一种集成器件及其制造方法与流程

1.本发明涉及电路板制造技术领域，尤其涉及一种集成器件及其制造方法。


背景技术：

2.在电子行业中，芯片、电路板等电子元件之间通常采用焊接(bga)或导电胶连接。焊接虽然具有连接可靠的优点，但同时也存在不能反复拆装的缺点，若焊接过程出现操作失误，或是焊接后出现导电不良等问题，焊接的电子元件就只能耗费更多资源返工或直接报废，从而造成材料浪费和成本提高；导电胶连接虽然相对于焊接而言更容易实施，且便于返工维修，但由于导电胶自身存在的一些问题，以及受气候、老化、应力应变等外部因素的影响，导电胶的导电性能不够稳定，因此，采用导电胶连接的电子元件之间容易出现电路中断或信号失真的问题。


技术实现要素：

3.本发明实施例的一个目的在于：提供一种集成器件，其可拆卸，维护成本低，且导电性能好。
4.本发明实施例的另一个目的在于：提供一种集成器件的制造方法，其生产效率高。
5.为达此目的，本发明实施例采用以下技术方案：
6.第一方面，提供一种集成器件，包括：
7.器件本体，所述器件本体至少包括两个间隔设置的电路板，两个所述电路板之间设置连接器，所述连接器包括绝缘体，所述绝缘体靠近所述电路板的一侧面设置若干导电体，所述电路板靠近所述绝缘体的一侧面设置有与所述导电体数量相等且位置对应的焊盘，所述导电体与所述焊盘抵接实现电导通，所述绝缘体相对的两侧面的两个所述导电体通过导电介质电导通，所述器件本体上沿其厚度方向贯穿开设有通孔；
8.热熔柱，所述热熔柱安装于所述通孔，所述热熔柱的两端分别延伸至凸出于所述器件本体相对的两侧面，所述热熔柱的端部热熔形成限位部，两个所述限位部夹紧所述器件本体。
9.作为集成器件的一种优选方案，所述热熔柱的外壁上凸出设置有限位凸起，所述限位凸起邻近于所述热熔柱的其中一个端部，所述热熔柱在热熔形成所述限位部前，所述限位凸起抵接所述器件本体的厚度方向的其中一个侧面。
10.作为集成器件的一种优选方案，所述热熔柱的外壁上环形设置有多个所述限位凸起。
11.作为集成器件的一种优选方案，所述通孔的孔壁上凹设有防转凹槽，所述防转凹槽沿所述器件本体的厚度方向贯穿所述器件本体，所述热熔柱的外壁上凸出设置有防转凸部，所述防转凸部与所述防转凹槽插接配合；或，
12.所述热熔柱的外壁上凹设有所述防转凹槽，所述防转凹槽沿所述热熔柱的长度方向贯穿所述热熔柱，所述通孔的孔壁上凸出设置有所述防转凸部，所述防转凸部与所述防
转凹槽插接配合。
13.作为集成器件的一种优选方案，所述器件本体上至少设置三个所述热熔柱，至少三个所述热熔柱形成一个固定平面。
14.作为集成器件的一种优选方案，所述器件本体呈矩形，所述器件本体的四角位均设置所述热熔柱。
15.作为集成器件的一种优选方案，所述热熔柱呈锥形，所述通孔为与所述热熔柱相匹配的锥形孔。
16.作为集成器件的一种优选方案，位于所述绝缘体同侧面的相邻两个所述导电体之间设置有胶膜层，所述胶膜层与所述电路板粘接。
17.作为集成器件的一种优选方案，所述电路板靠近所述绝缘体的一侧面设置有元器件，所述绝缘体设置有用于容置所述元器件的容置孔或容置槽。
18.作为集成器件的一种优选方案，所述焊盘和/或所述导电体上设置有凸起部。
19.作为集成器件的一种优选方案，所述凸起部为规则或不规则的立体几何状。
20.作为集成器件的一种优选方案，所述凸起部的形状为尖角状、倒锥状、颗粒状、树枝状、柱状或块状。
21.作为集成器件的一种优选方案，所述凸起部的表面为规则或不规则的弧形面。
22.作为集成器件的一种优选方案，所述导电体的表面为粗糙面或平整面。
23.作为集成器件的一种优选方案，所述凸起部的材质为铜、镍、锡、铅、铬、钼、锌、金、银中的一种或多种的组合。
24.作为集成器件的一种优选方案，所述绝缘体的至少一侧面或/和所述凸起部上设有胶膜层，所述凸起部隐藏于所述胶膜层内或穿透所述胶膜层并暴露出来。
25.第二方面，提供一种集成器件的制造方法，用于制造如上所述的集成器件，包括如下步骤：
26.步骤s100、将电路板和连接器叠装形成器件本体；
