本实用新型涉及对基板进行诸如蒸镀工艺、蚀刻工艺等处理工艺的基板处理装置，具体涉及用于支撑基板的基座。
背景技术：
通常，为了制造太阳能电池(solarcell)、半导体元件、平板显示器等，需要在基板上形成预定的薄膜层、薄膜电路图案或光学图案。为此，会进行诸如在基板上蒸镀特定材料的薄膜的蒸镀工艺、使用感光材料来选择性地暴露薄膜的光刻工艺、选择性地去除暴露部分的薄膜以形成图案的蚀刻工艺等基板处理工艺。这些基板处理工艺由基板处理装置进行。
所述基板处理装置包括用于放置基板的基座。所述基板处理装置能够在基板放置于所述基座的状态下进行多种基板处理工艺。所述基座包括用于支撑基板的基底及形成在所述基底上的涂层。可以在所述涂层上放置基板。
其中，现有技术的基座被实现为，在所述基底上形成所述涂层的过程中，使得凸起形成于所述涂层的侧壁上。所述凸起被形成为从所述涂层的侧壁朝向基板凸出。因此，在进行基板处理工艺的过程中，现有技术的基座因所述凸起与基板彼此碰撞而导致所述基板发生损伤或破损。因此，现有技术的基座存在会使经过处理工艺的基板的品质降低的问题。
技术实现要素：
技术问题
本实用新型为了解决上述问题而被提出，旨在提供一种基座，所述基座能够降低因凸起与基板彼此碰撞而导致基板发生损伤或破损的可能性。
技术方案
为了解决上述技术问题，本实用新型可以包括如下构成。
本实用新型的基座可以包括：基底，用于支撑基板；以及涂层，形成在所述基底上，用于放置基板。所述涂层可以包括：第一涂层，支撑所述基板；以及第二涂层，形成为包围所述基板的侧面。所述第二涂层包括：涂层倾斜面，与所述第一涂层以形成钝角的方式连接；以及凸出部件，位于所述涂层倾斜面的上部并朝向所述基板的内侧凸出，所述凸出部件可以朝向所述基板的外侧倾斜，以便从所述基板的侧面隔开。
其中，所述基底可以由包含石墨(graphite)的材料形成，所述涂层由包含碳化硅(siliconcarbide)的材料形成。
其中，所述基底可以包括：基底支撑面，支撑所述第一涂层；以及基底倾斜面，连接于所述基底支撑面，所述基底倾斜面与所述基底支撑面之间的夹角为91°至100°。
其中，所述凸出部件可以形成为，比连接着所述第一涂层和所述涂层倾斜面的连接点更向外侧隔开。
其中，所述涂层上形成有连接着所述第一涂层和所述涂层倾斜面的连接点，所述凸出部件位于以垂直于所述第一涂层且经过所述连接点的垂线为基准的外侧。
其中，所述涂层上可以形成有连接着所述第一涂层和所述涂层倾斜面的连接点，以垂直于所述第一涂层且经过所述连接点的垂线为基准时，放置在所述涂层上的基板向内侧隔开。
其中，所述第二涂层可以形成为，比所述基板的上表面更向上侧方向凸出。
其中，所述涂层可以包括隔开部，所述隔开部形成于所述凸出部件与所述基板的侧面之间，以使所述凸出部件与所述基板的侧面之间隔开。
其中，所述涂层上可以形成有连接着所述第一涂层和所述涂层倾斜面的连接点，所述隔开部包括：第一隔开槽，形成于所述连接点与所述凸出部件之间；以及第二隔开槽，形成于所述连接点与所述基板的侧面之间，且与所述第一隔开槽连通。
其中，所述第二涂层的上部的厚度可以比下部的厚度更厚。
本实用新型的基板支撑部可以包括：基板；一个以上的基板放置部，包括支撑所述基板的基底支撑面和包围所述基板的侧面的基底倾斜面；以及涂层，包括形成于所述基底支撑面上部的第一涂层和形成于所述基底倾斜面的上部的第二涂层。所述基板放置部形成为，使得所述第一涂层与第二涂层可以以91°至100°的角度彼此连接。
其中，所述第二涂层的上部与下部的厚度可以彼此不同。
其中，所述第二涂层的上部的厚度可以比所述第二涂层的下部的厚度更厚。
其中，所述基底支撑面与所述基底倾斜面之间的夹角可以大于所述第一涂层与所述第二涂层之间的夹角。
本实用新型的基板处理装置可以包括：腔室，提供用于处理基板的工艺空间；基板支撑部，包括本实用新型的基座；盖，从所述基板支撑部隔开；以及气体喷射部，结合于所述盖，向所述基板支撑部喷射用于进行基板处理工艺的工艺气体。
