本发明涉及移动终端充电技术领域，尤其涉及一种表面带拼接纹的终端外壳的制备方法及终端外壳。
背景技术：
目前，终端的外观越来越多样化，带有拼接纹的终端外壳被很多人所喜欢。常规的拼接纹主要应用在复合板及玻璃膜片项目上，且所使用的纹理模具是通过单纹理转印模拼模而成，采用的是拼模工艺，存在拼模的成功率低，膜片损耗高的问题。
因此，如何提升终端外壳表面拼接纹的加工工艺是亟需解决的问题。
技术实现要素：
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种表面带拼接纹的终端外壳的制备方法及终端外壳，旨在解决现有在对拼接纹进行加工时，拼模成功率低，膜片损耗高的问题。
本发明实施例第一方面，提供了一种表面带拼接纹的终端外壳的制备方法，其中，所述加工工艺包括：
提供表面带设计纹理的终端外壳；
在所述设计纹理的表面沉积装饰层，并对所述装饰层进行局部雕刻，得到表面带拼接纹的终端外壳。
可选地，所述的表面带拼接纹的终端外壳的制备方法，其中，所述提供表面带设计纹理的终端外壳的步骤，具体包括：
根据设计纹理图档对塑胶模具进行晒纹处理；
采用晒纹处理后的所述塑胶模具进行注塑，得到表面带设计纹理的终端外壳。
可选地，所述的表面带拼接纹的终端外壳的制备方法，其中，所在所述设计纹理的表面沉积装饰层的步骤，具体包括：在所述设计纹理的表面沉积第一uv层，在所述第一uv层的表面沉积镀膜层，在所述镀膜层的表面沉积第一保护层。
可选地，所述的表面带拼接纹的终端外壳的制备方法，其中，所述对所述装饰层进行局部雕刻，得到表面带拼接纹的终端外壳的步骤，具体包括：
在所第一保护层上设置雕刻区域，所述雕刻区域始于所述设计纹理的端部终于所述拼接纹的拼接线；
将所述雕刻区域内的所述镀膜层和第一保护层除去，露出所述第一uv层，得到表面带拼接纹的终端外壳。
可选地，所述的表面带拼接纹的终端外壳的制备方法，其中，所述将所述雕刻区域内的所述镀膜层和第一保护层除去，露出所述第一uv层的步骤之后，还包括：在露出的所述第一uv层表面沉积第二保护层，在所述第二保护层的表面沉积第二uv层。
可选地，所述的表面带拼接纹的终端外壳的制备方法，其中，所述在所述设计纹理的表面沉积第一uv层的步骤之前，还包括：在所述设计纹理的表面沉积界面层，在所述界面层的表面沉积色漆层，在所述色漆层的表面沉积所述第一uv层。
可选地，所述的表面带拼接纹的终端外壳的制备方法，其中，所述界面层的厚度为6-10微米，所述界面层的颜色为灰色或黑色。
可选地，所述的表面带拼接纹的终端外壳的制备方法，其中，所述镀膜层的厚度为30-50纳米。
可选地，所述的表面带拼接纹的终端外壳的制备方法，其中，所述第二uv层为哑光uv层或亮光uv层，所述第二uv层的厚度为20-30微米。
第二方面，本发明实施例提供一种终端外壳，其中，所述终端外壳采用上述所述的表面带拼接纹的终端外壳的制备方法制备得到。
有益效果：本发明提供一种表面带拼接纹的终端外壳的制备方法，提供表面带设计纹理的终端外壳；在所述设计纹理的表面沉积装饰层，并对所述装饰层进行局部雕刻，得到表面带拼接纹的终端外壳。通过采用带纹理的终端外壳，在纹理上沉积装饰层，对装饰层进行局部镭雕形成拼接纹来取代现有的采用单纹理转印模拼模，再进行uv转印形成拼接纹，避免了拼模操作，简化了拼接纹的加工工艺，提升了产品的良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不符创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种表面带拼接纹的终端外壳的制备方法流程图；
