本发明属于半导体，涉及一种导电桥结构及半导体封装结构。
背景技术：
1、功率器件的承载电流能力越来越大，在恶劣环境温度的静风条件中热降额载流能力可达30a以上，特别是针对低压金属氧化物半导体型场效应管(lvmos)产品在低导通内阻(rds(on))上要求更高。条带(clip)封装利用铜片设计降低了封装的电阻和电感，从而减少了导通内阻和mosfet的开关损耗。
2、clip封装产品以其尺寸小、电流大、导通内阻低的特点，广泛应用于开关电源适配器、手机充电器、计算机、服务器、电信等领域的直流/直流转换器，以及手机无线充、逆变系统、蓝牙音响、电子烟等电子系统中。
3、在现有clip封装中，条带的导电桥相对于芯片中心，单方向有铜片凸起设计。温度循环(tc)考核时，导电桥对芯片局部有单方向的来回应力作用，容易造成产品近引脚端的芯片钝化层产生波纹状裂纹，并使芯片边缘的铝条变形、产品漏电异常。
4、因此，如何降低clip封装应力以进一步提升产品使用寿命和产品的应用可靠性，成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。
5、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种导电桥结构及半导体封装结构，用于解决现有条带封装结构使用寿命短、可靠性低的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种导电桥结构，包括：
3、芯片连接部，所述芯片连接部中设有至少一连接通孔；
4、引线框架连接部；
5、第一凸起部，包括第一倾斜板、中间平板及第二倾斜板，所述第一倾斜板的底端与所述芯片连接部的一侧边缘连接，所述中间平板连接于所述第一倾斜板的顶端与所述第二倾斜板的顶端之间，所述第二倾斜板的底端与所述引线框架连接部的一侧边缘连接；
6、第二凸起部，包括第三倾斜板，所述第三倾斜板的底端与所述芯片连接部的另一侧边缘连接，所述第三倾斜板与所述芯片连接部之间的夹角等于所述第一倾斜板与所述芯片连接部之间的夹角。
7、可选地，所述第三倾斜板的顶端与所述第一倾斜板的顶端齐平。
8、可选地，所述第三倾斜板与所述芯片连接部之间的夹角范围是110°-130°。
9、可选地，所述第三倾斜板与所述芯片连接部之间的夹角范围是115°-125°。
10、可选地，所述第二凸起部还包括水平延伸部，所述水平延伸部与所述第三倾斜板的顶端连接并往远离所述芯片连接部的方向水平延伸。
11、可选地，所述水平延伸部的延伸宽度不小于所述水平延伸部的厚度。
12、可选地，所述芯片框架连接部的底面高于所述芯片连接部的底面。
13、可选地，所述芯片连接部中还设有至少一形变孔。
14、本发明还提供一种半导体封装结构，包括：
15、在水平方向上间隔设置的第一引线框架部与第二引线框架部；
16、芯片，位于所述第一引线框架部上，所述芯片的底面与所述第一引线框架部的顶面之间通过芯片下焊料层连接，所述芯片的上表面设有至少一第一电极层；
17、如上任意一项所述的导电桥结构，位于所述芯片上，所述导电桥结构的所述芯片连接部通过所述连接通孔及芯片上焊料层与所述第一电极层连接，所述导电桥结构的引线框架连接部通过引脚上焊料层与所述第二引线框架部连接；
18、塑封层，位于所述第一引线框架部与所述第二引线框架部上并覆盖所述芯片及所述导电桥结构。
19、可选地，所述芯片的上表面还设有第二电极层，所述第二电极层通过导电连接片与所述第二引线框架部连接。
20、如上所述，本发明在导电桥结构的凸起设计无法避免时，在导电桥结构的芯片连接部两侧均设置凸起结构，其中，第二凸起部的第三倾斜板与芯片连接部之间的夹角等于第一凸起部的第一倾斜板与芯片连接部之间的夹角，使导电桥结构受到的膨胀力在引脚方向上互相抵消，避免导电桥单方向受力来回拉扯而将应力作用到芯片，可以改善温度循环考核时导电桥对芯片局部单方向的来回应力作用所造成的该区域芯片表面裂纹、导电层边缘变形、产品漏电异常的问题。另外，增加的第二凸起部同时起到锁模作用，可以增加塑封体与导电桥表面的结合能力，减少分层风险，从而进一步提升产品可靠性。
1.一种导电桥结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的导电桥结构，其特征在于：所述第三倾斜板的顶端与所述第一倾斜板的顶端齐平。
3.根据权利要求1所述的导电桥结构，其特征在于：所述第三倾斜板与所述芯片连接部之间的夹角范围是110°-130°。
4.根据权利要求3所述的导电桥结构，其特征在于：所述第三倾斜板与所述芯片连接部之间的夹角范围是115°-125°。
5.根据权利要求1所述的导电桥结构，其特征在于：所述第二凸起部还包括水平延伸部，所述水平延伸部与所述第三倾斜板的顶端连接并往远离所述芯片连接部的方向水平延伸。
6.根据权利要求5所述的导电桥结构，其特征在于：所述水平延伸部的延伸宽度不小于所述水平延伸部的厚度。
7.一种根据权利要求1所述的导电桥结构，其特征在于：所述芯片框架连接部的底面高于所述芯片连接部的底面。
8.一种根据权利要求1所述的导电桥结构，其特征在于：所述芯片连接部中还设有至少一形变孔。
9.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于：所述芯片的上表面还设有第二电极层，所述第二电极层通过导电连接片与所述第二引线框架部连接。