本实用新型的基板处理装置可以包括：腔室；气体喷射部，向所述腔室的工艺空间供给工艺气体；以及基板支撑部，位于所述气体喷射部的下部。所述基板支撑部可以包括：一个以上的基板放置部，包括支撑所述基板的基底支撑面和包围所述基板的侧面的基底倾斜面；以及涂层，包括形成于所述基底支撑面上部的第一涂层和形成于所述基底倾斜面的上部的第二涂层。所述基板放置部形成为，使得所述第一涂层与第二涂层可以以91°至100°的角度彼此连接。
有益效果
根据本实用新型，能够达到以下效果。
本实用新型能够在进行基板处理工艺的过程中，减小基座的侧壁与所述基板碰撞的可能性，从而能够提高经过处理工艺的基板的品质。
附图说明
图1是本实用新型的基板处理装置的概略分解立体图。
图2是以图1的i-i线为基准示出本实用新型的基板处理装置中的基板支撑部和基座的概略侧剖面图。
图3是示出本实用新型的基座放置有基板时的状态的概略侧剖面图。
图4是放大示出本实用新型的基座在放置基板之前的涂层和基底的概略侧剖面图。
图5是放大示出本实用新型的基座在放置基板之后的涂层和基底的概略侧剖面图。
图6是关于本实用新型的基座制造方法的概略顺序图。
附图标记
1：基座2：涂层
3：基底21：第一涂层
22：第二涂层221：涂层倾斜面
222：凸出部件31：基底支撑面
32：基底倾斜面cp：连接点
vl：垂线100：基板处理装置
110：基板支撑部120：腔室
130：盖140：气体喷射部
具体实施方式
参照以下结合附图详细描述的多个实施例，能够明确本实用新型的优点和特点及其实现方法。然而，本实用新型能够以彼此不同的多种形态实现，而不限于以下公开的多个实施例，提供这些实施例只是为了完整地公开本实用新型并向本领域技术人员完整地介绍实用新型的范围，本实用新型仅由权利要求的范围定义。
用于说明本实用新型的实施例的附图中所公开的形状、尺寸、比例、角度、数量等是示例性的，因此本实用新型不限于所图示的事项。在说明书全文中，相同的附图标记指代相同的构成要素。另外，在对本实用新型进行说明时，当对于相关公知技术的具体说明被判断为会不必要地混淆本实用新型的主旨时，省略其详细说明。当使用本说明书中提及的“包括”、“具有”、“构成”等时，可以进一步包括其他部分，除非使用了“仅～”。当以单数表示构成要素时，还包括复数的情况，除非有特别明示的记载事项。
在对构成要素进行解释时，即使没有单独的明示的记载，也解释为包括误差范围。
对于位置关系的说明，例如，当使用“在～上”、“在～上部”、“在～下部”、“在～旁边”等对两个部分的位置关系进行说明时，也可以是两个部分之间可以存在一个以上的其他部分，除非使用了“就”或“直接”。
对于时间关系的说明，例如，当使用“在～后”、“接着～”、“在～之后”、“在～前”等对时间上的先后关系进行说明时，也可以包括不连续的情况，除非使用了“就”或“直接”。
第一、第二等用于描述多个构成要素，但这些构成要素不限于这些术语。这些术语仅用于区分一个构成要素与另一个构成要素。因此，以下提及的第一构成要素在本实用新型的技术思想内也可以是第二构成要素。
本实用新型的多个实施例的各个特征能够部分或全部彼此结合或组合，能够在技术上存在多种联动及驱动，并且各个实施例既能够彼此独立地实施，也能够以关联关系共同实施。
以下，参照附图对与本实用新型的基板处理装置有关的实施例进行具体说明。本实用新型的基座包括在本实用新型的基板处理装置中，因此，在对与本实用新型的基板处理装置有关的实施例进行说明时，一同进行说明。
参照图1，本实用新型的基板处理装置100用于对基板s进行处理工艺。所述基板s可以是玻璃基板、硅基板、金属基板等。本实用新型的基板处理装置100能够进行在所述基板s上蒸镀薄膜的蒸镀工艺、去除蒸镀于所述基板s上的薄膜的一部分的蚀刻工艺等。以下，以进行所述蒸镀工艺的实施例为准，说明本实用新型的基板处理装置100，但本领域技术人员知晓能够由此推导出本实用新型的基板处理装置100进行所述蚀刻工艺等其他处理工艺的实施例。
本实用新型的基板处理装置100可以包括基板支撑部110、腔室120、盖130以及气体喷射部140。
