半导体装置的制作方法

专利2026-09-13  4


本发明涉及半导体装置。


背景技术:

1、在专利文献1中公开了一种半导体装置,其为了提高耐湿性而在壳体的内部以与封装材料的上表面接触的方式设置有盖。

2、专利文献1:日本特开2021-111655号公报

3、近年来,半导体装置被利用在用于发电、供电、高效的能源利用或再生等许多场景中。近来,对半导体装置的耐湿性的要求正在增高。

4、另一方面,在现有技术中存在不能充分地提高耐湿性的问题。


技术实现思路

1、本发明就是为了解决上述的问题而提出的,其目的在于提供提高了耐湿性的半导体装置。

2、本发明的半导体装置具有:半导体芯片;壳体;封装材料,其配置于壳体内,将半导体芯片封装;以及盖,其与封装材料密接,壳体具有至少1个凸起,在盖设置有至少1个第1孔,至少1个凸起各自置于至少1个第1孔的任一者中,由此盖相对于壳体而固定。

3、发明的效果

4、根据本发明,提供一种提高了耐湿性的半导体装置。



技术特征:

1.一种半导体装置,其具有:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置,其中,

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置,其中,


技术总结
提供提高了耐湿性的半导体装置。半导体装置具有:半导体芯片;壳体;封装材料,其配置于壳体内,将半导体芯片封装;以及盖,其与封装材料密接,壳体具有至少1个凸起,在盖设置有至少1个第1孔,至少1个凸起各自置于至少1个第1孔的任一者中,由此盖相对于壳体而固定。

技术研发人员:日高大树
受保护的技术使用者:三菱电机株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/6/26
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