一种晶圆表面温度一致的加热装置的制作方法

专利2022-05-09  38


本实用新型涉及半导体技术领域,具体为一种晶圆表面温度一致的加热装置。



背景技术:

在半导体制作过程中,要加热一晶圆(wafer),其是利用一晶圆加热装置,以对晶圆进行加热,而晶圆加热的目的在于化学气相沉积(chemicalvapordeposition,cvd),其是为了沉积(deposit)一些积体电路所需要的薄膜(oxidefilm),但为了使晶圆能达到均温及减少热应力,使晶圆能有较佳的均温性,故晶圆加热装置具有相当的影响性。

例如公开号为“cn201920528620.0”专利名称为:“晶圆加热装置”的专利,其公开了“包括用于加热晶圆的热板、设置在所述热板上且用于固定晶圆的承载结构,所述承载结构远离所述热板的一端端面与所述热板表面形成的夹角可调节、所述承载结构在所述热板的轴向方向上可伸缩,由于承载结构在热板的轴向方向上可伸缩,使得在晶圆加热装置的使用过程中,承载结构能够伸缩至预设高度,以改变固定在承载结构上的待加热晶圆与热板之间的间距;又由于承载结构远离热板的一端端面与热板表面形成的夹角可调节,而晶圆是固定于承载结构远离热板的一端端面的,也就是说,此种结构的设置能够在晶圆相对于热板倾斜放置时,与晶圆抵接的承载结构的端面能够自动调节倾斜角度以与晶圆的倾斜角度保持一致,从而确保了晶圆与承载结构端面具有足够的接触面积,有效的避免了“晶圆倾斜放置而导致晶圆与承载结构的接触面积变小,使得晶圆无法稳定的固定在承载结构上”的情况的发生,使得晶圆能够稳定的倾斜放置于晶圆加热装置上,从而使晶圆在加热过程中的各个位置的受热温度均不相同,由于附着在晶圆表面的光刻胶膜的厚度会随着受热温度的变化而变化,因此使用此种晶圆加热装置能够在晶圆上形成厚度不一的光刻胶膜。,所述承载结构包括设置在所述热板上且具有第一收容空间的本体部、固定于所述第一收容空间内的运动部,所述本体部与所述运动部中的至少一者在所述热板的轴向方向上可伸缩,所述运动部与所述热板表面形成的夹角可调节。通过此种方式,制作人员可以根据实际需求制作可伸缩的本体部和/或运动部,使得晶圆加热装置的制作过程更加灵活”。

现有的晶圆加热装置,在使用时容易出现加热温度不一致,一旦晶圆加热不均匀会给后期的生产及测试带来较大不便,甚至会影响产品的质量。



技术实现要素:

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种使用方便的晶圆表面温度一致的加热装置。

(二)技术方案

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:

一种晶圆表面温度一致的加热装置,包括固定板,所述固定板顶端两侧设置有支撑柱,支撑柱顶端设置有顶板,所述固定板底端两侧设置有支脚,固定板上设置有气缸,气缸顶端设置有安装板,所述安装板上设置有伸缩杆,伸缩杆顶端设置有放置盘,所述放置盘内部设置有第二加热件,放置盘外壁设置有凹槽,所述第二加热件设置有温度传感器,第二加热件顶端设置有导热板,所述顶板底端设置有安装柱,安装柱上设置有第一加热件,所述第一加热件底端设置有上盘,所述固定板上设置有控制器。

为了实现更好的控制,本实用新型改进有,所述控制器与第一加热件和第二加热件电性连接,所述温度传感器与控制器电性连接。

为了实现更好的使用,本实用新型改进有,所述第一加热件与第二加热件均为电阻丝加热器。

为了实现更好的加热,本实用新型改进有,所述上盘内两侧设置有插板,所述插板与凹槽相适配。

为了实现更好的配合,本实用新型改进有,所述放置盘与上盘位置相对应。

为了实现更好的导热,本实用新型改进有,所述导热板上设置有通孔,所述通孔设置有数个,并等间距均匀的设置导热板上。

(三)有益效果

与现有技术相比,本实用新型提供了一种晶圆表面温度一致的加热装置,具备以下有益效果:

该晶圆表面温度一致的加热装置,在使用时,将晶圆放置在导热板(上,然后气缸带动伸缩杆使放置盘进行上升,使上盘通过插板导入凹槽内部,上盘与放置盘相连接,所述的第二加热件通过导热板对晶圆底端设置进行加热,第一加热件在上盘内部对晶圆上部进行加热,使加热温度保持一致,并且通过导热板上设置的通孔使晶圆加热使更加均匀,提高加热装置的实用性和温度一致性。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图;

图2为本实用新型图1中的连接结构示意图;

图3为本实用新型图1中15处的放大结构示意图;

图4为本实用新型图1中7处的放大结构示意图;

