【技术领域】
本实用新型涉及集成电路载板,特别是涉及集成电路载板压合时采用层状产品时的叠合结构。
背景技术：
ic封装基板，又称ic载板，直接用于搭载芯片，不仅为芯片提供支撑、保护、散热作用，同时为芯片与pcb母板之间提供电子连接。ic是英文integratedcircuit的简称,中文意思是:集成电路；pcb是英文printedcircuitboard的简称,中文意思是:印制电路板。现有技术ic载板因散热问题难满足大功率和/或大电流的芯片；因此设计一款新的满足大功率和/或大电流的芯片的ic载板非常有必要。
现有技术ic载板主要是采用离型膜压合方式，这种离型膜压合方式存在凹陷过度、残胶等缺点。而且对于新的ic载板，现有技术离型膜压合方式并不适合，因此对于新的ic载板设计一款新的薄膜压合方式也非常有必要。
技术实现要素：
本实用新型要解决的技术问题在于避免上述现有技术的不足之处而提供一种具有铜柱结构的集成电路载板及其压合时的叠合结构,结构简单，压合时的叠合结构放入压机压合后,能保证半固化片熔化后流胶均匀、无残胶，铜柱压合面也平整，不存在凹陷过度、残胶等缺点，而具有铜柱结构的集成电路载板，能够承载大功率和/或大电流的集成电路，散热性能好。
本实用新型解决所述技术问题采用的技术方案是：
提供一种集成电路载板压合时的叠合结构，包括集成电路载板、设置在该集成电路载板上的多个铜柱、压合填充用的半固化片、至少两张具有离型整平能力的离型膜和至少一张具有覆型能力的覆型缓冲膜；压合时，所述半固化片位于所述铜柱上面，所述离型膜位于所述半固化片上面，所述覆型缓冲膜位于两张所述离型膜之间。
作为本实用新型的一个优选实施例,所述离型膜有三张,一张离型膜位于所述半固化片与所述覆型缓冲膜之间，另两张离型膜位于所述覆型缓冲膜上面。
作为本实用新型的一个优选实施例,所述离型膜有三张,两张离型膜位于所述半固化片与所述覆型缓冲膜之间，另一张离型膜位于所述覆型缓冲膜上面。
作为本实用新型的一个优选实施例,所述离型膜有三张,所述覆型缓冲膜有两张；从所述半固化片往上依次为：一张离型膜、一张覆型缓冲膜、一张离型膜、一张覆型缓冲膜和一张离型膜。
还提供了一种具有铜柱结构的集成电路载板,包括集成电路载板和设置在该集成电路载板上的多个铜柱，以及位于该集成电路载板上并将多个铜柱填充包裹的半固化片填充层。所述半固化片填充层与铜柱同等高度。所述铜柱的高度为0.1～1.0毫米。
同现有技术相比较，本实用新型具有铜柱结构的集成电路载板及其压合时的叠合结构之有益效果在于：
一、由于本实用新型集成电路载板压合时的叠合结构，在集成电路载板上设置了多个铜柱，并在压合时，在铜柱上面设置压合填充用的半固化片，在半固化片上设置至少两张具有离型整平能力的离型膜，并在两张离型膜之间设置至少一张具有覆型能力的覆型缓冲膜，这样该压合时的叠合结构放入压机压合后,能保证半固化片熔化后流胶均匀、无残胶，铜柱压合面也平整，不存在凹陷过度、残胶等缺点；
二、由于在集成电路载板上设置了多个铜柱，各铜柱之间被半固化片填充层填充包裹，这样将大功率和/或大电流的集成电路设置在各铜柱上，就能保证大功率和/或大电流的集成电路散热效果非常好。
综上所述，本实用新型具有铜柱结构的集成电路载板及其压合时的叠合结构,结构简单，压合时的叠合结构放入压机压合后,能保证半固化片熔化后流胶均匀、无残胶，铜柱压合面也平整，不存在凹陷过度、残胶等缺点，能保证大功率和/或大电流的集成电路设置在具有铜柱结构的集成电路载板上后，散热性能好。
【附图说明】
图1是本实用新型集成电路载板压合时的叠合结构实施例一的正投影主视示意图；
