本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板、显示面板以及显示装置。
背景技术：
随着tftlcd的不断发展，人们对像素分辨率的追求越来越高，也越来越要求大尺寸的显示面板，因此诸如75英寸8k、110英寸8k等尺寸的电视产品应运而生，也因此发展出了氧化物技术，该技术中氧化物指igzo。与传统的a-sitft相比，igzotft具有高透明度、高迁移率、可在柔性衬底上低温工艺大面积制备等特点，在高分辨率平板显示器、传感器以及柔性电子器件等方面被广泛应用。
然而由于制作工艺的限制，导致利用igzo的产品的栅绝缘(gi)层的膜质和钝化(pvx)层的膜质相对a-si产品比较疏松，防水性能差，在高温高湿环境中容易发生外部水汽穿过封框胶进入到面板内的膜层中，导致驱动电路中的信号线被腐蚀。
技术实现要素：
为了解决上述问题至少之一，本申请第一方面提供一种阵列基板，包括衬底、设置在衬底上的驱动电路层和覆盖驱动电路层的钝化层，驱动电路层包括氧化物薄膜晶体管和多条信号线，阵列基板还包括设置在钝化层靠近衬底一侧的至少一个致密层，致密层在衬底上的正投影覆盖多条信号线在衬底上的正投影。
在一些可选的实施例中，驱动电路层包括依次层叠设置的栅极层、栅极绝缘层和源漏层，至少一个致密层包括设置在源漏层远离衬底一侧的第一致密层。
在一些可选的实施例中，第一致密层包括n2o和硅烷，n2o和硅烷的比例为70:1。
在一些可选的实施例中，至少一个致密层还包括设置在栅极绝缘层和源漏层之间的第二致密层。
在一些可选的实施例中，驱动电路层包括依次层叠设置的栅极层、栅极绝缘层和源漏层，至少一个致密层包括设置在栅极绝缘层和源漏层之间的第二致密层。
在一些可选的实施例中，第二致密层为设置在栅绝缘层上的疏水层。
在一些可选的实施例中，疏水层包括氟离子基团。
在一些可选的实施例中，氧化物薄膜晶体管为顶栅结构或底栅结构。
本申请第二方面提供一种显示面板，包括本申请第一方面所述的氧化物阵列基板。
本申请第三方面提供一种显示装置，包括本申请第二方面所述的显示面板。
本实用新型的有益效果如下：
本实用新型针对目前现有的问题，制定一种阵列基板、显示面板以及显示装置，通过在包括氧化物薄膜晶体管的阵列基板中设置致密层，并且该致密层位于钝化层靠近衬底的一侧，并使致密层在衬底上的正投影覆盖多条信号线在衬底上的正投影，从而可以防止水汽通过钝化层进入驱动电路层，从而避免水分接触并腐蚀驱动电路层的信号线栅极布线和数据布线，进而避免信号线在跨接位置的信号线因发生腐蚀导致的短路问题，有效提高了显示产品的使用寿命，具有广泛的应用前景。
附图说明
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明。
图1为根据现有技术的显示面板的示意性剖视图。
图2a-2b分别示出现有技术中驱动电路区的信号线的跨接位置被水汽腐蚀损坏的现象。
图3为示出阵列基板中驱动电路的信号线的示意性俯视图。
图4为沿图3中的aa′线截取的、根据本申请的实施例的阵列基板的示意性剖视图。
图5为根据本申请的实施例的阵列基板的显示区域的示意性局部剖视图。
图6为沿图3中的aa′线截取的、根据本申请的另一实施例的阵列基板的示意性剖视图。
图7为根据本申请的另一实施例的阵列基板的显示区域的示意性局部剖视图。
图8为沿图3中的aa′线截取的、根据本申请的再一实施例的阵列基板的示意性剖视图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本实用新型，下面结合优选实施例和附图对本实用新型做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本实用新型的保护范围。
除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其它元件或者物件。
在显示领域的半导体技术中，igzo是铟(indium)、镓(gallium)、锌(zinc)、氧(oxygen)首字母的缩写，全称为铟镓锌氧化物，由in2o3、ga2o3和zno构成，一般用于tft中的沟道层材料。igzo是依靠sputter镀膜沉积的，其沉积温度一般比较高，因此与之匹配的gi层和pvx层的工艺条件均需要优化，一般是由nsix材料改成siox，这样会导致利用igzo的产品的gi层的膜质和pvx层的膜质相对a-si产品比较疏松，防水性能差。
