本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体长形条的分离方法。
背景技术：
1、半导体如磁头的制造过程中，晶圆在被切割成长形条之后，还需要对长形条进行切割以分离成独立的磁头单元。传统的长形条的分离方式是将半导体长形条粘贴在具有沟槽的陶瓷夹具上，切割刀具在切割时通过该沟槽，此时刀具是处于悬空状态(刀具没有接触到沟槽的底部)，因此很容易造成半导体的边缘崩裂，而且应力过大容易引起长形条受力变型。
2、因此，有必要提供一种改进的半导体长形条的分离方法，以克服以上缺陷。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种半导体长形条的分离方法，以使半导体长形条在分离过程中减少长形条的边缘崩裂，降低因应力过大引起的受力变型，从而提高半导体的性能。
2、为实现上述目的，本发明的半导体长形条的分离方法，包括以下步骤：
3、提供uv胶带；
4、将半导体长形条粘在所述uv胶带上；
5、在所述半导体长形条的预定位置进行激光切割形成独立单元；以及
6、用紫外光照射所述独立单元上的uv胶带以分离所述独立单元以及所述uv胶带。
7、与现有技术相比，本发明的半导体长形条的分离方法中采用具体特殊组分的uv减粘组合物的uv胶带作为半导体长形条的夹具，继而进行激光切割形成独立单元，再采用紫外光照射uv胶带以使uv胶带从独立单元分离开来。该种分离方式相较机械切割的应力更小，半导体边缘发生崩裂的几率被降低，而且，特殊组分的uv胶带的粘性容易控制，比传统夹具更可控，分离时也不会造成半导体受损。
8、较佳地，所述激光切割具体包括：利用脉冲激光束照射所述预定位置进行切割。
9、较佳地，还包括在激光器和所述半导体长形条之间设置聚光器，以将脉冲激光聚焦到所述半导体长形条上。
10、较佳地，所述激光器为yvo4激光器或yag激光器。
11、较佳地，所述脉冲激光束的波长为355nm，平均功率3-5w，聚光点直径3μm。
12、较佳地，所述紫外光的光照强度为5000-6500mj/cm2，光照时间为20-30。
13、较佳地，所述uv胶带包括具有以下组分的uv减粘组合物：丙烯酸压敏胶树脂60-80份、光固化树脂5-10份、光固化单体0.5-2.5份、光引发剂1.5-7份和固化剂2-5份。
1.一种半导体长形条的分离方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体长形条的分离方法，其特征在于，所述激光切割具体包括：利用脉冲激光束照射所述预定位置进行切割。
3.如权利要求2所述的半导体长形条的分离方法，其特征在于，还包括在激光器和所述半导体长形条之间设置聚光器，以将脉冲激光聚焦到所述半导体长形条上。
4.如权利要求3所述的半导体长形条的分离方法，其特征在于，所述激光器为yvo4激光器或yag激光器。
5.如权利要求2所述的半导体长形条的分离方法，其特征在于，所述脉冲激光束的波长为355nm，平均功率3-5w，聚光点直径3μm。
6.如权利要求1所述的半导体长形条的分离方法，其特征在于，所述紫外光的光照强度为5000-6500mj/cm2，光照时间为20-30s。
7.如权利要求1所述的半导体长形条的分离方法，其特征在于，所述uv胶带包括具有以下组分的uv减粘组合物：丙烯酸压敏胶树脂60-80份、光固化树脂5-10份、光固化单体0.5-2.5份、光引发剂1.5-7份和固化剂2-5份。
