本实用新型涉及一种电磁炉的低待机电路。
背景技术：
中国专利文献号cn102843048a于2012年12月26日公开了一种低待机功耗电磁加热装置用电源，包括：用于给谐振电路提供直流电的第一供电电路，包括整流桥堆，该整流桥堆的第一ac端接交流电的第一相线，第二ac端经电磁开关接交流电的第二相线，负端接第一地；用于控制所述电磁开关接通或关断的控制器；以及用于给控制电路供电的第二供电电路，该第二供电电路的整流电路包括第一整流回路，由所述第一相线顺次连接第一二极管、降压电阻、第一电容、所述整流桥堆内的第一反向二极管和所述电磁开关至所述第二相线构成；第二整流回路，由所述第二相线顺次连接第二二极管、所述降压电阻、所述第一电容和所述整流桥堆内的第二反向二极管至所述第一相线构成。这种电磁加热装置用电源的待机效果不够理想，有待改进。
技术实现要素：
本实用新型的目的旨在提供一种待机功率低的电磁炉的低待机电路，以克服现有技术中的不足之处。
按此目的设计的一种电磁炉的低待机电路，其特征是包括用于输出低待机驱动信号的控制芯片电路u2，所述控制芯片电路u2与第二三极管q2、光耦元件ic3和开关电源芯片电路u1依次电连接；
控制芯片电路u2的输出状态为0，第二三极管q2截止，光耦元件ic3断开，开关电源芯片电路u1的电压基准脚3到源极1和源极2为断开。
进一步，所述的电磁炉的低待机电路，还包括主控芯片电路u2，所述开关电源芯片电路u1的第一输出支路vcc1与主控芯片电路u2电连接。
进一步，所述的电磁炉的低待机电路，还包括稳压芯片电路ic1，所述开关电源芯片电路u1的第一输出支路vcc1通过稳压芯片电路ic1与主控芯片电路u2电连接。
进一步，所述开关电源芯片电路u1的第二输出支路vcc与igbt电连接；
控制芯片电路u2的输出状态为1，第二三极管q2导通，光耦元件ic3导通，开关电源芯片电路u1的电压基准脚3到源极1和源极2为导通。
进一步，所述开关电源芯片电路u1的第二输出支路vcc与igbt驱动电路电连接并向其供电，igbt驱动电路与igbt电连接并控制其工作与否。
进一步，所述控制芯片电路u2的型号为highway-m800f。
本实用新型中的控制芯片电路u2与第二三极管q2、光耦元件ic3和开关电源芯片电路u1依次电连接；待机状态的工作原理为：电磁炉上电后，控制芯片电路u2的输出状态为0，第二三极管q2截止，光耦元件ic3断开，开关电源芯片电路u1的电压基准脚3到源极1和源极2为断开；此时，开关电源芯片电路u1的第一输出支路vcc1为12v，开关电源芯片电路u1的第二输出支路vcc为6v，第一输出支路vcc1经过稳压芯片电路ic1稳压输出4v电压，提供给控制芯片电路u2供电，待机状态下的igbt驱动电路不工作，整个电磁炉的使用电流非常小，从而实现降低负载电压以达到低功率待机的目的。
本实用新型中的开关电源芯片电路u1的第二输出支路vcc与igbt电连接；igbt驱动电路电连接并向其供电，igbt驱动电路与igbt电连接并控制其工作与否；工作状态工作原理：当按下电磁炉的开关按键后，控制芯片电路u2的输出状态为1，第二三极管q2导通，光耦元件ic3导通，开关电源芯片电路u1的电压基准脚3到源极1和源极2为导通；此时，开关电源芯片电路u1的第一输出支路vcc1为9v，开关电源芯片电路u1的第二输出支路vcc为18v，第一输出支路vcc1经过稳压芯片电路ic1稳压输出5v电压，提供给控制芯片电路u2供电，第二输出支路vcc提供给igbt驱动电路，从而驱动igbt，于是，电磁炉正常工作；当按下电磁炉的关机按键时，整个电磁炉再次回到待机工作状态。
综上所述，本实用新型具有待机功率低的特点。
附图说明
图1为本实用新型一实施例的电路连接框图。
图2为本实用新型的电路连接示意图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述。
参见图1-图2，本电磁炉的低待机电路，包括用于输出低待机驱动信号的控制芯片电路u2，所述控制芯片电路u2与第二三极管q2、光耦元件ic3和开关电源芯片电路u1依次电连接；控制芯片电路u2的输出状态为0，第二三极管q2截止，光耦元件ic3断开，开关电源芯片电路u1的电压基准脚3到源极1和源极2为断开。
在本实施例中，所述的电磁炉的低待机电路，还包括主控芯片电路u2，所述开关电源芯片电路u1的第一输出支路vcc1与主控芯片电路u2电连接。
所述的电磁炉的低待机电路，还包括稳压芯片电路ic1，所述开关电源芯片电路u1的第一输出支路vcc1通过稳压芯片电路ic1与主控芯片电路u2电连接。
所述开关电源芯片电路u1的第二输出支路vcc与igbt电连接；控制芯片电路u2的输出状态为1，第二三极管q2导通，光耦元件ic3导通，开关电源芯片电路u1的电压基准脚3到源极1和源极2为导通。
进一步，所述开关电源芯片电路u1的第二输出支路vcc与igbt驱动电路电连接并向其供电，igbt驱动电路与igbt电连接并控制其工作与否。
所述控制芯片电路u2的型号为highway-m800f。
本实用新型的整个电路清晰明了，只增加一个光耦元件ic3，切换开关电源芯片电路u1的引脚接线电路，就可以切换电源输出电压，从而实现低待机功能。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
1.一种电磁炉的低待机电路，其特征是包括用于输出低待机驱动信号的控制芯片电路u2，所述控制芯片电路u2与第二三极管q2、光耦元件ic3和开关电源芯片电路u1依次电连接；
控制芯片电路u2的输出状态为0，第二三极管q2截止，光耦元件ic3断开，开关电源芯片电路u1的电压基准脚3到源极1和源极2为断开。
2.根据权利要求1所述的电磁炉的低待机电路，其特征是还包括主控芯片电路u2，所述开关电源芯片电路u1的第一输出支路vcc1与主控芯片电路u2电连接。
3.根据权利要求2所述的电磁炉的低待机电路，其特征是还包括稳压芯片电路ic1，所述开关电源芯片电路u1的第一输出支路vcc1通过稳压芯片电路ic1与主控芯片电路u2电连接。
4.根据权利要求1所述的电磁炉的低待机电路，其特征是所述开关电源芯片电路u1的第二输出支路vcc与igbt电连接；
控制芯片电路u2的输出状态为1，第二三极管q2导通，光耦元件ic3导通，开关电源芯片电路u1的电压基准脚3到源极1和源极2为导通。
5.根据权利要求4所述的电磁炉的低待机电路，其特征是所述开关电源芯片电路u1的第二输出支路vcc与igbt驱动电路电连接并向其供电，igbt驱动电路与igbt电连接并控制其工作与否。
6.根据权利要求1至5任一所述的电磁炉的低待机电路，其特征是所述控制芯片电路u2的型号为highway-m800f。
技术总结