图2为本发明实施例提供的拼接纹双色镭雕工艺膜层结构图；
图3为本发明实施例提供的一种拼接纹双色镭雕工艺产品效果图；
图4为本发明实施例提供的一种拼接纹光哑镭雕工艺膜层结构图；
图5本发明实施例提供的一种拼接纹光哑镭雕工艺产品效果图；
图6为本发明实施例提供的一种拼接纹双色光哑镭雕工艺膜层结构图；
图7本发明实施例提供的一种拼接纹双色光哑镭雕工艺产品效果图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。
专业术语介绍：
uv转印：利用光固化胶的紫外光固化原理；将胶水覆盖在带纹理的转印模板上,盖上基材,然后通过uv光固化,将带纹理的uv胶转印到基材上。
拼接纹：一个产品上的纹理由两种不同的纹理拼接而成。
ncvm：non-conductivevacuummetalize，非导电真空镀膜；靶材选择金属材料铟(in)丝，in在真空环境中被加热升温气化，在真空中自由运动，沉积在基材上，赋予基材金属质感。
双色/光哑镭雕：通过镭雕在同一个产品上实现两种颜色或者光哑两种光泽效果。
本底真空度：产品做镀膜生产时,镀膜炉内需要达到的真空度。
经发明人研究发现，现有针对拼接纹的加工往往需要借助单纹理转印模拼模，然后再采用uv转印工艺，得到拼接纹。虽然采用该工艺可以生产出外观比较美观的拼接纹，但是由于采用了单纹拼模，容易出现拼模成功率低，膜片损耗较高的问题，同时工艺良率也较低(85％左右)。
为了解决上述问题，在本申请实施例中，采用先在素材表面制备出纹理，然后在经过局部镭雕得到拼接纹，替代现有的采用单纹拼模，uv转印得到拼接纹，从而可以避免出现拼模操作时所出现拼模成功率较低的问题，同时简化了拼接纹加工工艺，降低了企业生产加工成本。
下面结合附图，通过对实施例的描述，对申请内容作进一步说明。
如图1所示，本实施例提供了一种表面带拼接纹的终端外壳的制备方法，包括：
s100、提供表面带设计纹理的终端外壳；
具体来说，所述终端可以是手机、ipad等手持终端，当然也可以是便携式笔记本电脑。所述的设计纹理指的是成品需要展示的拼接纹理。
示例性地，所述终端为手机，在手机外壳(电池盖)上需要展示出由水平的横纹与倾斜45度角的斜纹进行拼接形成的拼接纹。根据上述拼接纹样式，在素材上加工出对应的纹理(水平横纹及倾斜45度角的斜纹)。
在本实施例中，在素材上加工出设计需要的纹理可以采用塑胶模具进行加工，即按照设计要求先对塑胶模具进行镭雕加工晒纹，使用注塑机注塑出带纹理的手机外壳。需要说明的是，在本实施例中在对注塑模具进行镭雕前先使用1200目的砂纸对注塑模具进行抛光，抛光后再进行镭雕，通过抛光可以避免出现模具瑕疵，同时，为了使塑胶模具更容易注塑走胶，注塑模具镭雕晒纹后，使用120目的玻璃砂对模具进行喷砂洗纹。其中，所用到的素材为纯pc料，同时为了避免素材出现熔接线及气纹等外观缺陷,要求塑胶胶厚≥1.05mm,注塑机使用180t以上机台。
s200、在所述设计纹理的表面沉积装饰层，并对所述装饰层进行局部雕刻，得到表面带拼接纹的终端外壳。
在本实施例中，所述的在表面沉积装饰层中的沉积指的是将涂料、金属等起到装饰保护作用的材料附着在素材表面形成装饰(保护)层。所述的雕刻指的是利用镭雕机进行雕刻。通过对装饰层进行局部雕刻，在被雕刻的区域与没有被雕刻的区域交汇处形成一条拼接线。从视觉效果上来看就是外壳的同一个平面内有两种不同的显示纹理。需要说明的是，其中的局部雕刻是指要留下一部分不进行雕刻，至于局部区域的大小、形状可以根据设计需要进行灵活设置。
