芯片背面的表面、所述控制极背离所述芯片背面的表面及所述第一极背离所述芯片背面的表面在同一平面；
5、形成保护层，所述保护层至少位于所述导电结构背离所述芯片的表面。
6、在一些实施例中，所述在各所述芯片侧面形成绝缘膜层，相邻两个所述芯片之间的两个所述绝缘膜层之间存在间隙，包括：
7、采用喷涂工艺在各所述芯片侧面形成绝缘膜层。
8、在一些实施例中，所述设置导电结构，包括：
9、在各所述芯片背面及至少一侧部设置导电材料，得到位于所述芯片背面的第二导电部，以及得到至少位于相邻两个所述芯片之间的导电块；
10、对所述导电块进行切割，形成两个间隔设置的第一导电部。
11、在一些实施例中，所述在各所述芯片背面及至少一侧部设置导电材料，得到位于所述芯片背面的第二导电部，以及得到至少位于相邻两个所述芯片之间的导电块，包括：
12、在各所述芯片的至少一侧部设置第一导电材料，得到至少位于相邻两个所述芯片之间的导电块；
13、在各所述芯片背面设置第二导电材料，得到位于所述芯片背面以及所述导电块顶面的第二导电材料层；
14、在对所述导电块进行切割时，还对所述导电块表面的第二导电层进行切割，形成位于所述第一导电部顶面以及位于所述芯片背面的第二导电部。
15、在一些实施例中，所述在各所述芯片背面及至少一侧部设置导电材料，包括：
16、采用溅镀工艺在各所述芯片背面及至少一侧部设置导电材料；或者，
17、采用点胶工艺在各所述芯片背面及至少一侧部设置导电材料；或者，
18、采用网版印刷工艺在各所述芯片背面及至少一侧部设置导电材料；或者，
19、采用点胶工艺在各所述芯片的至少一侧部设置导电材料，采用溅镀工艺或网版印刷工艺在各所述芯片背面设置导电材料。
20、在一些实施例中，所述设置导电结构，包括：
21、在各所述芯片的至少一侧部设置第一预设导电件；所述第一预设导电件包括导电块，所述导电块设于相邻两个所述芯片之间；
22、在各所述芯片背面设置导电材料，形成位于所述芯片背面以及所述导电块顶面的第二导电材料层；
23、对所述导电块进行切割，并对所述导电块表面的第二导电层进行切割，形成两个间隔设置的第一导电部，以及位于所述第一导电部顶面以及位于所述芯片背面的第二导电部。
24、在一些实施例中，在各所述芯片的至少一侧部设置第一预设导电件之前，所述方法包括：
25、形成第一预设导电件；
26、在第一预设导电件的侧壁设置第一粘结材料层。
27、在一些实施例中，所述设置导电结构，包括：
28、在各所述芯片的至少一侧部设置第二预设导电件；所述第二预设导电件包括导电块，以及电连接于所述导电块端部并呈横向延伸的延伸部；其中，所述导电块位于相邻两个所述芯片之间，所述延伸部位于对应芯片背面形成对应的第二导电部；
29、对所述导电块进行切割，形成两个间隔设置的第一导电部，以及连接于第一导电部端部以及位于所述芯片背面的第二导电部。
30、在一些实施例中，在各所述芯片的至少一侧部设置第二预设导电件之前，包括：
31、形成第二预设导电件；
32、在第二预设导电件的侧壁设置第二粘结材料层，并在所述延伸部中用于朝向芯片背面设置的表面设置第三粘结材料层；其中，所述第三粘结材料层采用导电粘结材料形成。
33、在一些实施例中，在所述对所述导电块进行切割之前，所述制造方法还包括：
34、去除所述载板，得到板状的半导体中间组件；
35、采用植球工艺在所述板状的半导体中间组件背离所述芯片背面的一侧形成多个导电球，所述控制极及所述第一极分别与至少一个所述导电球电连接；所述导电块与至少两个所述导电球电连接；
36、所述对所述导电块进行切割，形成两个间隔设置的第一导电部，得到多个中间半导体结构之后，每一所述第一导电部与至少一个所述导电球电连接。
37、在得到多个中间半导体结构之后，所述制造方法包括：
38、在所形成的中间半导体结构外侧形成至少位于所述导电结构背离所述芯片的表面的保护层，形成半导体结构。
39、在一些实施例中，在所述对所述导电块进行切割之后，所述制造方法还包括：
40、在所述第一导电部以及第二导电部外形成所述保护层；
41、去除所述载板，形成多个半导体结构。
42、在一些实施例中，采用溅镀工艺形成保护层；和/或，
43、所述保护层的材质为抗氧化金属材质。
44、在一些实施例中，所述第二导电部覆盖所述芯片背面的全部区域，或者所述第二导电部覆盖所述芯片背面的部分区域。
45、本技术实施例还提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括：
46、芯片，所述芯片包括芯片正面、与所述芯片正面相对的芯片背面、及连接芯片正面与芯片背面的多个侧面，所述芯片包括设置在所述芯片正面的控制极和第一极、以及设置在所述芯片背面的第二极；
