所属的技术人员能够理解，本发明的各个方面可以实现为系统、方法或程序产品。因此，本发明的各个方面可以具体实现为以下形式，即：完全的硬件实施方式、完全的软件实施方式(包括固件、微代码等)，或硬件和软件方面结合的实施方式，这里可以统称为“电路”、“模块”或“系统”。此外，本公开实施例还提供了一种电子设备。图14示出了本公开实施例提供的一种电子设备的结构示意图。如图14所示，电子设备140包括启动电压控制电路1401。其中，启动电压控制电路1401可以为结合图2-图10示出的上述实施例示出的任意一种启动电压控制电路。示例性地，电子设备140可以是手机、电脑等终端设备、或者服务器等网络设备，对此不作具体限定。另一示例性地，电子设备可以为存储器。存储器可以为非易失性存储器或者易失性存储器。其中，非易失性存储器包括nor flash和nand flash等闪存，或者包括prom(programmable read-only memory，可编程只读存储器)、earom(electrically alterableread-only memory，电改写只读存储器)、eprom(erasable programmable read-onlymemory，可擦除可编程只读存储器)和eeprom(electrically erasable programmableread-only memory，电可擦编程只读存储器)等只读存储器。其中，以nor flash存储器为例，其可以一种基于che(channel hot electron，沟道热电子注入)效应的非易失性存储器。又一示例性地，电子设备140可以包括存储器，其中，存储器由启动电压控制电路1401对内部电压进行调整。其中，存储器可参见本公开实施例上述部分的相关说明，在此不再赘述。需要明确的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同或相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。本公开并不局限于上文所描述并在图中示出的特定步骤和结构。本领域的技术人员可以在领会本公开的精神之后，作出各种改变、修改和添加。并且，为了简明起见，这里省略对已知技术的详细描述。在本公开所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的电路、单元和设备，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些端口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。另外，在本公开各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。
背景技术：
1、在集成电路技术领域，芯片在低功耗状态下，由于内部电压处于浮接(floating)的状态，内部电压处于一个不确定的电位，在启动时会出现内部电压过冲很高的情况，从而导致芯片不能正常工作，出现不能识别或者宕机等问题。例如，闪存(flash)芯片在启动时，由于前一个低功耗状态内部电压是floating的状态，处在一个不确定的电位，若在低功耗状态时停在一个较高的电位，启动时会出现内部电压过冲很高的情况。
2、需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、本公开提供一种启动电压控制电路、控制方法及电子设备，至少在一定程度上克服相关技术中芯片在启动时内部电压过冲很高的问题。
2、本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
3、根据本公开的一个方面，提供一种启动电压控制电路，包括：控制模块，包括第一使能端和第二使能端，所述第一使能端用于输入芯片启动的使能信号的反向信号，所述第二使能端用于输入所述芯片启动的使能信号；检测节点，所述检测节点与所述控制模块的输出端连接；开关模块，包括输入端、第三使能端和输出端，所述开关模块的输入端与所述检测节点连接，所述第三使能端用于输入所述芯片启动的使能信号，所述开关模块的输出端用于输出电荷泵的控制信号；其中，在所述芯片从低功耗状态启动时，通过所述控制模块调节所述检测节点的电信号，使得所述检测节点的电信号在启动时具有大于第一设定值的初始值，并在启动后延时第一时长后降为所述第一设定值，所述开关模块在检测到所述检测节点的电信号降为所述第一设定值的情况下，控制所述电荷泵启动。