示例性地，可以将手机外壳整个平面沿长度方向分成两部分。其中的五分之四作为雕刻区(局部)，剩下的五分之一为非雕刻区。容易理解的是，此时在雕刻区与非雕刻区的交界处形成一条拼接线。
在本实施例的一种实现方式中，所述装饰层包括但不限于沉积在所述设计纹理表面的第一uv层，沉积在所述第一uv层表面的镀膜层以及沉积在所述镀膜层表面的第一保护层。
在本实施例中，所述的第一uv层的膜厚可以为7um至9um，9um至11um，固化uv膜所使用的uv能量为400mj/cm2至600mj/cm2。将第一uv层的膜厚控制在上述范围内，既能起到保护作用，也不会出现附着力不良的问题。容易理解的是，如果第一uv层膜厚增厚那么相应的使uv进行固化能耗也将升高。
在本实施例中，所述镀膜层为ncvm镀膜：对第一uv层进行ncvm镀膜；将喷涂完uv底的产品放入真空镀炉,抽真空至本底真空度至9*10-4pa-6*10-3pa，镀材使用纯铟镀材，镀膜厚度为40±10纳米，镀层颜色体现为亮银色。所述第一保护层可以是光固化涂料，当然也可以选择pu涂料，主要是用于对金属镀膜进行保护。当所用的是光固化涂料时，固化使用的uv能量为400mj/cm2至600mj/cm2，镀层膜厚可以是6um至8um，8um至10um。
在本实施例的一种实现方式中，所述对装饰层进行局部雕刻，得到表面带拼接纹的终端外壳的步骤，具体包括：
s210、在所述第一保护层上设置雕刻区域，所述雕刻区域始于所述设计纹理的端部终于所述拼接纹的拼接线。
具体来说，所述的在装饰层上设置雕刻区域，即根据产品设计要求在装饰层上规划出拼接线的位置，拼接线的一侧为预留区域(非雕刻区)，拼接线的位置另一侧为雕刻区域。雕刻区域的起始位置可以从纹理的起始位置开始到拼接纹的拼接线结束。通过进行局部镭雕可以在手机外壳上呈现出两种纹理效果。
s220、将所述雕刻区域内的所述镀膜层及第一保护层去除，露出所述第一uv层，得到表面带拼接纹的终端外壳。
具体来说，可以采用紫光镭雕机对第一保护层及镀层进行局部镭雕，雕掉其中部分纹理上的第一保护层和镀层露出第一uv层。需要说明的是，在进行镭雕时，镭雕机的能量要调整至不损伤第一uv层为准，镭雕后可以使用无水乙醇对镭雕区域进行擦拭，清除掉第一保护层及镀层至露出第一uv层即可。
在本实施例的一种实现方式中，当进行局部镭雕露出第一uv层之后，还包括：在露出的所述第一uv层表面沉积第二保护层，在所述第二保护层的表面沉积第二uv层。
具体来说，在镭雕后的手机外壳上喷涂光固化涂料，固化后得到第二保护层，所述第二保护层的厚度可以是6um至8um，8um至10um，固化所使用的uv能量为600mj/cm2至800mj/cm2，为了提升装饰效果，可以在光固化涂料中添加少量的色浆进行调色，色浆的颜色可以试需要进行选择，比如可以是蓝色色浆、紫色色浆等，色浆的加入量通常要小于uv光固化涂料的10％。
所述第二uv层可以是哑光、半哑光或者是高光uv层，当第二uv层为哑光时，其膜厚可以是22um至26um，固化使用的能量为900mj/cm2至1100mj/cm2，当第二uv层为高光时，其膜厚可以是25um至30um，固化使用的能量为900mj/cm2至1100mj/cm2。
在本实施例的一种实现方式中，在所述第一uv层与设计纹理之间还设置有界面层及色漆层。
具体来说，在带设计纹理的终端外壳上喷涂pu型底漆处理剂(形成界面层，目的是为了改善设计纹理的表面润湿性，以增强附着力)，在界面处理剂的表面喷涂色漆。其中，界面层的厚度可以是6um至8um，8um至10um，烘烤温度可以是60至80摄氏度，烘烤时间为10至15分钟。所述色漆层的膜厚可以是5至8um，色漆的颜色可以根据需要进行选择，在此不做限定。色漆可以是pu漆，烘烤的温度为65至80摄氏度，烘烤时间为10至15分钟。