显示面板中阵列基板的驱动电路包括多个用于栅极驱动和数据传输的信号线并存在信号线的跨接；然而如图1所示现有技术显示面板的示例性剖视图，其包括衬底1、栅极层2、栅极绝缘层3、源漏层4、钝化层5、封框胶6和彩膜层7，按照该设置，疏松且防水性能差的栅极绝缘层和钝化层不足以阻挡由封框胶进入的水汽，跨接位置的电压差周期性变化与水汽相互作用会对跨接位置产生腐蚀，其中图2a为goa外围区域因水汽进入导致clk信号线与clk信号线的跨接位置发生腐蚀的案例，其中图2a为电路背面，图2b为电路背面。
针对上述问题，如图3和4所示，本申请的实施例提供一种阵列基板，包括衬底、设置在衬底上的驱动电路层和覆盖驱动电路层的钝化层，驱动电路层包括氧化物薄膜晶体管和多条信号线，阵列基板还包括设置在钝化层靠近衬底一侧的至少一个致密层，致密层在衬底上的正投影覆盖多条信号线在衬底上的正投影。
在本实施例中，通过在包括氧化物薄膜晶体管的阵列基板中设置致密层，并且该致密层位于钝化层靠近衬底的一侧，并使致密层在衬底上的正投影覆盖多条信号线在衬底上的正投影，从而可以防止水汽通过钝化层进入驱动电路层，从而避免水分接触并腐蚀驱动电路层的信号线栅极布线和数据布线，进而避免信号线在跨接位置的信号线因发生腐蚀导致的短路问题，有效提高了显示产品的使用寿命，具有广泛的应用前景。
在一个具体的实施例中，参照图3和图4，图3中示出了阵列基板的goa电路中包括的多条信号线，多条信号线分布于非显示区，用于向显示区中的相应像素发送栅极驱动信号和数据信号以驱动像素的点亮。在goa电路中，例如vddo/vdde/clk/stv/vgl等走线之间存在两两跨接以实现信号的级联传输。图4示出了沿aa′线截取的本实施例的阵列基板的示意性剖视图，如图所示，阵列基板包括衬底101、设置在衬底101上的驱动电路层和覆盖驱动电路层的钝化层。进一步结合图5所示的显示区域的局部剖视图可知，本申请的实施例的阵列基板的驱动电路层包括氧化物薄膜晶体管(igzotft)和多条信号线，其中图5中的标号121示出了形成于igzotft中作为沟道材料层的igzo层。可选地，igzotft既可以是顶栅结构也可以是底栅结构，在此不做限制。
具体地，驱动电路层包括依次层叠设置的栅极层102、栅极绝缘层103、源漏层104。钝化层可以包括一层或多层，例如，图中所示的设置两层钝化层106和107，本领域技术人员应理解，关于钝化层的具体层数图中仅是示意性地，本申请并不旨在限制钝化层的层数。
根据本申请的实施例，阵列基板还包括设置在钝化层靠近衬底101一侧的至少一个致密层，致密层在衬底101上的正投影覆盖多条信号线在衬底101上的正投影以保证致密层阻挡通过显示面板的封框胶层进入的水汽接触信号线，从而确保信号线的跨接位置不受水汽腐蚀。
具体地，本申请的实施例的至少一个致密层包括设置在源漏层104远离衬底101一侧的第一致密层105。优选地，第一致密层105可以包括n2o和硅烷，第一致密层105中n2o和硅烷的比例可以影响致密层的致密性。优选地，n2o和硅烷的比例为70:1，从而具有优良的致密性。通过以上设置，可以有效隔绝水汽的进入。
本申请的致密层105旨在阻挡水汽通过钝化层106和107进入驱动电路层以避免驱动信号线在跨接位置处因水汽腐蚀而出现短路或短路，本申请并不旨在限制致密层的层数，即，致密层可以为一层也可以为多层。另外，致密层可以是整层结构也可以仅覆盖多条信号线，致密层在衬底上的正投影仅覆盖多条信号线在衬底上的正投影时，在垂直于衬底的方向上能够阻挡水汽进入。
但是，值得应注意的是，igzotft的稳定性也会受到水汽影响，因此优选地，参照图5所示的显示区域的局部剖视图，本申请实施例中的致密层还可以形成为整层结构，具有整层结构的致密层在能够避免多条信号线的跨接区域被腐蚀的基础上，进一步避免水汽对igzotft的影响，提高igzotft的稳定性。本领域技术人员应理解，致密层的致密性越好，igzotft的特性越稳定。
本领域技术人员还应理解，除上述具体描述的层以外，如图所示，阵列基板还可以包括第一pvx层108、平坦化层109和第二pvx层110等，以进一步对阵列基板进行保护，但本申请并不旨在在此进行限制，本领域技术人员可以根据具体需要进行设置，在此不做赘述。
在一个可选的实施例中，参照图6，至少一个致密层进一步包括设置在栅极绝缘层103和源漏层104之间的第二致密层111。优选地，该第二致密层111为设置在栅极绝缘层103上的疏水层。具体地，疏水层包括氟离子基团。通过以上设置，可以利用氟离子基团良好的疏水特性作为疏水基团，从而有效阻挡水汽与栅极绝缘层的布线接触，从而避免多条信号线在跨接位置处被水汽腐蚀而断路或短路，进一步提高阵列基板的防水性能。
