本发明涉及led封装，特别是涉及一种cob封装的led光源。
背景技术：
1、led（light emitting diode）作为一种半导体发光器件，由于其高效节能、长寿命、环保等优点，在照明、显示、信号指示等领域得到了广泛应用。
2、传统的led封装结构主要有smd（surface mount device）封装和cob（chip onboard）封装两种。smd封装是将led芯片封装在小型塑料外壳中，适用于低功率led，但其散热性能较差。而cob封装则是将多颗led芯片直接封装在同一块基板上，相比smd封装具有较好的散热性能，适用于高功率led光源。
3、但是由于cob封装将多颗led芯片封装在同一基板。led芯片间间隙小，密度大，因此led芯片产生的热量难以迅速扩散，导致局部温度显著升高，众所周知，led性能与其工作温度密切相关，过高的温度不仅会加速器件老化，缩短使用寿命，还可能导致光衰加剧、色温漂移等现象，严重影响照明质量及稳定性。因此，如何进一步提升散热能力来保证led的正常工作是亟待解决的问题。
技术实现思路
1、针对上述现有技术缺陷，本发明的任务在于提供一种cob封装的led光源，目的是解决led芯片集中导致的热量集中影响led工作寿命的问题。
2、本发明技术方案如下：一种cob封装的led光源，包括基板和若干led芯片，所述基板设有封装区，所述封装区的基板上设有多个顶部开口的容置腔，所述led芯片的底面与所述容置腔的腔底胶合固定，所述led芯片的侧面与所述容置腔的腔壁间填充有导热胶，所述基板的封装区覆盖有荧光胶，所述荧光胶覆盖所述led芯片和所述导热胶的顶面。
3、进一步地，所述容置腔的深度小于所述led芯片的厚度。如此可以保证led芯片各方向的光线不受阻挡。
4、进一步地，所述容置腔的深度大于所述led芯片的厚度，所述导热胶的顶面由所述led芯片的顶沿延伸至所述容置腔的顶沿，所述导热胶的顶面与水平面夹角小于30°。导热胶填充呈锥形，提升了导热胶与基板的接触面积，增强散热效果，同时小角度倾斜的导热胶对于led芯片出光基本没有影响。
5、进一步地，所述容置腔为设置于所述基板的表面的凹槽结构，所述容置腔的腔底低于所述基板的表面。
6、进一步地，所述基板的表面设有格栅，所述格栅与所述基板为相同材质，所述格栅的空格构成所述容置腔，所述容置腔的腔底与所述基板的表面齐平。
7、进一步地，所述led芯片设置于所述基板的正面，所述基板的背面设有散热鳍片。
8、进一步地，所述散热鳍片位于所述封装区的背侧。
9、进一步地，所述封装区的外围由围墙胶条围合，所述荧光胶填充于所述围墙胶条围合的区域内
10、进一步地，所述基板为铜板或者铜铝复合板。
11、进一步地，所述led芯片以行列矩阵布置。
12、本发明与现有技术相比的优点在于：
13、将单个led芯片从原有的平面封装改为容置腔的围合式封装，通过在容置腔内填充导热胶，提升了led芯片与基板之间的热传导面积，从而加强了led芯片区域的散热性能，有效降低led芯片的工作温度，减少光衰和提高光效，延长led的使用寿命。
1.一种cob封装的led光源，其特征在于，包括基板和若干led芯片，所述基板设有封装区，所述封装区的基板上设有多个顶部开口的容置腔，所述led芯片的底面与所述容置腔的腔底胶合固定，所述led芯片的侧面与所述容置腔的腔壁间填充有导热胶，所述基板的封装区覆盖有荧光胶，所述荧光胶覆盖所述led芯片和所述导热胶的顶面。
2.根据权利要求1所述的一种cob封装的led光源，其特征在于，所述容置腔的深度小于所述led芯片的厚度。
3.根据权利要求1所述的一种cob封装的led光源，其特征在于，所述容置腔的深度大于所述led芯片的厚度，所述导热胶的顶面由所述led芯片的顶沿延伸至所述容置腔的顶沿，所述导热胶的顶面与水平面夹角小于30°。
4.根据权利要求1所述的一种cob封装的led光源，其特征在于，所述容置腔为设置于所述基板的表面的凹槽结构，所述容置腔的腔底低于所述基板的表面。
5.根据权利要求1所述的一种cob封装的led光源，其特征在于，所述基板的表面设有格栅，所述格栅与所述基板为相同材质，所述格栅的空格构成所述容置腔，所述容置腔的腔底与所述基板的表面齐平。
6.根据权利要求1所述的一种cob封装的led光源，其特征在于，所述led芯片设置于所述基板的正面，所述基板的背面设有散热鳍片。
7.根据权利要求6所述的一种cob封装的led光源，其特征在于，所述散热鳍片位于所述封装区的背侧。
8.根据权利要求1所述的一种cob封装的led光源，其特征在于，所述封装区的外围由围墙胶条围合，所述荧光胶填充于所述围墙胶条围合的区域内。
9.根据权利要求1所述的一种cob封装的led光源，其特征在于，所述基板为铜板或者铜铝复合板。
10.根据权利要求1所述的一种cob封装的led光源，其特征在于，所述led芯片以行列矩阵布置。