47、绝缘膜层，位于所述芯片侧面；
48、导电结构，包括位于所述芯片侧部的第一导电部及位于所述芯片背面的第二导电部，所述第二导电部至少覆盖部分所述第二极，所述芯片侧部的所述第一导电部与芯片背面的所述第二导电部相连；所述第一导电部背离所述芯片背面的表面、所述控制极背离所述芯片背面的表面及所述第一极背离所述芯片背面的表面在同一平面；
49、保护层，位于所述导电结构背离所述芯片的表面。
50、在一些实施例中，所述半导体结构还包括位于所述芯片正面一侧的多个导电球，所述第一导电部、所述控制极及所述第一极分别与至少一个所述导电球电连接。
51、本技术实施例所达到的主要技术效果是：
52、本技术实施例提供的半导体结构的制造方法，通过设置位于芯片背面的第二导电部及位于芯片侧面的第一导电部，且第二电极通过第二导电部与第一导电部电连接，从而可通过第二导电部和第一导电部将第二电极引至芯片正面；由于第一导电部背离芯片背面的表面、控制极背离芯片背面的表面及第一极背离芯片背面的表面在同一平面，便于制造得到的半导体结构与电路板相连。本技术实施例提供的半导体结构的制造方法，在制造过程中芯片贴装于载板上，芯片不易发生倾斜，且无需使用铜外壳及用于将芯片与铜外壳电连接的导电胶，可避免芯片倾斜、铜外壳倾斜及导电胶用量不适导致的产品良率低的问题，可保证半导体结构与电路板连接的良率。本技术实施例提供的半导体结构的制造方法，在所述导电结构背离所述芯片的表面设置有保护层，有利于防止由于导电结构外露而导致的氧化或与其他结构发生碰撞而带来的不利影响，从而能够保证导电结构的电连接的稳定性。
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在各所述芯片侧面形成绝缘膜层，相邻两个所述芯片之间的两个所述绝缘膜层之间存在间隙，包括：
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述设置导电结构，包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在各所述芯片背面及至少一侧部设置导电材料，得到位于所述芯片背面的第二导电部，以及得到至少位于相邻两个所述芯片之间的导电块，包括：
5.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在各所述芯片背面及至少一侧部设置导电材料，包括：
6.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述设置导电结构，包括：
7.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在各所述芯片的至少一侧部设置第一预设导电件之前，所述方法包括：
8.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述设置导电结构，包括：
9.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在各所述芯片的至少一侧部设置第二预设导电件之前，包括：
10.根据权利要求3、6和8中任一项所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述对所述导电块进行切割之前，所述制造方法还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在得到多个中间半导体结构之后，所述制造方法包括：
12.如权利要求3、6和8中任一项所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述对所述导电块进行切割之后，所述制造方法还包括：
13.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，采用溅镀工艺形成保护层；和/或，
14.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二导电部覆盖所述芯片背面的全部区域，或者所述第二导电部覆盖所述芯片背面的部分区域。
15.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
16.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括位于所述芯片正面一侧的多个导电球，所述第一导电部、所述控制极及所述第一极分别与至少一个所述导电球电连接。