在本实施例中，可以在pu型底漆处理剂中添加10％-15％的黑色或灰色色浆，通过添加黑色或灰色色浆可以在一定程度上遮盖喷涂以及素材纹理的噪点，同时能体现一定的纹理炫光效果。
基于相同的发明构思，本发明实施例还提供一种终端外壳，所述终端外壳上设计有拼接纹，其中，所述的拼接纹为采用上述所述的拼接纹加工工艺加工得到。拼接纹的具体加工工艺步骤在此就不再做赘述。
下面通过具体的实施例，对本申请所提供的表面带拼接纹的终端外壳的制备方法做进一步的解释说明。
实施例1
如图2所示，拼接纹双色镭雕工艺
步骤1：模具晒纹及注塑
1)塑胶模具使用1200目砂纸抛光后,按照需求的纹理图档做镭雕加工晒纹,镭雕晒纹后使用120目玻璃砂对模具进行喷砂洗纹,使模具容易进行注塑走胶；
2)使用注塑机注塑出带纹理的素材,材料使用纯pc料；为了避免素材出现熔接线及气纹等外观缺陷,要求塑胶胶厚为1.5mm,注塑使用190t机台；
步骤2：表面处理
1)底漆处理剂喷涂：对素材进行pu型底漆处理剂喷涂,喷涂膜厚6um,烘烤温度设置为80度,烘烤时间设置为10min；处理剂中添加10％黑色色浆,用于遮盖喷涂及素材缺陷以及素材纹理的噪点,同时能体现一定的纹理炫光效果；
2)色漆喷涂：对底漆处理剂表面进行色漆喷涂，色漆膜厚5um，烘烤温度设置为80度，烘烤时间设置为15min；
3)底uv喷涂：对色漆层进行底uv薄涂,底uv膜厚7um,固化使用的uv能量为400mj/cm2；
4)ncvm镀膜：对底uv层进行ncvm镀膜；将喷涂完uv底的产品放入真空镀炉,抽真空至本底真空度9*10-4pa,镀材使用纯铟镀材,镀膜厚度30纳米,镀层颜色体现为亮银色；
5)保护漆喷涂：对ncvm镀层进行保护漆喷涂,保护漆膜厚6um，固化使用的uv能量为400mj/cm2；
6)双色镭雕：使用紫光镭雕机对保护漆及镀层进行局部镭雕,雕掉其中一种纹理上的保护漆及镀层,漏出底uv,让两种纹理呈现不同的颜色效果；镭雕区域从纹理起始位置开始,到拼接纹的拼接线结束；镭雕机能量调整至不损伤底uv为准；镭雕后,使用无水乙醇对镭雕区域进行擦拭,清除掉保护漆及镀层至露出底uv；
7)中漆喷涂：对双色镭雕品进行中漆喷涂,中漆膜厚6um，固化使用的uv能量为600mj/cm2；中漆内加入少于5％的色浆进行调色；
8)面uv喷涂：对中漆喷涂品进行哑光面uv喷涂,面uv膜厚22um,固化使用的uv能量为900mj/cm2，产品效果如图3所示。
实施例2
如图2所示，拼接纹双色镭雕工艺
步骤1：模具晒纹及注塑
1)塑胶模具使用1200目砂纸抛光后,按照需求的纹理图档做镭雕加工晒纹,镭雕晒纹后使用120目玻璃砂对模具进行喷砂洗纹,使模具容易进行注塑走胶；
2)使用注塑机注塑出带纹理的素材,材料使用纯pc料；为了避免素材出现熔接线及气纹等外观缺陷,要求塑胶胶厚为1.05mm,注塑使用195t机台；
步骤2：表面处理
1)底漆处理剂喷涂：对素材进行pu型底漆处理剂喷涂,喷涂膜厚10um,烘烤温度设置为80度,烘烤时间设置为15min；处理剂中添加9％黑色色浆,用于遮盖喷涂及素材缺陷以及素材纹理的噪点,同时能体现一定的纹理炫光效果；
2)色漆喷涂：对底漆处理剂表面进行色漆喷涂，色漆膜厚8um，烘烤温度设置为80度，烘烤时间设置为15min；
3)底uv喷涂：对色漆层进行底uv薄涂,底uv膜厚11um,固化使用的uv能量为600mj/cm2；