27.步骤s200、将热熔柱插入到所述器件本体的通孔内，并使热熔柱的两端外露于所述器件本体；
28.步骤s300、对所述热熔柱的两端进行热熔处理，形成抵接所述器件本体的限位部。
29.作为集成器件的制造方法的一种优选方案，所述器件本体上至少设置三个所述热熔柱，至少三个所述热熔柱形成一个固定平面。
30.作为集成器件的制造方法的一种优选方案，在安装所述热熔柱时，利用机械手自动将所述热熔柱逐一安装到所述器件本体的所述通孔内。
31.作为集成器件的制造方法的一种优选方案，在安装所述热熔柱时，利用机械手自动将所有的热熔柱同时安装到所述器件本体对应的通孔内。
32.作为集成器件的制造方法的一种优选方案，所述热熔处理过程中，利用加热件逐一对所述热熔柱的端部热熔形成所述限位部。
33.作为集成器件的制造方法的一种优选方案，所述热熔处理过程中，利用加热件同时对凸出于所述器件本体一侧面的所有的所述热熔柱的端部进行热熔，然后再利用所述加热件同时对凸出于所述器件本体另一侧面的所有的所述热熔柱的端部进行热熔。
34.作为集成器件的制造方法的一种优选方案，所述热熔处理过程中，利用两个相对
的设置的加热件同时对所述器件本体两侧面的所述热熔柱的端部进行热熔。
35.本发明实施例的有益效果为：通过设置热熔柱，可以利用热熔形成在热熔柱端部的限位部固定住器件本体，使得电路板和连接器之间不需要焊接和螺钉连接，有效地提升了电路板和连接器的连接可靠性，当电路板上的元器件发生故障时，去除限位部即可使电路板和连接器分离，进而对电路板进行维修和更换元器件的操作，维修结束后只需要提供新的热熔柱即可对电路板和连接器重新实现连接，原电路板和连接器仍然可以使用，极大地降低了制造和维护成本。
附图说明
36.下面根据附图和实施例对本发明作进一步详细说明。
37.图1为本发明一实施例的集成器件的剖视示意图。
38.图2为本发明一实施例的器件本体与热熔柱的分解示意图。
39.图3为本发明另一实施例的集成器件的剖视示意图。
40.图4为本发明实施例的热熔柱的结构示意图。
41.图中：
42.1、器件本体；11、电路板；111、焊盘；12、连接器；121、绝缘体；122、导电体；123、导电介质；124、连接孔；13、通孔；
43.2、热熔柱；21、限位部；22、限位凸起；
44.3、胶膜层。
具体实施方式
45.为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本发明实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
46.在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
47.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
48.如图1和2所示，本发明提供一种集成器件，包括器件本体1和热熔柱2，其中，器件本体1至少包括两个间隔设置的电路板11，两个电路板11之间设置连接器12，连接器12包括绝缘体121，绝缘体121靠近电路板11的一侧面设置若干导电体122，电路板11靠近绝缘体
121的一侧面设置有与导电体122数量相等且位置对应的焊盘111，导电体122与焊盘111抵接实现电导通，绝缘体121相对的两侧面的两个导电体122通过导电介质123电导通，器件本体1上沿其厚度方向贯穿开设有通孔13，热熔柱2安装于通孔13，热熔柱2的两端分别延伸至凸出于器件本体1相对的两侧面，热熔柱2的端部热熔形成限位部21，两个限位部21夹紧器件本体1。通过设置热熔柱2，可以利用热熔形成在热熔柱2端部的限位部21固定住器件本体1，使得电路板11和连接器12之间不需要焊接和螺钉连接，有效地提升了电路板11和连接器12的连接可靠性，当电路板11上的元器件发生故障时，去除限位部21即可使电路板11和连接器12分离，进而对电路板11进行维修和更换元器件的操作，维修结束后只需要提供新的热熔柱2即可对电路板11和连接器12重新实现连接，原电路板11和连接器12仍然可以使用，极大地降低了制造和维护成本。