参照图1，所述基板支撑部110设置于所述腔室120内。所述基板支撑部110用于支撑所述基板s。所述基板支撑部110能够支撑至少一个基板s。图1中示出了所述基板支撑部110支撑四个基板s，但这是示例性的，所述基板支撑部110可以支撑一至三个基板s或五个以上的基板s。所述基板支撑部110可以位于所述气体喷射部140的下部。所述基板支撑部110可以整体上呈圆筒形态，但不限于此，只要能够支撑所述基板s，也可以形成为其他形态。
所述基板支撑部110可以结合有旋转部(未图示)及升降部(未图示)。所述旋转部用于使所述基板支撑部110旋转。随着所述旋转部旋转所述基板支撑部110，所述基板s能够依次移动到所述腔室120的隔开的预定区域。从而能够对所述基板s进行所述蒸镀工艺。所述升降部用于使所述基板s升降。所述升降部能够使所述基板s沿上侧方向(ud箭头方向，示于图1中)及下侧方向(dd箭头方向)移动。所述上侧方向(ud箭头方向)可以是从所述基板支撑部110朝向所述盖130的方向。所述下侧方向(dd箭头方向)可以是与所述上侧方向(ud箭头方向)相反的方向。
参照图1及图2，所述基板支撑部110可以包括本实用新型的基座1。本实用新型的基座1可以以位于所述基板支撑部110与所述盖130之间的方式结合于所述基板支撑部110。即，本实用新型的基座1可以结合于所述基板支撑部110的上表面110a。所述基板s可以放置于本实用新型的基座1并且被所述基板支撑部110支撑。本实用新型的基座1可以与所述基板支撑部110形成为一体。本实用新型的基座1可以从所述基板支撑部110的上表面110a沿所述上侧方向(ud箭头方向)凸出。因此，所述基板s的上表面s1(示于图5中)可以配置于从所述基板支撑部110的上表面110a沿所述上侧方向(ud箭头方向)隔开的位置。因此，本实用新型的基板处理装置100能够在工艺气体被排出到所述腔室120的外部的过程中，表现出抑制工艺气体向所述基板s的上表面s1一侧侵入的抑制力。因此，本实用新型的基板处理装置100能够提高完成所述处理工艺的基板s的品质。
所述基板支撑部110可以包括多个本实用新型的基座1。图1中示出了所述基板支撑部110包括四个本实用新型的基座1，但这是示例性的，所述基板支撑部110可以包括一至三个或五个以上的本实用新型的基座1。
所述基板支撑部110可以包括至少一个基板放置部(未图示)。所述基板放置部用于放置所述基板s。所述基板放置部可以包括下文描述的基底支撑面31和基底倾斜面32。在本实用新型的基座1中，所述基板放置部可以以与基底3大致相同的方式实现。
参照图1，所述腔室120提供用于处理所述基板s的工艺空间。所述腔室120可以形成有所述基板s能够出入的基板出入口(未图示)。所述基板s可以收纳于所述腔室120。所述基板s能够由装载装置(未图示)通过所述基板出入口搬入到所述腔室120的内部。当完成所述处理工艺时，所述基板s能够由卸载装置(未图示)通过所述基板出入口搬出到所述腔室120的外部。所述腔室120可以结合有用于将所述工艺空间中存在的工艺气体排出到外部的排气部(未图示)。
所述盖130从所述基板支撑部110沿所述上侧方向(ud箭头方向)隔开。所述盖130可以以覆盖所述腔室120的上部的方式结合于所述腔室120。如图1所示，所述盖130及所述腔室120可以形成为六边形结构，但不限于此，也可以形成为诸如圆筒形结构、椭圆接结构、八边形等多边形结构。
所述气体喷射部140结合于所述盖130，并且向所述基板支撑部110喷射工艺气体。所述气体喷射部140能够向所述腔室120的工艺空间喷射工艺气体。所述气体喷射部140可以以沿所述上侧方向(ud箭头方向)隔开的方式结合于所述盖130。所述气体喷射部140可以包括向所述腔室120的第一区域喷射第一气体的第一气体喷射部141、向所述腔室120的第二区域喷射第二气体的第二气体喷射部142以及向所述腔室120的第三区域喷射第三气体的第三气体喷射部143。所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域为形成于所述盖130与所述基板支撑部110之间的区域，可以形成于彼此不同的位置。所述第一气体可以是用于形成蒸镀于所述基板s上的薄膜的原材料的前体。所述第二气体可以是与原材料进行反应的反应气体。所述第三气体可以是吹扫气体。