4)ncvm镀膜：对底uv层进行ncvm镀膜；将喷涂完uv底的产品放入真空镀炉,抽真空至本底真空度6*10-3pa,镀材使用纯铟镀材,镀膜厚度40纳米,镀层颜色体现为亮银色；
5)保护漆喷涂：对ncvm镀层进行保护漆喷涂,保护漆膜厚10um，固化使用的uv能量为600mj/cm2；
6)双色镭雕：使用紫光镭雕机对保护漆及镀层进行局部镭雕,雕掉其中一种纹理上的保护漆及镀层,漏出底uv,让两种纹理呈现不同的颜色效果；镭雕区域从纹理起始位置开始,到拼接纹的拼接线结束；镭雕机能量调整至不损伤底uv为准；镭雕后,使用无水乙醇对镭雕区域进行擦拭,清除掉保护漆及镀层至露出底uv；
7)中漆喷涂：对双色镭雕品进行中漆喷涂,中漆膜厚10um，固化使用的uv能量为800mj/cm2；中漆内加入少于5％的色浆进行调色；
8)面uv喷涂：对中漆喷涂品进行哑光面uv喷涂,面uv膜厚26um,固化使用的uv能量为1100mj/cm2。
实施例3
如图4所示，拼接纹光哑镭雕工艺
步骤1：模具晒纹及注塑
1)塑胶模具使用1200目砂纸抛光后,按照需求的纹理图档做镭雕加工晒纹,镭雕晒纹后使用120目玻璃砂对模具进行喷砂洗纹,使模具容易进行注塑走胶；
2)使用注塑机注塑出带纹理的素材,材料使用纯pc料；为了避免素材出现熔接线及气纹等外观缺陷,要求塑胶胶厚为1.5mm,注塑使用190t机台；
步骤2：表面处理
1)底漆处理剂喷涂：对素材进行pu型底漆处理剂喷涂,喷涂膜厚6um,烘烤温度设置为80度,烘烤时间设置为10min；处理剂中添加10％黑色色浆,用于遮盖喷涂及素材缺陷以及素材纹理的噪点,同时能体现一定的纹理炫光效果；
2)色漆喷涂：对底漆处理剂表面进行色漆喷涂，色漆膜厚5um，烘烤温度设置为80度，烘烤时间设置为15min；
3)底uv喷涂：对色漆层进行底uv薄涂,底uv膜厚7um,固化使用的uv能量为400mj/cm2；
4)ncvm镀膜：对底uv层进行ncvm镀膜；将喷涂完uv底的产品放入真空镀炉,抽真空至本底真空度9*10-4pa,镀材使用纯铟镀材,镀膜厚度30纳米,镀层颜色体现为亮银色；
5)保护漆喷涂：对ncvm镀层进行保护漆喷涂,保护漆膜厚6um，固化使用的uv能量为400mj/cm2；
6)中漆喷涂：对双色镭雕品进行中漆喷涂,中漆膜厚6um，固化使用的uv能量为600mj/cm2；中漆内加入少于5％的色浆进行调色；
7)面uv喷涂：对中漆喷涂品进行高光面uv喷涂,面uv膜厚26um,固化使用的uv能量为900mj/cm2；
8)对面uv进行光哑镭雕，产品效果如图5所示。
实施例4
如图4所示，拼接纹光哑镭雕工艺
步骤1：模具晒纹及注塑
1)塑胶模具使用1200目砂纸抛光后,按照需求的纹理图档做镭雕加工晒纹,镭雕晒纹后使用120目玻璃砂对模具进行喷砂洗纹,使模具容易进行注塑走胶；
2)使用注塑机注塑出带纹理的素材,材料使用纯pc料；为了避免素材出现熔接线及气纹等外观缺陷,要求塑胶胶厚为1.05mm,注塑使用195t机台；
步骤2：表面处理
1)底漆处理剂喷涂：对素材进行pu型底漆处理剂喷涂,喷涂膜厚10um,烘烤温度设置为80度,烘烤时间设置为15min；处理剂中添加9％黑色色浆,用于遮盖喷涂及素材缺陷以及素材纹理的噪点,同时能体现一定的纹理炫光效果；
2)色漆喷涂：对底漆处理剂表面进行色漆喷涂，色漆膜厚8um，烘烤温度设置为80度，烘烤时间设置为15min；
3)底uv喷涂：对色漆层进行底uv薄涂,底uv膜厚11um,固化使用的uv能量为600mj/cm2；