49.可选地，器件本体1上至少设置三个热熔柱2，至少三个热熔柱2形成一个固定平面。平面布置的至少三个热熔柱2可以增强连接器12与电路板11的连接强度，提升连接为一体的集成器件的结构稳定性。
50.在本实施例中，器件本体1呈矩形，器件本体1的四角位均设置热熔柱2。四角位布置的热熔柱2不仅固定稳定，还能避免占用电路板11的中部区域，避免热熔柱2阻碍电路板11的元器件的布置，另外，边缘布置热熔柱2的模式还可以在装配和拆卸时减少对电路板11上的元器件的损伤几率。当然，器件本体1上的热熔柱2不限于为四个，也不限于四角位布置，还可以设置三个、五个甚至更多个，以三角形、多边形或者异形的方式布置热熔柱2。另外，器件本体1的形状也不限于为矩形，还可以根据需要设置为三角形、五边形或者异形结构。
51.热熔柱2可以为圆柱形、三角柱形、方柱形等形状，对应地，器件本体1上开设的通孔13为圆孔、三角孔或方孔，热熔柱2的长度大于器件本体1的厚度。
52.在其他实施例中，热熔柱2还可以设置为锥形，热熔柱2的长度方向的两端分别为第一端和第二端，第一端和第二端均需要热熔形成限位部21，在热熔柱2在未热熔形成限位部21时，第一端的尺寸大于第二端的尺寸，通孔13的形状与热熔柱2的形状相匹配，即通孔13为锥形孔。锥形结构的热熔柱2配合锥形的通孔13，更易于安装，可以降低制造精度。
53.器件本体1的电路板11的形状和尺寸与连接器12的形状和尺寸一致，使得电路板11的边缘和连接器12的边缘平齐，每个通孔13贯穿所有的电路板11和连接器12，以配合热熔柱2实现对电路板11和连接器12的固定。
54.如图4并参照图1，为了降低热熔柱2在安装到器件本体1的通孔13的难度，所述热熔柱2的外壁上凸出设置有限位凸起22，所述限位凸起22邻近于所述热熔柱2的其中一个端部，所述热熔柱2在热熔形成所述限位部21前，所述限位凸起22抵接所述器件本体1的厚度方向的其中一个侧面。利用限位凸起22的限位作用，热熔柱2在装配到通孔13后能位于指定的位置，使得热熔柱2的两端均能伸出部分到器件本体1的外部，便于热熔形成限位部21。
55.在本实施例中，所述热熔柱2的外壁上环形设置有多个所述限位凸起22。
56.为了防止热熔柱2在通孔13内沿通孔13的轴线相对于器件本体1转动，所述通孔13的孔壁上凹设有防转凹槽，所述防转凹槽沿所述器件本体1的厚度方向贯穿所述器件本体1，所述热熔柱2的外壁上凸出设置有防转凸部，所述防转凸部与所述防转凹槽插接配合。当然，防转凹槽和防转凸部的位置还可以互换，即所述热熔柱2的外壁上凹设有所述防转凹
槽，所述防转凹槽沿所述热熔柱2的长度方向贯穿所述热熔柱2，所述通孔13的孔壁上凸出设置有所述防转凸部，所述防转凸部与所述防转凹槽插接配合。
57.可选地，热熔柱2为可热熔的塑料，比如热熔柱2为聚酰亚胺、热塑性聚酰亚胺、改性环氧树脂、改性丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚乙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯烯、聚氯乙烯、聚砜、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚苯醚、聚四氟乙烯、液晶聚合物、聚乙二酰脲中的一种或多种的组合。具体而言，热熔柱2可以是单一成分，即上述各种绝缘材质中的一种，也可以是由上述任意多种绝缘材质复合而成。另外，连接器12的绝缘体121的材质可以与热熔柱2的材质一致。
58.为了防止连接器12碰撞电路板11上的元器件，可以在绝缘体121对应电路板11上元器件的位置设置容置孔或容置槽，当连接器12与电路板11组装后，电路板11上的元器件置于此容置孔或容置槽内。