图中:1.固定板;2.支撑柱;3.顶板;4.支腿;5.安装柱;6.第一加热件;7.上盘;8.气缸;9.安装板;10.伸缩杆;11.放置盘;12.凹槽;13.第二加热件;14.温度传感器;15.导热板;16.控制器;17.通孔;18.插板。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-4,一种晶圆表面温度一致的加热装置,包括固定板1,所述固定板1顶端两侧设置有支撑柱2,支撑柱2顶端设置有顶板3,所述固定板1底端两侧设置有支脚,固定板1上设置有气缸8,气缸8顶端设置有安装板9,所述安装板9上设置有伸缩杆10,伸缩杆10顶端设置有放置盘11,所述放置盘11内部设置有第二加热件13,放置盘11外壁设置有凹槽12,所述第二加热件13设置有温度传感器14,第二加热件13顶端设置有导热板15,所述顶板3底端设置有安装柱5,安装柱5上设置有第一加热件6,所述第一加热件6底端设置有上盘7,所述固定板1上设置有控制器16。

为了实现更好的控制,本实用新型改进有,所述控制器16与第一加热件6和第二加热件13电性连接,所述温度传感器14与控制器16电性连接。

为了实现更好的使用,本实用新型改进有,所述第一加热件6与第二加热件13均为电阻丝加热器。

为了实现更好的加热,本实用新型改进有,所述上盘7内两侧设置有插板18,所述插板18与凹槽12相适配。

为了实现更好的配合,本实用新型改进有,所述放置盘11与上盘7位置相对应。

为了实现更好的导热,本实用新型改进有,所述导热板15上设置有通孔17,所述通孔17设置有数个,并等间距均匀的设置导热板15上。

综上所述,该晶圆表面温度一致的加热装置的工作原理和工作过程为,在使用时,首先将需要加热的晶圆放置在导热板15上,气缸8带动伸缩杆10使放置盘11进行上升,使放置盘11的凹槽12与上盘7的插板18相连,所述的第二加热件13通过导热板15对晶圆底端设置进行加热,第一加热件6在上盘7内部对晶圆上部进行加热,使加热温度保持一致,并且通过导热板15上设置的通孔17使晶圆加热使更加均匀,提高加热装置的实用性和温度一致性,在第一加热件6上设置的温度传感器14可以对温度进行实时检测并将数值传输至控制器16上,通过控制可以观察加热温度的高低,并通过控制器16可以调整第一加热件6和第二加热件13的加热温度,提高了加热装置的实用性。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。


技术特征:

1.一种晶圆表面温度一致的加热装置,其特征在于:包括固定板(1),所述固定板(1)顶端两侧设置有支撑柱(2),支撑柱(2)顶端设置有顶板(3),所述固定板(1)底端两侧设置有支脚,固定板(1)上设置有气缸(8),气缸(8)顶端设置有安装板(9),所述安装板(9)上设置有伸缩杆(10),伸缩杆(10)顶端设置有放置盘(11),所述放置盘(11)内部设置有第二加热件(13),放置盘(11)外壁设置有凹槽(12),所述第二加热件(13)设置有温度传感器(14),第二加热件(13)顶端设置有导热板(15),所述顶板(3)底端设置有安装柱(5),安装柱(5)上设置有第一加热件(6),所述第一加热件(6)底端设置有上盘(7),所述固定板(1)上设置有控制器(16)。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆表面温度一致的加热装置,其特征在于:所述控制器(16)与第一加热件(6)和第二加热件(13)电性连接,所述温度传感器(14)与控制器(16)电性连接。

3.根据权利要求2所述的一种晶圆表面温度一致的加热装置,其特征在于:所述第一加热件(6)与第二加热件(13)均为电阻丝加热器。

4.根据权利要求1所述的一种晶圆表面温度一致的加热装置,其特征在于:所述上盘(7)内两侧设置有插板(18),所述插板(18)与凹槽(12)相适配。

5.根据权利要求4所述的一种晶圆表面温度一致的加热装置,其特征在于:所述放置盘(11)与上盘(7)位置相对应。

6.根据权利要求1所述的一种晶圆表面温度一致的加热装置,其特征在于:所述导热板(15)上设置有通孔(17),所述通孔(17)设置有数个,并等间距均匀的设置导热板(15)上。

技术总结
一种晶圆表面温度一致的加热装置,包括固定板,所述固定板顶端两侧设置有支撑柱,支撑柱顶端设置有顶板,所述固定板底端两侧设置有支脚,固定板上设置有气缸,气缸顶端设置有安装板,所述安装板上设置有伸缩杆,伸缩杆顶端设置有放置盘,所述放置盘内部设置有第二加热件,放置盘外壁设置有凹槽,在使用时,将晶圆放置在导热板上,然后气缸带动伸缩杆使放置盘进行上升,使上盘通过插板导入凹槽内部,上盘与放置盘相连接,所述的第二加热件通过导热板对晶圆底端设置进行加热,第一加热件在上盘内部对晶圆上部进行加热,使加热温度保持一致,并且通过导热板上设置的通孔使晶圆加热使更加均匀,提高加热装置的实用性和温度一致性。

技术研发人员:钟兴进
受保护的技术使用者:广州市鸿浩光电半导体有限公司
技术研发日:2020.12.09
技术公布日:2021.08.03

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