以下，参照附图对本实用新型的基座1进行具体说明。本实用新型的基座1用于放置所述基板s。本实用新型的基座1可以包括在所述基板支撑部110中。
参照图3至图5，本实用新型的基座1可以包括涂层2及基底3。
所述涂层2用于放置所述基板s。所述涂层2可以形成在所述基底3上。所述涂层2可以形成于所述基底3的上部。所述涂层2可以在所述上侧方向(ud箭头方向)上形成有用于放置所述基板s的放置槽4(示于图4中)。
所述涂层2可以通过向由碳基材料形成的所述基底3喷射硅烷(silane)气体而形成。所述涂层2能够通过所述硅烷气体与所述基底3的化学反应而由碳化硅(siliconcarbide，sic)材料形成。所述涂层2还可以由对于nf3等含氟气体的耐性优秀的材料形成。像这种具有耐氟化性特性的材料可以采用诸如氧化铝(al2o3)的铝氧化物。用作所述涂层2的氧化铝(al2o3)的热膨胀系数(coefficientofthermalexpansion：cte)约为8。
参照图3至图5，所述涂层2可以包括第一涂层21和第二涂层22。
所述第一涂层21用于支撑所述基板s。所述第一涂层21能够支撑所述基板s的下表面s2(示于图5中)。所述第一涂层21可以形成于所述基底支撑面31的上部。所述基板s的下表面s2可以是所述基板s朝向所述下侧方向(dd箭头方向)的表面。虽未图示，但所述基板s的下表面s2可以在所述下侧方向(dd箭头方向)上形成有排气槽。所述排气槽用于在完成对于所述基板s的处理工艺之后将残留的工艺气体排出到所述腔室120外部。所述排气槽可以通过从所述第一涂层21沿所述下侧方向(dd箭头方向)加工槽的方法形成。所述排气槽可以与所述放置槽4连通。所述第一涂层21可以沿垂直于所述上侧方向(ud箭头方向)和所述下侧方向(dd箭头方向)的方向具有平坦的平面。
所述第二涂层22包围所述基板s的侧面s3(示于图5中)。所述第二涂层22可以形成于所述基底倾斜面32的上部。所述基板s的侧面s3与所述基板s的上表面s1和所述基板s的下表面s2分别连接。所述第二涂层22可以从所述第一涂层21凸出预定高度，以具有预定的高度。所述第二涂层22的内侧可以形成有所述放置槽4。
所述第二涂层22可以相对于所述第一涂层21倾斜。所述第二涂层22与所述第一涂层21可以以91°至100°的角度彼此连接。即，所述基板放置部可以形成为，使得所述第一涂层21与第二涂层22以91°至100°的角度彼此连接。
所述第二涂层22的上部和下部的厚度可以彼此不同。例如，所述第二涂层22的上部的厚度可以比所述第二涂层22的下部的厚度更厚。所述第二涂层22的上部的厚度也可以比所述第二涂层22的下部的厚度更薄。
所述第二涂层22可以形成为，比所述基板s的上表面s1更向所述上侧方向(ud箭头方向)凸出。即，所述第二涂层22的高度可以比所述基板s的高度更高。因此，与所述第二涂层22的高度比所述基板s的高度低的比较例相比，本实用新型的基座1能够减小在对所述基板s进行处理工艺的过程中所述基板s向外侧滑动的可能性。因此，本实用新型的基座1能够提高对于所述处理工艺的稳定性。所述基板s的高度可以是所述基板s的侧面s3的长度。
参照图4及图5，所述第二涂层22可以包括涂层倾斜面221及凸出部件222。
所述涂层倾斜面221连接于所述第一涂层21。所述涂层倾斜面221可以以与所述第一涂层21形成钝角的方式连接于所述第一涂层21。例如，所述涂层倾斜面221与所述第一涂层21可以以91°至100°的角度彼此连接。所述涂层倾斜面221可以整体上从与所述第一涂层21连接的连接点cp位于所述基板s的外侧。所述基板s的外侧可以是从所述放置槽4朝向所述第二涂层22的方向。
所述凸出部件222朝向所述基板s的内侧凸出。所述基板s的内侧可以是从所述第二涂层22朝向所述放置槽4的方向。所述凸出部件222可以是在所述基底3上形成所述涂层2的过程中，通过所述硅烷气体与所述基底3的化学反应而形成的。所述凸出部件222可以位于所述涂层倾斜面221的所述上侧方向(ud箭头方向)一侧。所述凸出部件222可以连接于所述涂层倾斜面221。