4)ncvm镀膜：对底uv层进行ncvm镀膜；将喷涂完uv底的产品放入真空镀炉,抽真空至本底真空度6*10-3pa,镀材使用纯铟镀材,镀膜厚度40纳米,镀层颜色体现为亮银色；
5)保护漆喷涂：对ncvm镀层进行保护漆喷涂,保护漆膜厚10um，固化使用的uv能量为600mj/cm2；
6)中漆喷涂：对双色镭雕品进行中漆喷涂,中漆膜厚10um，固化使用的uv能量为800mj/cm2；中漆内加入少于5％的色浆进行调色；
7)面uv喷涂：对中漆喷涂品进行高光面uv喷涂,面uv膜厚30um,固化使用的uv能量为1100mj/cm2。
8)对面uv进行光哑镭雕，产品效果如图5所示。
实施例5
如图6所示，拼接纹双色光哑镭雕工艺
步骤1：模具晒纹及注塑
1)塑胶模具使用1200目砂纸抛光后,按照需求的纹理图档做镭雕加工晒纹,镭雕晒纹后使用120目玻璃砂对模具进行喷砂洗纹,使模具容易进行注塑走胶；
2)使用注塑机注塑出带纹理的素材,材料使用纯pc料；为了避免素材出现熔接线及气纹等外观缺陷,要求塑胶胶厚为1.5mm,注塑使用190t机台；
步骤2：表面处理
1)底漆处理剂喷涂：对素材进行pu型底漆处理剂喷涂,喷涂膜厚6um,烘烤温度设置为80度,烘烤时间设置为10min；处理剂中添加10％黑色色浆,用于遮盖喷涂及素材缺陷以及素材纹理的噪点,同时能体现一定的纹理炫光效果；
2)色漆喷涂：对底漆处理剂表面进行色漆喷涂，色漆膜厚5um，烘烤温度设置为80度，烘烤时间设置为15min；
3)底uv喷涂：对色漆层进行底uv薄涂,底uv膜厚7um,固化使用的uv能量为400mj/cm2；
4)ncvm镀膜：对底uv层进行ncvm镀膜；将喷涂完uv底的产品放入真空镀炉,抽真空至本底真空度9*10-4pa,镀材使用纯铟镀材,镀膜厚度30纳米,镀层颜色体现为亮银色；
5)保护漆喷涂：对ncvm镀层进行保护漆喷涂,保护漆膜厚6um，固化使用的uv能量为400mj/cm2；
6)双色镭雕：使用紫光镭雕机对保护漆及镀层进行局部镭雕,雕掉其中一种纹理上的保护漆及镀层,漏出底uv,让两种纹理呈现不同的颜色效果；镭雕区域从纹理起始位置开始,到拼接纹的拼接线结束；镭雕机能量调整至不损伤底uv为准；镭雕后,使用无水乙醇对镭雕区域进行擦拭,清除掉保护漆及镀层至露出底uv；
7)中漆喷涂：对双色镭雕品进行中漆喷涂,中漆膜厚6um，固化使用的uv能量为600mj/cm2；中漆内加入少于5％的色浆进行调色；
8)面uv喷涂：对中漆喷涂品进行高光面uv喷涂,面uv膜厚26um,固化使用的uv能量为900mj/cm2；
9)对面uv进行光哑镭雕，产品效果如图7所示。
实施例6
如图6所示，拼接纹双色光哑镭雕工艺
步骤1：模具晒纹及注塑
1)塑胶模具使用1200目砂纸抛光后,按照需求的纹理图档做镭雕加工晒纹,镭雕晒纹后使用120目玻璃砂对模具进行喷砂洗纹,使模具容易进行注塑走胶；
2)使用注塑机注塑出带纹理的素材,材料使用纯pc料；为了避免素材出现熔接线及气纹等外观缺陷,要求塑胶胶厚为1.05mm,注塑使用195t机台；
步骤2：表面处理
1)底漆处理剂喷涂：对素材进行pu型底漆处理剂喷涂,喷涂膜厚10um,烘烤温度设置为80度,烘烤时间设置为15min；处理剂中添加9％黑色色浆,用于遮盖喷涂及素材缺陷以及素材纹理的噪点,同时能体现一定的纹理炫光效果；
2)色漆喷涂：对底漆处理剂表面进行色漆喷涂，色漆膜厚8um，烘烤温度设置为80度，烘烤时间设置为15min；
3)底uv喷涂：对色漆层进行底uv薄涂,底uv膜厚11um,固化使用的uv能量为600mj/cm2；
