本申请涉及光刻，具体而言，涉及一种超分辨率光刻方法及装置。
背景技术：
1、基于表面等离子体效应的超透镜成像技术是一种新型超分辨光学成像方法，该光刻技术从物理本质上属于近场光刻，由于其工作距离极短，容易导致掩模和晶圆之间产生摩擦，造成损伤，从而增加生产成本。
技术实现思路
1、为了至少克服现有技术中的上述不足，本申请的目的在于提供一种超分辨率光刻方法及装置。
2、第一方面，本申请实施例提供一种超分辨率光刻方法，所述超分辨率光刻方法包括：
3、提供一掩模，所述掩模包括相对设置的第一表面及第二表面，所述第一表面设置有掩模图案区域；
4、将待处理晶圆设置于所述掩模靠近所述第一表面的一侧；
5、对所述待处理晶圆进行滴液操作；
6、控制所述待处理晶圆与所述掩模图案区域相向运动，并对所述掩模进行弯曲处理，使所述掩模图案区域向靠近所述待处理晶圆的一侧凸起，直至所述待处理晶圆与所述掩模图案区域之间的距离小于或等于预设阈值；
7、解除对所述掩模的弯曲处理，并基于所述掩模对所述待处理晶圆进行曝光。
8、在一种可能的实现方式中，所述掩模的所述第二表面设置有凹槽，所述掩模图案区域在所述第一表面上的正投影位于所述凹槽在所述第一表面上的正投影内；
9、所述对所述掩模进行弯曲处理，使所述掩模图案区域向靠近所述待处理晶圆的一侧凸起的步骤，包括：
10、对所述凹槽对应的所述第一表面进行弯曲处理，使所述掩模图案区域向靠近所述待处理晶圆的一侧凸起。
11、在一种可能的实现方式中，所述对所述凹槽对应的所述第一表面进行弯曲处理，使所述掩模图案区域向靠近所述待处理晶圆的一侧凸起的步骤，包括：
12、通过压力控制组件对所述凹槽对应的所述第一表面进行加压，使所述掩模图案区域向靠近所述待处理晶圆的一侧凸起。
13、在一种可能的实现方式中，所述将待处理晶圆设置于所述掩模靠近所述第一表面的一侧的步骤，包括：
14、将所述待处理晶圆安装于工件台上，将所述掩模安装于真空吸盘上，所述掩模的所述第一表面远离所述真空吸盘，所述掩模的凹槽与所述真空吸盘形成一加压区域，所述工件台与所述真空吸盘相对设置；
15、所述通过压力控制组件对所述凹槽对应的所述第一表面进行加压，使所述掩模图案区域向靠近所述待处理晶圆的一侧凸起的步骤，包括：
16、通过压力控制组件对所述加压区域进行加压，使所述掩模图案区域向靠近所述待处理晶圆的一侧凸起。
17、在一种可能的实现方式中，所述对所述待处理晶圆进行滴液操作的步骤，包括：
18、通过滴液组件对所述待处理晶圆进行滴液，从而在所述待处理晶圆上形成呈阵列分布的液滴。
19、第二方面，本申请实施例还提供一种超分辨率光刻装置，使用上述第一方面所述的方法，所述超分辨率光刻装置包括：工件台、真空吸盘、滴液组件及光谱仪；
20、所述工件台与所述真空吸盘相对设置，所述工件台用于放置待处理晶圆，所述真空吸盘用于吸附掩模；
21、所述滴液组件与所述工件台相对设置，所述滴液组件用于对所述待处理晶圆进行滴液处理；
22、所述光谱仪用于检测所述掩模图案区域与所述待处理晶圆之间的距离。
23、在一种可能的实现方式中，所述超分辨率光刻装置还包括压力控制组件；
24、所述压力控制组件用于在所述掩模与所述真空吸盘之间的加压区域中释放压力，使所述掩模图案区域向靠近所述待处理晶圆的一侧凸起。
25、在一种可能的实现方式中，所述压力控制组件包括气泵、电磁比例阀及压力传感器；
26、所述气泵用于释放气体，所述电磁比例阀用于控制正压力大小，所述压力传感器用于测量压力大小。
27、在一种可能的实现方式中，所述超分辨率光刻装置还包括光源、y型光纤及准直镜；
28、所述光源用于发射光线；所述光源发出的光线经由所述y型光纤以及所述准直镜分别在所述掩模图案区域以及所述待处理晶圆发生发射；所述准直镜用于接收反射的光线，并将反射的光线通过所述y型光纤导入所述光谱仪。
29、在一种可能的实现方式中，所述超分辨率光刻装置还包括电机，所述电机用于控制所述工件台的移动。
30、基于上述任意一个方面，本申请实施例提供的超分辨率光刻方法及装置，通过在掩模和待处理晶圆之间填充液体，可以有效改变光传输介质的折射率，从而等效降低中心间隙，增加掩模和待处理晶圆之间的实际物理间隙。同时，在掩模和待处理晶圆之间填充液体，有利于减小在掩模和待处理晶圆的对准过程中产生的相互摩擦。此外，通过对掩模进行弯曲处理，可以避免当掩模和待处理晶圆之间的距离减小时流体阻力增大，并且能够有效减少掩模图案区域在浸没时气泡的产生，有效改善掩模和待处理晶圆之间的间隙均匀性，提升光刻效率和光刻质量。
1.一种超分辨率光刻方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的超分辨率光刻方法，其特征在于，所述掩模的所述第二表面设置有凹槽，所述掩模图案区域在所述第一表面上的正投影位于所述凹槽在所述第一表面上的正投影内；
3.根据权利要求2所述的超分辨率光刻方法，其特征在于，所述对所述凹槽对应的所述第一表面进行弯曲处理，使所述掩模图案区域向靠近所述待处理晶圆的一侧凸起的步骤，包括：
4.根据权利要求3所述的超分辨率光刻方法，其特征在于，所述将待处理晶圆设置于所述掩模靠近所述第一表面的一侧的步骤，包括：
5.根据权利要求1所述的超分辨率光刻方法，其特征在于，所述对所述待处理晶圆进行滴液操作的步骤，包括：
6.一种超分辨率光刻装置，其特征在于，使用权利要求1-5所述的超分辨率光刻方法，所述超分辨率光刻装置包括：工件台、真空吸盘、滴液组件及光谱仪；
7.根据权利要求6所述的超分辨率光刻装置，其特征在于，所述超分辨率光刻装置还包括压力控制组件；
8.根据权利要求7所述的超分辨率光刻装置，其特征在于，所述压力控制组件包括气泵、电磁比例阀及压力传感器；
9.根据权利要求6所述的超分辨率光刻装置，其特征在于，所述超分辨率光刻装置还包括光源、y型光纤及准直镜；
10.根据权利要求6所述的超分辨率光刻装置，其特征在于，所述超分辨率光刻装置还包括电机，所述电机用于控制所述工件台的移动。