图2是所述集成电路载板压合时的叠合结构实施例二的正投影主视示意图；
图3是所述集成电路载板压合时的叠合结构实施例三的正投影主视示意图；
图4是所述集成电路载板压合时的叠合结构实施例四的正投影主视示意图;
图5是本实用新型具有铜柱结构的集成电路载板的正投影主视剖视示意图。
【具体实施方式】
下面结合各附图对本实用新型作进一步详细说明。
参见图1至图4,本实用新型提供了一种集成电路载板压合时的叠合结构，包括集成电路载板11、设置在该集成电路载板11上的多个铜柱12、压合填充用的半固化片13、至少两张具有离型整平能力的离型膜21和至少一张具有覆型能力的覆型缓冲膜22；压合时，所述半固化片13位于所述铜柱12上面，所述离型膜21位于所述半固化片13上面，所述覆型缓冲膜22位于两张所述离型膜21之间。
实施例一
参见图1，一种集成电路载板压合时的叠合结构，包括集成电路载板11、设置在该集成电路载板11上的多个铜柱12、压合填充用的半固化片13、两张具有离型整平能力的离型膜21和一张具有覆型能力的覆型缓冲膜22；压合时，所述半固化片13位于所述铜柱12上面，两张所述离型膜21位于所述半固化片13上面，所述覆型缓冲膜22位于两张所述离型膜21之间。
集成电路载板11一般包括固定厚度的铜金属层和一定厚度的刚性绝缘介质层，铜金属层可以为压延铜箔、电解铜箔或反转铜箔，厚度一般为9～105微米，例如可取12～35微米；刚性绝缘介质层可以为环氧树脂（fr4）、聚酰亚胺（pi）、bt树脂、聚苯醚树脂（ppo）、改性环氧树脂、碳氢树脂等中的一种或多种，集成电路载板11是现有技术，在此不作详细赘述。
铜柱12的高度为0.1～1.0毫米；铜柱12可以是圆柱型的铜柱，直径可以是0.02～0.05毫米；铜柱12也可以是方型的铜柱，例如一种横切面为正方形的铜柱，该正方形的宽为0.02～0.05毫米。
压合填充用的半固化片13，为一种半固化状态的热固型有机小分子薄膜材料，其在高温高压条件下可以很好填充铜柱12之间的空隙及连接铜柱12。
具有覆型能力的覆型缓冲膜22，材料通常为pa、bopa、ptfe或pe等高分子材料，厚度一般为0.05～0.5毫米，该薄膜在一定温度下具备流动性，可以起到覆型和缓冲作用；pa是英文polyamide的缩写，中文意思是聚酰胺，俗称尼龙（nylon）；bopa是英文biaxiallyorientedpolyamide(nylon)film的缩写，中文意思是双向拉伸尼龙薄膜；ptfe是英文polytetrafluoroethylene的缩写，中文意思是聚四氟乙烯；pe是英文polyethylene的缩写，中文意思是聚乙烯。
具有离型整平能力的离型膜21，材料通常为pet、pi等薄膜上涂覆离型剂，达到离型和整平的作用，厚度一般为0.01～0.1毫米；pet是英文polyethyleneterephthalate的缩写，中文意思是“聚对苯二甲酸乙二醇酯”；pi是英文polyimide的缩写，中文意思是聚酰亚胺。
实施例二
参见图2,与实施例一的结构基本相同，不同之处是：离型膜21的数量不一样，导致压合时的叠合结构略有不同；具体为：所述离型膜21有三张,一张离型膜21位于所述半固化片13与所述覆型缓冲膜22之间，另两张离型膜21位于所述覆型缓冲膜22上面。
实施例三
参见图3,与实施例二相似，离型膜21的数量都一样，压合时的叠合结构略有不同；具体为：两张离型膜21位于所述半固化片13与所述覆型缓冲膜22之间，另一张离型膜21位于所述覆型缓冲膜22上面。
实施例四
