实施例涉及一种用于制造半导体器件的方法。更具体地，实施例涉及一种用于使用重叠测量来制造半导体器件的方法，并且实施例还涉及使用该方法制造的半导体器件。
背景技术：
1、随着半导体器件变得高度集成，半导体器件中包括的图案的关键尺寸变得越来越精细。随着复杂的工艺和材料的应用，测量工艺的难度也随之增加。
2、重叠测量工艺是掌握衬底上的在下图案和上图案之间的对准状态(即，重叠)的工艺。针对每个图案的重叠键可以用于准确地掌握重叠。然而，由于新材料的引入和复杂的制造工艺，重叠键可能会被损坏，这可能会逐渐增加重叠测量的难度。
技术实现思路
1、实施例提供了一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上形成下图案，该下图案包括具有第一间距的下重叠键图案；在下图案上形成上图案，该上图案包括具有与第一间距不同的第二间距的上重叠键图案；测量下重叠键图案和上重叠键图案之间的重叠；去除上重叠键图案；以及在去除上重叠键图案之后，使用上图案作为蚀刻掩模来执行蚀刻工艺。
2、实施例还提供了一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括：设置衬底，该衬底包括单元区域和重叠键区域；形成下图案，该下图案包括单元区域上的下单元图案和重叠键区域上的下重叠键图案，下重叠键图案具有第一间距；形成上图案，该上图案包括下单元图案上的上单元图案和下重叠键图案上的上重叠键图案，上重叠键图案具有与第一间距不同的第二间距；使用由下重叠键图案和上重叠键图案形成的莫尔图案来测量下重叠键图案和上重叠键图案之间的重叠；去除上重叠键图案；以及在去除上重叠键图案之后，使用上单元图案作为蚀刻掩模来执行蚀刻工艺，其中，蚀刻工艺的蚀刻终点低于下单元图案的上表面。
3、实施例还提供了一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括：设置衬底，该衬底包括单元区域和重叠键区域；形成下图案，该下图案包括单元区域上的下单元图案和重叠键区域上的下重叠键图案，下重叠键图案具有第一间距；形成上图案，该上图案包括下单元图案上的上单元图案和下重叠键图案上的上重叠键图案，上重叠键图案具有与第一间距不同的第二间距；去除上重叠键图案；以及在去除上重叠键图案之后，使用上单元图案作为蚀刻掩模来执行蚀刻工艺，以去除下单元图案的至少一部分。
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，测量所述重叠包括：使用由所述下重叠键图案和所述上重叠键图案形成的莫尔图案。
3.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述蚀刻工艺的蚀刻终点低于所述下图案的上表面。
4.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述下重叠键图案未被所述蚀刻工艺蚀刻。
5.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述上图案包括光刻胶。
6.根据权利要求5所述的用于制造半导体器件的方法，其中，测量所述下重叠键图案和所述上重叠键图案之间的重叠包括：执行清洁后检查aci。
7.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述第一间距和所述第二间距之间的差值为100nm至300nm。
8.一种半导体器件，所述半导体器件通过根据权利要求1所述的方法来制造。
9.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：
10.根据权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，其中，去除所述上重叠键图案包括：
11.根据权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，其中，通过所述蚀刻工艺来蚀刻所述下单元图案的至少一部分。
12.根据权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述下重叠键图案未被所述蚀刻工艺蚀刻。
13.根据权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述上图案包括光刻胶。
14.根据权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述第一间距与所述第二间距之间的差值为100nm至300nm。
15.一种半导体器件，所述半导体器件通过根据权利要求9所述的方法来制造。
16.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：
17.根据权利要求16所述的用于制造半导体器件的方法，其中，在执行所述蚀刻工艺之后，所述下单元图案包括通过所述蚀刻工艺形成的凹陷。
18.根据权利要求16所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述下重叠键图案未被所述蚀刻工艺蚀刻。
19.根据权利要求16所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述上图案包括光刻胶。
20.一种半导体器件，所述半导体器件通过根据权利要求16所述的方法来制造。