4、在本公开的一个实施例中，所述控制模块包括：初始化模块，包括所述第一使能端、第一连接端和第二连接端，所述第一使能端用于输入芯片启动的使能信号的反向信号，所述第一连接端与电源供电端连接，所述第二连接端与所述检测节点连接，所述初始化模块用于给所述检测节点输入电信号，使得所述检测节点的电信号在启动时具有大于所述设定值的初始值；延时模块，包括所述第二使能端、第三连接端和第四连接端，所述第二使能端用于输入所述芯片启动的使能信号，所述第三连接端与所述检测节点连接，所述第四连接端接地，所述延时模块用于调节所述检测节点的电信号在启动后延时所述第一时长后降为所述第一设定值。
5、在本公开的一个实施例中，所述初始化模块包括：第一开关，包括控制端、第一接线端和第二接线端，所述第一开关的控制端为所述第一使能端，所述第一开关的第一接线端为所述第一连接端，所述第一开关的第二接线端为所述第二连接端，所述第一开关的第二接线端用于输出第一电压。
6、在本公开的一个实施例中，所述初始化模块还包括：第二开关，包括控制端、第一接线端和第二接线端，所述第二开关的控制端与所述电源供电端连接，所述第二开关的第一接线端用于输入内部电压，所述第二开关的第二接线端与所述检测节点连接，所述第二开关的第二接线端用于输出第二电压；其中，在所述内部电压大于第二设定值的情况下，所述检测节点的初始值为所述第二电压；在所述内部电压小于第二设定值的情况下，所述检测节点的初始值为所述第一电压。
7、在本公开的一个实施例中，所述第一开关为第一nmos晶体管，所述第一nmos晶体管的栅极为所述第一开关的控制端，所述第一nmos晶体管的漏极为所述第一开关的第一接线端，所述第一nmos晶体管的源极为第一开关的第二接线端；所述第二开关为pmos晶体管，所述pmos晶体管的栅极为所述第二开关的控制端，所述pmos晶体管的源极为所述第二开关的第一接线端，所述pmos晶体管的漏极为所述第二开关的第二接线端。
8、在本公开的一个实施例中，所述延时模块，包括：第三开关，包括控制端、第一接线端和第二接线端，所述第三开关的控制端为所述延时模块的第二使能端，所述第三开关的第一接线端为所述延时模块的第三连接端，所述第三开关的第二接线端为所述延时模块的第四连接端，在所述第三开关接收到所述芯片启动的使能信号的情况下，所述第三开关用于调节所述检测节点的电信号在启动后延时所述第一时长后降为所述第一设定值，其中，所述第一时长等于所述检测节点的电信号从初始值降为所述第一设定值所用的时长。
9、在本公开的一个实施例中，所述延时模块，包括：第三开关，包括控制端、第一接线端和第二接线端，所述第三开关的第一接线端为所述延时模块的第三连接端，所述第三开关的第二接线端为所述延时模块的第四连接端；延时电路，所述延时电路的输入端为所述延时模块的第二使能端，所述延时电路的输出端与所述第三开关的控制端连接；其中，所述第三开关和所述延时电路用于调节所述检测节点的电信号在启动后延时所述第一时长后降为所述第一设定值，其中，所述第一时长等于所述检测节点的电信号从初始值降为所述第一设定值所用的时长与所述延时电路的延时时长之和。
10、在本公开的一个实施例中，所述延时模块，包括：第三开关，包括控制端、第一接线端和第二接线端，所述第三开关的控制端为所述延时模块的第二使能端，所述第三开关的第一接线端为所述延时模块的第三连接端；第四开关，包括控制端、第一接线端和第二接线端，所述第四开关的控制端用于输入延时信号，所述第四开关的第二接线端为所述延时模块的第四连接端，所述第四开关的第一接线端与所述第三开关的第二接线端连接；其中，所述第三开关和所述第四开关用于调节所述检测节点的电信号在启动后延时所述第一时长后形成降为第一设定值，其中，所述第一时长等于所述检测节点的电信号从初始值降为所述第一设定值所用的时长与第二时长之和，所述第二时长为所述延时信号建立到第三设定值所用的时长。
11、在本公开的一个实施例中，所述第三开关为第二nmos晶体管，所述第二nmos晶体管的栅极为所述第三开关的控制端，所述第二nmos晶体管的漏极为所述第三开关的第一接线端，所述第二nmos晶体管的源极为所述第三开关的第二接线端；所述第四开关为第三nmos晶体管，所述第三nmos晶体管的栅极为所述第四开关的控制端，所述第三nmos晶体管的漏极为所述第四开关的第一接线端，所述第三nmos晶体管的源极为所述第四开关的第二接线端。
12、在本公开的一个实施例中，所述开关模块包括：与门，包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述与门的第一输入端为所述开关模块的输入端，所述与门的第二输入端为所述第三使能端，用于输入所述芯片启动的使能信号，所述与门的输出端为所述开关模块的输出端，用于输出所述电荷泵的控制信号。