由于所述凸出部件22，所述第二涂层22的上部厚度比下部的厚度更厚。例如，所述第二涂层22可以沿着上侧方向(ud箭头方向)厚度逐渐增加。所述第二涂层22的下部可以形成有所述涂层倾斜面221。所述第二涂层22的上部可以形成有所述凸出部件222。虽未图示，但所述凸出部件222可以包括连接于所述涂层倾斜面221的凸出面。所述凸出面可以具有朝向所述基板s的内侧弯曲的曲面。
本实用新型的基座1可以整体上朝向所述基板s的外侧倾斜，以使所述凸出部件222从所述基板s的侧面s3隔开。因此，本实用新型的基座1能够增加所述凸出部件222与所述基板s之间的隔开距离。因此，本实用新型的基座1能够在对所述基板s进行处理工艺的过程中，减小所述凸出部件222与所述基板s碰撞的可能性，从而能够提高经过处理工艺的基板s的品质。
参照图5，所述凸出部件222可以形成为，比所述连接点cp更向外侧隔开。具体地，所述凸出部件222可以位于以经过所述连接点cp的垂线vl(示于图5中)为基准的外侧。在图5中以虚线示出的所述垂线vl可以是垂直于所述第一涂层21的方向，同时，可以是分别平行于所述上侧方向(ud箭头方向)和所述下侧方向(dd箭头方向)的方向。
因此，本实用新型的基座1能够达到以下效果。
第一，本实用新型的基座1能够实现为，避免所述凸出部件222以所述垂线vl为基准凸出到所述基板s的内侧。因此，本实用新型的基座1能够增加所述凸出部件222与所述基板s之间的隔开距离，从而能够减小在对所述基板s进行处理工艺的过程中，所述凸出部件222与所述基板s碰撞的可能性。
第二，本实用新型的基座1能够利用研磨剂(未图示)容易地去除形成在位于所述凸出部件222的下部的所述涂层倾斜面221的杂质。这是因为，朝向所述凸出部件222的研磨剂的研磨表面通常平行于所述垂线vl，但在所述凸出部件222以所述垂线vl为基准凸出到所述基板s的内侧时，所述研磨表面无法与所述涂层倾斜面221接触。因此，本实用新型的基座1能够降低利用所述研磨剂的研磨工艺的难度。所述研磨剂可由金刚石(diamond)等形成。
参照图5，以所述垂线vl为基准时，放置在所述涂层2上的所述基板s可以向内侧隔开。因此，本实用新型的基座1能够在对所述基板s进行处理工艺的过程中，减小所述凸出部件222与所述基板s碰撞的可能性。
参照图4及图5，所述涂层2可以包括涂层上表面23。所述涂层上表面23可以是所述涂层2的朝向所述上侧方向(ud箭头方向)的表面。所述涂层上表面23可以相对于所述第二涂层22位于所述上侧方向(ud箭头方向)一侧。所述涂层2可以连接于所述凸出面。
参照图5，所述涂层2可以包括隔开部24。
所述隔开部24形成于所述凸出部件222与所述基板s的侧面s3之间。所述隔开部24可以是用于使所述凸出部件222与所述基板s的侧面s3之间隔开的槽(groove)。所述隔开部24的外侧可以配置有所述第二涂层22。所述隔开部24可以在所述放置槽4的外侧与所述放置槽4连通。所述隔开部24的尺寸可以沿着所述上侧方向(ud箭头方向)逐渐增大。
所述隔开部24可以包括第一隔开槽241和第二隔开槽242。
所述第一隔开槽241形成于所述连接点cp与所述凸出部件222之间。所述第一隔开槽241形成于所述垂线vl与所述第二涂层22之间，从而能够使所述垂线vl与所述凸出部件222隔开。所述第一隔开槽241的尺寸可以沿着所述上侧方向(ud箭头方向)逐渐增大。
所述第二隔开槽242与所述第一隔开槽241连通。所述第二隔开槽242可以形成于所述连接点与所述基板s的侧面s3之间。具体地，所述第二隔开槽242形成于所述基板s的侧面s3与所述垂线vl之间，能够使所述基板s的侧面s3与所述垂线vl隔开。所述第二隔开槽242可以相对于所述第一隔开槽241位于内侧。
参照图4及图5，所述基底3用于支撑基板。所述基底3可以形成在所述涂层2的所述下侧方向(dd箭头方向)上。所述基底3能够通过支撑所述涂层2来支撑所述基板s。所述基底3构成本实用新型的基座1的骨架，由碳基材料形成。具体地，所述基底3可以由包含石墨(graphite)的材料形成。用作所述基底3的石墨的热膨胀系数约为0.4～4.3。