参见图4,与实施例一的结构基本相同，不同之处是：离型膜21和覆型缓冲膜22的数量都不一样，导致压合时的叠合结构略有不同；具体为：所述离型膜21有三张,所述覆型缓冲膜22有两张；从所述半固化片13往上依次为：一张离型膜21、一张覆型缓冲膜22、一张离型膜21、一张覆型缓冲膜22和一张离型膜21。
参见图1、图2、图3或图4,将本实用新型上述集成电路载板压合时的叠合结构放入压机压合后,并撕掉所有的离型膜21和覆型缓冲膜22,得到图5中的一种具有铜柱结构的集成电路载板,包括集成电路载板11和设置在该集成电路载板11上的多个铜柱12，以及位于该集成电路载板11上并将多个铜柱12填充包裹的半固化片填充层13a。所述半固化片填充层13a与铜柱12同等高度。所述铜柱12的高度为0.1～1.0毫米。
参见图1、图2、图3或图4,采用本实用新型上述集成电路载板压合时的叠合结构放入压机压合后,能保证半固化片13熔化后流胶均匀、无残胶，铜柱12压合面也平整，不存在凹陷过度、残胶等缺点。而得到的具有铜柱结构的集成电路载板，上面再设置大功率和/或大电流的集成电路，不用担心散热的问题,散热效果非常好，而且能够承载大功率和/或大电流的集成电路。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的优选实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制;应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围;因此,凡跟本实用新型权利要求范围所做的等同变换与修饰，均应属于本实用新型权利要求的涵盖范围。
1.一种集成电路载板压合时的叠合结构,其特征在于：
包括集成电路载板（11）、设置在该集成电路载板（11）上的多个铜柱（12）、压合填充用的半固化片（13）、至少两张具有离型整平能力的离型膜（21）和至少一张具有覆型能力的覆型缓冲膜（22）；压合时，所述半固化片（13）位于所述铜柱（12）上面，所述离型膜（21）位于所述半固化片（13）上面，所述覆型缓冲膜（22）位于两张所述离型膜（21）之间。
2.根据权利要求1所述的集成电路载板压合时的叠合结构，其特征在于：
所述离型膜（21）有三张,一张离型膜（21）位于所述半固化片（13）与所述覆型缓冲膜（22）之间，另两张离型膜（21）位于所述覆型缓冲膜（22）上面。
3.根据权利要求1所述的集成电路载板压合时的叠合结构，其特征在于：
所述离型膜（21）有三张,两张离型膜（21）位于所述半固化片（13）与所述覆型缓冲膜（22）之间，另一张离型膜（21）位于所述覆型缓冲膜（22）上面。
4.根据权利要求1所述的集成电路载板压合时的叠合结构，其特征在于：
所述离型膜（21）有三张,所述覆型缓冲膜（22）有两张；从所述半固化片（13）往上依次为：一张离型膜（21）、一张覆型缓冲膜（22）、一张离型膜（21）、一张覆型缓冲膜（22）和一张离型膜（21）。
5.根据权利要求1至4之任一项所述的集成电路载板压合时的叠合结构，其特征在于：
所述铜柱（12）的高度为0.1～1.0毫米。
6.一种具有铜柱结构的集成电路载板,其特征在于：
包括集成电路载板（11）和设置在该集成电路载板（11）上的多个铜柱（12），以及位于该集成电路载板（11）上并将多个铜柱（12）填充包裹的半固化片填充层(13a)。
7.根据权利要求6所述的具有铜柱结构的集成电路载板，其特征在于：
所述半固化片填充层(13a)与铜柱（12）同等高度。
8.根据权利要求6或7所述的具有铜柱结构的集成电路载板，其特征在于：
所述铜柱（12）的高度为0.1～1.0毫米。
技术总结