本申请涉及半导体，尤其是涉及一种用于多层有机封装基板的制造方法。
背景技术：
1、半导体封装基板（ic载板）是半导体封装采用一种关键专用基础材料，在芯片与常规pcb之间起电气导通及支撑、保护、散热功能以及保护芯片与连接下层电路板的作用。在探针卡行业，mlo（muti-layered organicsubstrate）多层有机封装基板作为探针卡转接板的一种存在形式，目前正在被大量运用。目前多数mlo基板采用双面增层的方法，该方法在制作过程中以双面同时覆盖绿油充当绝缘层，需要进行多次绿油固化，该过程增加了最终基板翘曲的因素，影响到封装基板的性能和使用寿命。
技术实现思路
1、为了解决上述的技术问题，本申请的目的是提供一种用于多层有机封装基板的制造方法。
2、为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：一种用于多层有机封装基板的制造方法，所述的多层有机封装基板采用多张半固化载板，分别进行打孔以及金属填充后对位叠压，再通过整体热压形成。
3、本发明的制造方法只需要进行一次整体压合，与传统工艺中采用多次压合的工艺流程相比，减少了工艺流程，节省工艺时间。
4、此外，本发明的方法还省去了之前制作过程中绿油的固化过程，减少了基板翘曲因素叠加，使最终产品的平面度得到了保障。
5、在一个实施例中，所述的制造方法包括步骤：
6、s1.对多层有机封装基板的各结构层，分别制作激光打孔图纸以及金属层掩模版；
7、s2.分别加工各所述的结构层，包括：
8、s21.选用多张半固化载板，采用各所述的结构层对应的激光打孔图纸，分别在各所述的半固化载板上进行激光打孔；
9、s22.溅射种子层，并采用该结构层对应的金属层掩模版进行光刻，以及电镀填充金属材料；
10、s3.将多个结构层依次对位叠放，整体热压，使过孔金属与金属层金属实现电气连接，并使多张半固化载板整体固化；
11、s4.对热压后层叠的多层有机复合板加工bga面，形成多层有机封装基板。
12、在上述技术方案中，进一步优选的，各个所述的半固化载板为双面无覆铜板。
13、在上述技术方案中，进一步优选的，各个所述的半固化载板的平面度ttv≤1μm。
14、在上述技术方案中，进一步优选的，各个所述的半固化载板的热膨胀系数相同，且各所述的载板的热膨胀系数cte为5-10。
15、在上述技术方案中，进一步优选的，各所述的半固化载板的厚度为50-120μm。
16、在上述技术方案中，进一步优选的，各所述的半固化载板采用半固化bt材料或者pp材料制成。
17、在上述技术方案中，进一步优选的，各个所述的半固化载板上种子层的厚度为100-600nm。
18、在上述技术方案中，进一步优选的，各个所述的半固化载板上金属层的厚度为5-10μm。
19、在上述技术方案中，进一步优选的，s3步骤中，所述的整体热压的温度为100-150°。
20、在上述技术方案中，进一步优选的，在s3步骤之前，对各所述的半固态载板进行清洗，使金属活化。
21、在上述技术方案中，进一步优选的，还包括s5.对制成的多层有机封装基板进行测试。所述的测试包括电性能测试。
22、本申请与现有技术相比获得如下有益效果：
23、本申请的封装基板的制作方法只需要一次压合，节省工艺时间，减少了基板翘曲因素和热胀冷缩因素的叠加，有效提高基板的性能和使用寿命，最终产品的平面度也具有优势。
1.一种用于多层有机封装基板的制造方法，其特征在于，所述的多层有机封装基板采用多张半固化载板，分别进行打孔以及金属填充后对位叠压，再通过整体热压形成。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的制造方法包括步骤：
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，各个所述的半固化载板为双面无覆铜板。
4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，各个所述的半固化载板的平面度ttv≤1μm。
5.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，各个所述的半固化载板的热膨胀系数相同，且各所述的载板的热膨胀系数cte为5-10。
6.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，各所述的半固化载板的厚度为50-120μm。
7.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，各所述的半固化载板采用半固化bt材料或者pp材料制成。
8.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，s3步骤中，所述的整体热压的温度为100-150°。
9.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在s3步骤之前，对各所述的半固态载板进行清洗，使金属活化。
10.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，还包括s5.对制成的多层有机封装基板进行测试。