第二致密层113的制备示例性地可以使用cf4与o2混合，电离后得到电离的混合气体，利用电离的混合气体对栅极绝缘层进行干刻蚀，使得栅极绝缘层的顶表面还残留有氟离子基团，进而形成第二致密层111。当然，本领域技术人员应理解，这只为帮助理解本申请而并不旨在作为限制。
与前述实施例相类似，第二致密层111可以是整层结构也可以仅在垂直于衬底101的方向上覆盖多条信号线，第二致密层111在衬底101上的正投影仅覆盖多条信号线在衬底101上的正投影时，能够在垂直于衬底101的方向上阻挡水汽进入，从而有效阻挡水汽与设置在栅极层的信号线接触，从而进一步避免多条信号线在跨接位置处被水汽腐蚀而断路或短路。
值得应注意的是，igzotft的稳定性也会受到水汽影响，因此优选地，参照图7所示的显示区域的局部剖视图，本申请实施例中的致密层还可以形成为整层结构以进一步提高阵列基板的防水性能，即能够在避免非显示区中的多条信号线的跨界区域被腐蚀的基础上，还能够避免水汽对igzotft的影响，提高igzotft的稳定性。本领域技术人员应理解，致密层的致密性越好，igzotft的特性越稳定。
在一个可选的实施例中，至少一个致密层还可以仅为设置在利用设置在栅极绝缘层103和源漏层104之间的第二致密层111。也就是说，参照图8所示，驱动电路层包括依次层叠设置的栅极层102、栅极绝缘层103和源漏层104，在栅极绝缘层103和源漏层104之间的第二致密层111。优选地，该第二致密层111为设置在栅极绝缘层103上的疏水层。具体实施方式同前述实施例，在此不再赘述。
基于同一发明构思，本申请的一个实施例还提供一种显示面板，该显示面板解决的问题与前述阵列基板相似，在此不再赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示面板。该显示装置解决问题的原理与前述显示面板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述显示面板的实施，重复之处在此不再赘述。
在具体实施时，显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不再赘述，也不应作为对本申请的限制。
本发明针对目前现有的问题，制定一种阵列基板、显示面板以及显示装置，通过在包括氧化物薄膜晶体管的阵列基板中设置致密层，并且该致密层位于钝化层靠近衬底的一侧，并使致密层在衬底上的正投影覆盖多条信号线在衬底上的正投影，从而可以防止水汽通过钝化层进入驱动电路层，从而避免水分接触并腐蚀驱动电路层的信号线栅极布线和数据布线，进而避免信号线在跨接位置的信号线因发生腐蚀导致的短路问题，有效提高了显示产品的使用寿命，具有广泛的应用前景。
显然，本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本实用新型的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之列。
1.一种阵列基板，包括衬底、设置在所述衬底上的驱动电路层和覆盖所述驱动电路层的钝化层，其特征在于，所述驱动电路层包括氧化物薄膜晶体管和多条信号线，所述阵列基板还包括
设置在所述钝化层靠近所述衬底一侧的至少一个致密层，所述致密层在所述衬底上的正投影覆盖所述多条信号线在所述衬底上的正投影。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动电路层包括依次层叠设置的栅极层、栅极绝缘层和源漏层，所述至少一个致密层包括设置在所述源漏层远离所述衬底一侧的第一致密层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述至少一个致密层还包括设置在所述栅极绝缘层和所述源漏层之间的第二致密层。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动电路层包括依次层叠设置的栅极层、栅极绝缘层和源漏层，所述至少一个致密层包括设置在所述栅极绝缘层和所述源漏层之间的第二致密层。
5.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二致密层为设置在所述栅极绝缘层上的疏水层。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管为顶栅结构或底栅结构。
7.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-6中任一项所述的阵列基板。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的显示面板。
技术总结