参照图4及图5，所述基底3可以包括基底支撑面31和基底倾斜面32。
所述基底支撑面31支撑所述第一涂层21。所述基底支撑面31可以沿垂直于所述上侧方向(ud箭头方向)和所述下侧方向(dd箭头方向)的方向具有平坦的平面。
所述基底倾斜面32连接于所述基底支撑面31。所述基底倾斜面32可以包围所述基板s的侧面s3。所述基底倾斜面32能够支撑所述第二涂层22。所述基底倾斜面32可以以形成台阶的方式连接于所述基底支撑面31。所述基底倾斜面32能够起到用于放置所述基板s的凹槽(pocket)的外围台阶部的作用。
所述基底倾斜面32可以相对于所述基底支撑面31倾斜。所述基底倾斜面32可以相对于所述基底支撑面31朝向所述基板s的外侧倾斜。所述基底倾斜面32与所述基底支撑面31之间的夹角θ(示于图4及图5中)可以呈91°至100°。这样，在本实用新型的基座1中，所述基底倾斜面32与所述基底支撑面31形成钝角，从而能够在所述基底3上形成所述涂层2的过程中，减小所述凸出部件222朝向所述基板s的内侧凸出的程度。
所述基底支撑面31与所述基底倾斜面32之间的夹角θ可以大于所述第一涂层21与所述第二涂层22之间的夹角。即，在本实用新型的基座1中，可以在所述基底3上形成所述涂层2的过程中，使所述第二涂层22相对于所述第一涂层21倾斜的程度比所述基底倾斜面32相对于所述基底支撑面31倾斜的程度更小。例如，所述第一涂层21与所述第二涂层22之间的夹角可以呈比所述基底支撑面31与所述基底倾斜面32之间的夹角θ小的91°至95°。
参照图4及图5，所述基底3可以包括基底上表面33。所述基底上表面33可以是所述基底3朝向所述上侧方向(ud箭头方向)的表面。所述基底上表面33可以相对于所述基底倾斜面32位于所述上侧方向(ud箭头方向)一侧。所述基底上表面33能够支撑所述涂层上表面23。
以下，参照附图对本实用新型的基座制造方法进行具体说明。
参照图6，本实用新型的基座制造方法可以包括形成基底的步骤s100及形成涂层的步骤s200。
所述形成基底的步骤s100可以在用于制造本实用新型的基座1的制造空间(未图示)中由用于研磨包含石墨的材料的研磨装置(未图示)进行。所述形成基底的步骤s100也可以在用于制造本实用新型的基座1的制造空间中通过喷射包含石墨的材料来进行。此时，所述形成基底的步骤s100可以由用于喷射包含石墨的材料的第一气体喷射装置(未图示)进行。
所述形成涂层的步骤s200是在所述基底3上形成所述涂层2。所述形成涂层的步骤s200可以通过向所述基底3喷射硅烷气体来进行。所述形成涂层的步骤s200可以由用于向所述基底3喷射硅烷气体的第二气体喷射装置(未图示)进行。所述形成涂层的步骤s200可以在所述形成基底的步骤s100之后进行。
参照图6，所述形成基底的步骤s100可以包括形成基底支撑面的步骤s110及形成基底倾斜面的步骤s120。
所述形成基底支撑面的步骤s110是形成用于支撑所述基板s的所述基底支撑面31。所述形成基底支撑面的步骤s110可以由所述研磨装置进行。随着所述形成基底支撑面的步骤s110的进行，能够形成沿分别垂直于所述上侧方向(ud箭头方向)和所述下侧方向(dd箭头方向)的方向具有平坦的平面的所述基底支撑面31。
所述形成基底倾斜面的步骤s120是形成连接于所述基底支撑面31的所述基底倾斜面32。所述形成基底倾斜面的步骤s120可以由所述研磨装置进行。随着所述形成基底倾斜面的步骤s120的进行，能够形成与所述基底支撑面31呈91°至100°的角度的所述基底倾斜面32。
所述形成基底倾斜面的步骤s120与所述形成基底支撑面的步骤s110之间没有特别的顺序。可以是所述形成基底倾斜面的步骤s120和所述形成基底支撑面的步骤s110同时进行，也可以是所述形成基底支撑面的步骤s110先于所述形成基底倾斜面的步骤s120进行。
参照图6，所述形成涂层的步骤s200可以包括形成第一涂层的步骤s210及形成第二涂层的步骤s220。
