一种新型的mini-COB结构的制作方法

专利2022-05-09  32


本实用新型涉及mini-cob技术领域,尤其涉及一种新型的mini-cob结构。



背景技术:

现有mini-cob基板焊盘之间有间隙,贴装好晶片后焊盘中间间隙大,在封胶时胶水覆盖后间隙中间空气会形成气泡冒出造成气泡不良影响外观及发光时有暗影不良。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于提供一种新型的mini-cob结构,在mini-cob基板焊盘中间的间隙内做填充,减少晶片底端面与基板上端面的高度(减少空间、存气量少),封胶时可防止晶片底端面与基板空间大造成气泡,避免影响外观一致性及发光时有暗影现象。

为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种新型的mini-cob结构,包括基板、焊盘和晶片,多个所述焊盘平行的设置于基板上,相邻的一对所述焊盘之间具有间隙,所述间隙内设有填充层,所述晶片通过粘接层粘合于焊盘上,且其下端面抵接于所述填充层的上端面,该晶片通过金线与所述焊盘导通。

作为进一步的优化,所述填充层的两侧分别与其旁侧的焊盘侧壁相抵接。

作为进一步的优化,所述填充层为油墨层或环氧树脂层。

作为进一步的优化,所述填充层为固态层。

作为进一步的优化,所述粘接层的宽度小于等于所述焊盘的宽度。

作为进一步的优化,所述粘接层为银浆层。

作为进一步的优化,所述基板为pfc板、bt板、fr-4板或铝基板。

与现有技术相比,本实用新型具有以下的有益效果:

在mini-cob基板焊盘中间的间隙内做填充,减少晶片底端面与基板上端面的高度(减少空间、存气量少),封胶时可防止晶片底端面与基板由于空间大产生气泡,避免影响外观一致性及发光时有暗影现象。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为本实用新型未粘接晶片的结构图示意图。

图中,1.基板;2.焊盘;20.间隙;3.粘结层;4.填充层;5.晶片。

具体实施方式

以下是本实用新型的具体实施例并结合附图,对本实用新型的技术方案作进一步的描述,但本实用新型并不限于这些实施例。

如图1至2所示,一种新型的mini-cob结构,包括基板1、焊盘2和晶片5,多个焊盘2平行的设置于基板1上,基板可为pfc板、bt板、fr-4板或铝基板,相邻的一对焊盘2之间具有间隙20,间隙20内设有填充层4,晶片5通过粘接层3粘合于焊盘2上,且其下端面抵接于填充层4的上端面,该晶片5通过金线与焊盘2导通。

本实用新型将焊盘之间的间隙进行填充,将间隙内的高度提升至焊盘高度,防止晶片底端面与基板上端面的空间在封胶后气泡的产生,可以避免影响外观及发光时有暗影现象。

填充层4的两侧分别与其旁侧的焊盘2盘侧壁相抵接。

填充层4为油墨层或环氧树脂层;填充层4为固态层。

粘接层3的宽度小于等于焊盘2的宽度;粘接层3为银浆层,银浆层具有导电和散热作用。

本文中所描述的具体实施例仅仅是对本实用新型精神作举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,但并不会偏离本实用新型的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。


技术特征:

1.一种新型的mini-cob结构,其特征在于,包括基板(1)、焊盘(2)和晶片(5),多个所述焊盘(2)平行的设置于基板(1)上,相邻的一对所述焊盘(2)之间具有间隙(20),所述间隙(20)内设有填充层(4),所述晶片(5)通过粘接层(3)粘合于焊盘(2)上,且其下端面抵接于所述填充层(4)的上端面,该晶片(5)通过金线与所述焊盘(2)导通。

2.根据权利要求1所述的新型的mini-cob结构,其特征在于,所述填充层(4)的两侧分别与其旁侧的焊盘(2)盘侧壁相抵接。

3.根据权利要求2所述的新型的mini-cob结构,其特征在于,所述填充层(4)为油墨层或环氧树脂层。

4.根据权利要求3所述的新型的mini-cob结构,其特征在于,所述填充层(4)为固态层。

5.根据权利要求1所述的新型的mini-cob结构,其特征在于,所述粘接层(3)的宽度小于等于所述焊盘(2)的宽度。

6.根据权利要求1所述的新型的mini-cob结构,其特征在于,所述粘接层(3)为银浆层。

7.根据权利要求1所述的新型的mini-cob结构,其特征在于,所述基板(1)为pfc板、bt板、fr-4板或铝基板。

技术总结
本实用新型公开了一种新型的mini‑COB结构,包括基板、焊盘和晶片,多个焊盘平行的设置于基板上,基板可为PFC板、BT板、FR‑4板或铝基板,相邻的一对焊盘之间具有间隙,间隙内设有填充层,晶片通过粘接层粘合于焊盘上,且其下端面抵接于填充层的上端面,该晶片通过金线与焊盘导通,本实用新型在Mini‑COB基板焊盘中间的间隙内做填充,减少晶片底端面与基板上端面的高度(减少空间、存气量少),封胶时可防止晶片底端面与基板空间大造成气泡,避免影响外观一致性及发光时有暗影现象。

技术研发人员:蔡寅
受保护的技术使用者:盐城东山精密制造有限公司
技术研发日:2021.01.06
技术公布日:2021.08.03

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