13、在本公开的一个实施例中，所述开关模块包括：与门，包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述与门的第一输入端为所述开关模块的输入端，所述与门的第二输入端为所述第三使能端，用于输入所述芯片启动的使能信号；非门，包括输入端和输出端，所述非门的输入端用于输入电压控制信号，所述电压控制信号用于在内部电压充电至目标值的情况下，关断所述电荷泵；或非门，包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述或非门的第一输入端与所述非门的输出端连接，所述或非门的第二输入端与所述与门的输出端连接，所述或非门的输出端为所述开关模块的输出端，用于输出所述电荷泵的控制信号。
14、在本公开的一个实施例中，所述开关模块包括：与非门，包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述与非门的第一输入端为所述开关模块的输入端，所述与非门的第二输入端为所述第三使能端，用于输入所述芯片启动的使能信号；第一非门，包括输入端和输出端，所述第一非门的输入端与所述与非门的输出端连接；第二非门，包括输入端和输出端，所述第二非门的输入端用于输入所述电压控制信号，所述电压控制信号用于在内部电压充电至目标值的情况下，关断所述电荷泵；或非门，包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述或非门的第一输入端与所述第一非门的输出端连接，所述或非门的第二输入端与所述第二非门的输出端连接，所述或非门的输出端为所述开关模块的输出端，用于输出所述电荷泵的控制信号。
15、根据本公开的另一个方面，提供了一种启动电压控制电路的控制方法，其特征在于，所述控制方法用于控制如上述所述启动电压控制电路，所述方法包括：在芯片在低功耗状态启动时，所述控制模块调节所述检测节点的电信号，使得所述检测节点的电信号在启动时具有大于第一设定值的初始值，并在启动后延时第一时长后降为所述第一设定值；所述开关模块在检测到所述检测节点的电信号降为所述第一设定值的情况下，控制所述电荷泵启动。
16、根据本公开的再一个方面，提供了一种电子设备，包括：如上述的启动电压控制电路。
17、在本公开的一个实施例中，所述电子设备为存储器。
18、本公开提供了一种启动电压控制电路、控制方法及电子设备，通过控制模块和开关模块来实现在芯片从低功耗状态启动时，通过控制模块调节检测节点的电信号，使得检测节点的电信号在启动时具有大于第一设定值的初始值，并在启动后延时第一时长后降为第一设定值，开关模块在检测到检测节点的电信号降为第一设定值的情况下，控制电荷泵启动。从而解决芯片从低功耗状态启动时，内部电压存在过冲的问题，进而保障芯片的正常工作。
19、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
1.一种启动电压控制电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的启动电压控制电路，其特征在于，所述控制模块包括：
3.根据权利要求2所述的启动电压控制电路，其特征在于，所述初始化模块包括：
4.根据权利要求3所述的启动电压控制电路，其特征在于，所述初始化模块还包括：
5.根据权利要求4所述的启动电压控制电路，其特征在于，所述第一开关为第一nmos晶体管，所述第一nmos晶体管的栅极为所述第一开关的控制端，所述第一nmos晶体管的漏极为所述第一开关的第一接线端，所述第一nmos晶体管的源极为第一开关的第二接线端；
6.根据权利要求2所述的启动电压控制电路，其特征在于，所述延时模块，包括：
7.根据权利要求2所述的启动电压控制电路，其特征在于，所述延时模块，包括：
8.根据权利要求2所述的启动电压控制电路，其特征在于，所述延时模块，包括：
9.根据权利要求8所述的启动电压控制电路，其特征在于，所述第三开关为第二nmos晶体管，所述第二nmos晶体管的栅极为所述第三开关的控制端，所述第二nmos晶体管的漏极为所述第三开关的第一接线端，所述第二nmos晶体管的源极为所述第三开关的第二接线端；
10.根据权利要求1-9中任一项所述的启动电压控制电路，其特征在于，所述开关模块包括：
11.根据权利要求1-9中任一项所述的启动电压控制电路，其特征在于，所述开关模块包括：
12.根据权利要求1-9中任一项所述的启动电压控制电路，其特征在于，所述开关模块包括：
13.一种启动电压控制电路的控制方法，其特征在于，所述控制方法用于控制如权利要求1-12中任一项所述启动电压控制电路，所述方法包括：
14.一种电子设备，其特征在于，包括：如权利要求1-12任一项所述的启动电压控制电路。