4)ncvm镀膜：对底uv层进行ncvm镀膜；将喷涂完uv底的产品放入真空镀炉,抽真空至本底真空度6*10-3pa,镀材使用纯铟镀材,镀膜厚度40纳米,镀层颜色体现为亮银色；
5)保护漆喷涂：对ncvm镀层进行保护漆喷涂,保护漆膜厚10um，固化使用的uv能量为600mj/cm2；
6)双色镭雕：使用紫光镭雕机对保护漆及镀层进行局部镭雕,雕掉其中一种纹理上的保护漆及镀层,漏出底uv,让两种纹理呈现不同的颜色效果；镭雕区域从纹理起始位置开始,到拼接纹的拼接线结束；镭雕机能量调整至不损伤底uv为准；镭雕后,使用无水乙醇对镭雕区域进行擦拭,清除掉保护漆及镀层至露出底uv；
7)中漆喷涂：对双色镭雕品进行中漆喷涂,中漆膜厚10um，固化使用的uv能量为800mj/cm2；中漆内加入少于5％的色浆进行调色；
8)面uv喷涂：对中漆喷涂品进行高光面uv喷涂,面uv膜厚30um,固化使用的uv能量为1100mj/cm2；
9)对面uv进行光哑镭雕。
将本申请实施例中所提供的拼接纹双色/光哑镭雕工艺同现有技术中复合板拼接纹工艺相对比，结果如下：
可见，本申请所提供的拼接纹双色/光哑镭雕工艺在纹理模寿命、纹理良率以及拼接线偏位具有明显的优势，同时在生产成本上也具有强有力的竞争优势。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
1.一种表面带拼接纹的终端外壳的制备方法，其特征在于，包括：
提供表面带设计纹理的终端外壳；
在所述设计纹理的表面沉积装饰层，并对所述装饰层进行局部雕刻，得到表面带拼接纹的终端外壳。
2.如权利要求1所述的表面带拼接纹的终端外壳的制备方法，其特征在于，所述提供表面带设计纹理的终端外壳的步骤，具体包括：
根据设计纹理图档对塑胶模具进行晒纹处理；
采用晒纹处理后的所述塑胶模具进行注塑，得到表面带设计纹理的终端外壳。
3.如权利要求1所述的表面带拼接纹的终端外壳的制备方法，其特征在于，所在所述设计纹理的表面沉积装饰层的步骤，具体包括：在所述设计纹理的表面沉积第一uv层，在所述第一uv层的表面沉积镀膜层，在所述镀膜层的表面沉积第一保护层。
4.如权利要求3所述的表面带拼接纹的终端外壳的制备方法，其特征在于，所述对所述装饰层进行局部雕刻，得到表面带拼接纹的终端外壳的步骤，具体包括：
在所第一保护层上设置雕刻区域，所述雕刻区域始于所述设计纹理的端部终于所述拼接纹的拼接线；
将所述雕刻区域内的所述镀膜层和第一保护层除去，露出所述第一uv层，得到表面带拼接纹的终端外壳。
5.如权利要求4所述的表面带拼接纹的终端外壳的制备方法，其特征在于，所述将所述雕刻区域内的所述镀膜层和第一保护层除去，露出所述第一uv层的步骤之后，还包括：在露出的所述第一uv层表面沉积第二保护层，在所述第二保护层的表面沉积第二uv层。
6.如权利要求3所述的表面带拼接纹的终端外壳的制备方法，其特征在于，所述在所述设计纹理的表面沉积第一uv层的步骤之前，还包括：在所述设计纹理的表面沉积界面层，在所述界面层的表面沉积色漆层，在所述色漆层的表面沉积所述第一uv层。
7.如权利要求6所述的表面带拼接纹的终端外壳的制备方法，其特征在于，所述界面层的厚度为6-10微米，所述界面层的颜色为灰色或黑色。
8.如权利要求3所述的表面带拼接纹的终端外壳的制备方法，其特征在于，所述镀膜层的厚度为30-50纳米。
9.如权利要求5所述的表面带拼接纹的终端外壳的制备方法，其特征在于，所述第二uv层为哑光uv层或亮光uv层，所述第二uv层的厚度为20-30微米。
10.一种终端外壳，其特征在于，所述终端外壳采用权利要求1-9任一所述的表面带拼接纹的终端外壳的制备方法制备得到。
技术总结