本申请涉及显示，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板。
背景技术：
1、在现有的液晶显示面板中，像素电极沉积在平坦的钝化层上，因此像素电极之间的间隔部存在间隙，使得间隙与像素电极相邻处的液晶分子会受地形影响而预倾角更大，造成液晶分子预倾角不均，使得光线产生不规则散射，并且在低灰阶状态下产生漏光，降低了液晶显示面板的对比度。
2、因此，现有液晶显示面板存在漏光以及对比度低的技术问题。
技术实现思路
1、本申请的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板，可以缓解现有液晶显示面板存在漏光以及对比度低的技术问题。
2、本申请的实施例提供一种阵列基板，包括相互错开设置的tft器件区、像素电极区，所述像素电极区包括：
3、衬底；
4、钝化层，所述钝化层设置于所述衬底上方；
5、像素电极层，所述像素电极层设置于所述钝化层远离所述衬底的一侧，所述像素电极层包括阵列设置的像素电极、以及位于相邻所述像素电极之间的间隔部；
6、其中，所述钝化层远离所述衬底的一侧表面阵列设置有第一凸部，相邻所述第一凸部之间形成有第一凹槽，在膜厚方向上，所述像素电极与所述第一凹槽对位设置，所述像素电极至少部分设置于所述第一凹槽内。
7、可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括第二凸部、位于相邻第二凸部之间的第二凹槽，所述第二凸部位于所述衬底与所述钝化层之间，所述第二凸部的凸起方向与所述第一凸部的凸起方向相同，在膜厚方向上，所述第二凸部与所述第一凸部对位设置。
8、可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括栅绝缘层、有源层，所述栅绝缘层设置于所述衬底上方，所述有源层设置于所述栅绝缘层远离所述衬底的一侧，所述钝化层设置于所述有源层远离所述衬底的一侧；所述第二凸部包括呈层叠设置的第一部分、第二部分，所述第二部分设置于所述第一部分远离所述衬底的一侧，所述第一部分与所述栅绝缘层同层，所述第二部分与所述有源层同层。
9、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一凹槽的深度范围为600埃至1000埃。
10、可选的，在本申请的一些实施例中，所述像素电极的上表面与所述钝化层的上表面平齐，所述第一凹槽的深度与所述像素电极的厚度相等。
11、可选的，在本申请的一些实施例中，所述间隔部的宽度范围为2微米至3微米，所述第二凸部的宽度范围为2微米至3微米。
12、可选的，在本申请的一些实施例中，在任一纵截面上，所述间隔部的宽度与所述第二凸部的宽度相等。
13、本申请的实施例提供一种阵列基板制备方法，包括：
14、提供一衬底；
15、在所述衬底上方形成第一无机材料层，在所述第一无机材料层上方形成半导体材料层；
16、对所述第一无机材料层、半导体材料层进行图案化处理，所述第一无机材料层形成栅绝缘层，所述半导体材料层形成有源层，所述栅绝缘层、所述有源层形成有第二凸部；
17、在所述有源层上方形成第二无机材料层，所述第二无机材料层在对应所述第二凸部的位置形成有第一凸部，相邻所述第一凸部之间形成有第一凹槽；
18、制备得到钝化层；
19、在所述钝化层上方制备得到像素电极，所述像素电极至少部分设置于所述第一凹槽内，且所述像素电极与所述第一凹槽在膜厚方向上呈重叠设置。
20、可选的，在本申请的一些实施例中，包括如权利要求1至7任一项所述的阵列基板。
21、可选的，在本申请的一些实施例中，液晶显示面板还包括彩膜基板、液晶分子，所述液晶分子位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间，所述间隔部处的液晶分子的预倾角与所述像素电极处的液晶分子的预倾角的差值小于0.5度。
22、有益效果：通过在所述钝化层朝向所述像素电极的一侧形成有与所述像素电极对位设置第一凹槽，将所述像素电极至少部分嵌入所述第一凹槽内，从而增加所述像素电极层的平坦度，减少光线不规则反射及漏光，提高显示面板的对比度，缓解了现有液晶显示面板存在漏光以及对比度低的技术问题。
1.一种阵列基板，包括相互错开设置的tft器件区、像素电极区，其特征在于，所述像素电极区包括：
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二凸部、位于相邻第二凸部之间的第二凹槽，所述第二凸部位于所述衬底与所述钝化层之间，所述第二凸部的凸起方向与所述第一凸部的凸起方向相同，在膜厚方向上，所述第二凸部与所述第一凸部对位设置。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括栅绝缘层、有源层，所述栅绝缘层设置于所述衬底上方，所述有源层设置于所述栅绝缘层远离所述衬底的一侧，所述钝化层设置于所述有源层远离所述衬底的一侧；所述第二凸部包括呈层叠设置的第一部分、第二部分，所述第二部分设置于所述第一部分远离所述衬底的一侧，所述第一部分与所述栅绝缘层同层，所述第二部分与所述有源层同层。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凹槽的深度范围为600埃至1000埃。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极的上表面与所述钝化层的上表面平齐，所述第一凹槽的深度与所述像素电极的厚度相等。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述间隔部的宽度范围为2微米至3微米，所述第二凸部的宽度范围为2微米至3微米。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，在任一纵截面上，所述间隔部的宽度与所述第二凸部的宽度相等。
8.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：
9.一种液晶显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至7任一项所述的阵列基板。
10.如权利要求9所述的液晶显示面板，其特征在于，液晶显示面板还包括彩膜基板、液晶分子，所述液晶分子位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间，所述间隔部处的液晶分子的预倾角与所述像素电极处的液晶分子的预倾角的差值小于0.5度。