所述形成第一涂层的步骤s210是形成用于放置所述基板s的所述第一涂层21的步骤。随着所述形成第一涂层的步骤s210的进行，能够在所述基底支撑面31的上部形成所述第一涂层21。所述形成第一涂层的步骤s210可以由所述第二气体喷射装置进行。随着所述形成第一涂层的步骤s210的进行，能够在所述基底支撑面31上形成所述第一涂层21。
所述形成第二涂层的步骤s220是形成包围所述基板s的侧面s3的所述第二涂层22。随着所述形成第二涂层的步骤s220的进行，所述基底倾斜面32的上部能够形成所述第二涂层22。所述形成第二涂层的步骤s220可以由所述第二气体喷射装置进行。
所述形成第二涂层的步骤s220与所述形成第一涂层的步骤s210之间没有特别的顺序。可以是所述形成第一涂层的步骤s210与所述形成第二涂层的步骤s220同时进行，也可以是所述形成第一涂层的步骤s210先于所述形成第二涂层的步骤s220进行。
参照图6，所述形成第二涂层的步骤s220可以包括形成涂层倾斜面的步骤s221及形成凸出部件的步骤s222。
所述形成涂层倾斜面的步骤s221是形成与所述第一涂层21连接的涂层倾斜面221。所述形成涂层倾斜面的步骤s221可以由所述第二气体喷射装置进行。随着所述形成涂层倾斜面的步骤s221的进行，能够形成与所述第一涂层21形成钝角的所述涂层倾斜面221。
所述形成凸出部件的步骤s222是形成朝向所述基板s的内侧凸出的所述凸出部件222。所述形成凸出部件的步骤s222可以由所述第二气体喷射装置进行。随着所述形成凸出部件的步骤s222的进行，所述凸出部件222能够从所述垂线vl位于所述基板s的外侧。
所述形成凸出部件的步骤s222与所述形成涂层倾斜面的步骤s221之间没有特别的顺序。可以是所述形成凸出部件的步骤s222与所述形成涂层倾斜面的步骤s221同时进行，也可以是所述形成涂层倾斜面的步骤s221先于所述形成凸出部件的步骤s222进行。
以下，对本实用新型的基板支撑部制造方法进行说明。
本实用新型的基板支撑部制造方法可以包括准备用于制造基底的母材的步骤及形成基板放置部的步骤。
所述准备母材的步骤是准备用于制造基底3的母材，该基底3用于放置一个以上的基板s。所述母材可以由包含石墨的材料形成。所述准备母材的步骤可以通过在用于制造所述基板支撑部110的制造空间中放置所述母材来进行。
所述形成基板放置部的步骤是形成包括所述基底支撑面31和所述基底倾斜面32的一个以上的基板放置部。所述形成基板放置部的步骤可以在所述准备母材的步骤之后进行。所述形成基板放置部的步骤可以由所述研磨装置进行。所述形成基板放置部的步骤可以以与所述形成基底的步骤s100大致相同的方式进行。
随着所述形成基板放置部的步骤的进行，所述基板放置部能够形成为，使得基底支撑面与基底倾斜面以91°至100°的角度彼此连接。
本实用新型的基板支撑部制造方法可以包括对基底进行涂布的步骤。
所述对基底进行涂布的步骤是对包括所述基板放置部的基底3进行涂布。所述对基底进行涂布的步骤可以在所述形成基板放置部的步骤之后进行。所述对基底进行涂布的步骤可以以与所述形成涂层的步骤s200大致相同的方式实现。
所述对基底进行涂布的步骤可以包括所述形成第一涂层的步骤s210及所述形成第二涂层的步骤s220。随着所述形成第一涂层的步骤s210及所述形成第二涂层的步骤s220的进行，所述第一涂层21与所述第二涂层22能够以91°至100°的角度彼此连接。上面对所述形成第一涂层的步骤s210及所述形成第二涂层的步骤s220进行了描述，因此省略具体说明。
本实用新型的基板支撑部制造方法可以包括砂磨(sanding)步骤。
所述砂磨步骤是用于去除所述涂层2的瑕疵并使所述涂层2的表面光滑。所述砂磨步骤也可以是用于去除所述基底3的瑕疵并使所述基底3的表面光滑。所述砂磨步骤可以在所述对基底进行涂布的步骤之后进行。所述砂磨步骤可以由所述研磨装置进行。
以上说明的本实用新型不限于前述的实施例及附图，本领域技术人员知晓能够在不脱离本实用新型的技术思想的范围内，进行多种替换、变形以及变更。
1.一种基座，其特征在于，包括：
基底，用于支撑基板；以及
涂层，形成在所述基底上，用于放置基板，
其中，所述涂层包括：第一涂层，支撑所述基板；以及第二涂层，形成为包围所述基板的侧面，
所述第二涂层包括：涂层倾斜面，与所述第一涂层以形成钝角的方式连接；以及凸出部件，位于所述涂层倾斜面的上部并朝向所述基板的内侧凸出，
所述凸出部件朝向所述基板的外侧倾斜，以便从所述基板的侧面隔开。
2.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，
所述基底包括：基底支撑面，支撑所述第一涂层；以及基底倾斜面，连接于所述基底支撑面，
所述基底倾斜面与所述基底支撑面之间的夹角为91°至100°。
3.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，
所述凸出部件形成为，比连接着所述第一涂层和所述涂层倾斜面的连接点更向外侧隔开。
4.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，
所述涂层上形成有连接着所述第一涂层和所述涂层倾斜面的连接点，
所述凸出部件位于以垂直于所述第一涂层且经过所述连接点的垂线为基准的外侧。
5.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，
所述涂层上形成有连接着所述第一涂层和所述涂层倾斜面的连接点，
以垂直于所述第一涂层且经过所述连接点的垂线为基准时，放置在所述涂层上的基板向内侧隔开。
6.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，
所述第二涂层形成为，比所述基板的上表面更向上侧方向凸出。
7.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，
所述涂层包括隔开部，所述隔开部形成于所述凸出部件与所述基板的侧面之间，以使所述凸出部件与所述基板的侧面之间隔开。
8.根据权利要求7所述的基座，其特征在于，
所述涂层上形成有连接着所述第一涂层和所述涂层倾斜面的连接点，
所述隔开部包括：
第一隔开槽，形成于所述连接点与所述凸出部件之间；以及
第二隔开槽，形成于所述连接点与所述基板的侧面之间，且与所述第一隔开槽连通。
9.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，
所述第二涂层的上部的厚度比下部的厚度更厚。
10.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
腔室，提供用于处理基板的工艺空间；
基板支撑部，包括权利要求1至9中任一项所述的基座；
盖，从所述基板支撑部隔开；以及
气体喷射部，结合于所述盖，向所述基板支撑部喷射用于进行基板处理工艺的工艺气体。
11.一种基板支撑部，其特征在于，包括：
基板；
一个以上的基板放置部，包括支撑所述基板的基底支撑面和包围所述基板的侧面的基底倾斜面；以及
涂层，包括形成于所述基底支撑面的上部的第一涂层和形成于所述基底倾斜面的上部的第二涂层，
其中，所述基板放置部形成为，使得所述第一涂层与第二涂层以91°至100°的角度彼此连接。
12.根据权利要求11所述的基板支撑部，其特征在于，
所述第二涂层的上部与下部的厚度彼此不同。
13.根据权利要求11所述的基板支撑部，其特征在于，
所述第二涂层的上部的厚度比所述第二涂层的下部的厚度更厚。
14.根据权利要求11所述的基板支撑部，其特征在于，
所述基底支撑面与所述基底倾斜面之间的夹角大于所述第一涂层与所述第二涂层之间的夹角。
15.一种基板支撑部，其特征在于，包括：
腔室；
气体喷射部，向所述腔室的工艺空间供给工艺气体；以及
基板支撑部，位于所述气体喷射部的下部，
其中，所述基板支撑部包括：
一个以上的基板放置部，包括支撑所述基板的基底支撑面和包围所述基板的侧面的基底倾斜面；以及
涂层，包括形成于所述基底支撑面的上部的第一涂层和形成于所述基底倾斜面的上部的第二涂层，
所述基板放置部形成为，使得所述第一涂层与第二涂层以91°至100°的角度彼此连接。
技术总结