59.另外，如图3所示，位于绝缘体121同侧面的相邻两个导电体122之间设置有胶膜层3，胶膜层3与电路板11粘接。具体地，绝缘体121相对的两侧均设置此胶膜层3，位于绝缘体121两侧的电路板11与对应的胶膜层3粘接。胶膜层3具有粘接性，其可以使集成器件的连接更加稳固，不易松动和脱开。当然，为了简化工艺，本发明实施例中的胶膜层3是直接形成于连接器12的整个表面的，因此，绝缘体121两侧的表面也会形成胶膜层3。在本发明实施例中，胶膜层3优选压敏胶或热塑性胶，但根据实际应用情况的不同，胶膜层3还可以选用热固性胶等。
60.参照图3所示，连接器12的导电体122上设置有凸起部(图上未示出)。通过在导电体122上设置凸起部，能够实现两个电路板11的精准对位连接，组装精度更高，并且导电体122上设有的凸起部能够增大导电体122与焊盘111的接触面积，使得连接器12与电路板11之间的接触更加充分，从而可避免该集成器件出现电路中断或信号失真等问题；与此同时，凸起部还能够增加焊盘111与导电体122之间的摩擦力，因而在该集成器件的组装过程当中，焊盘111与导电体122之间不易发生错位，保证了两个电路板11之间电连接的可靠性。当然，凸起部不限于设置在导电体122上还可以设置在与导电体122抵接的焊盘111上，或者，导电体122和焊盘111均设置此凸起部。
61.具体地，凸起部为规则或不规则的立体几何状，例如尖角状、倒锥状、颗粒状、树枝状、柱状、块状等，并且，无论是何种形状，凸起部的自身高度h的取值范围为1至30μm，其中，2.5至15μm为最优选的范围。在此基础上，导电体122的表面设有两个或两个以上的凸起部，每个凸起部的形状可以相同或不同，每个凸起部的尺寸也可以相同或不同，也就是说，两个或两个以上的凸起部的形状可以为尖角状、倒锥状、颗粒状、树枝状、柱状、块状中的一种或多种，并且，同样形状的两个或两个以上的凸起部的尺寸可不尽相同；另外，两个或两个以上的凸起部在导电体122的表面连续或不连续地分布，例如，当两个或两个以上的凸起部的形状为尖角状且连续分布时，可形成规则的、周期性的齿纹状立体图案，抑或是不规则的、无序的齿纹状立体图案，当然，这里只是列举了其中一种情况，上述的其他形状的组合也均在本申请的保护范围内，在此就不一一列举。
62.可选地，除上述立体几何状以外，凸起部的表面还可以为规则或不规则的弧形面，并且，每个凸起部的形状可以相同或不同，每个凸起部的尺寸也可以相同或不同，也就是说，每个凸起部的弧度、高度、边缘轮廓形状等都不尽相同。在此基础上，当两个或两个以上
凸起部在导电体122的表面连续地分布时，两个或两个以上凸起部形成规则的、周期性的波纹状图案，抑或是不规则的、无序的波纹状图案。当然，这里只是列举了其中一种情况，其他类似形状的组合也均在本申请的保护范围内，在此就不一一列举。
63.可选地，导电体122的表面可以是平整面，也可以是粗糙面。需要说明的是，这里所说的平整面和粗糙面是指凸起部所在的导电体122的表面，也就是凸起部所在的基准面，而不是两个或两个以上的凸起部组成的平面。当导电体122的表面是粗糙面时，其包括凹部和凸部，凸起部既分布于凹部，也分布于凸部；当凸起部为规则或不规则的立体几何状时，任一凸部的高度h与位于该凸部上凸起部的自身高度h之和为1至30μm，当然，也可是设在凸部上的凸起部的自身高度h即为1至30μm，那么，此时凸部的高度h与位于该凸部上的凸起部的自身高度h之和大于1至30μm，从而可进一步增强该集成器件的电气连接性能。
64.可选地，如图3所示，为了便于该集成器件的组装，连接器12与电路板11之间也可以额外增加粘接结构。具体而言，凸起部上设有胶膜层3，对于每个凸起部而言，在连接器12未夹紧于两个电路板11之间时，其隐藏于胶膜层3内或穿透胶膜层3并暴露出来。基于此，在该集成器件的组装过程当中，由于胶膜层3具有流动性，因此，之前未穿透胶膜层3的凸起部，此时全都或个别穿透胶膜层3并和之前就已经穿透胶膜层3的凸起部一起与焊盘111相接触，从而使得连接器12与电路板11之间形成可靠的电连接，保证了该集成器件在增加胶膜层3后依然具有良好的导电性能。
65.可选地，凸起部的材质为铜、镍、铅、铬、钼、锌、锡、金、银中的一种或多种的组合。具体而言，凸起部可以是单一成分，即铜、镍、锡、铅、铬、钼、锌、金、银中的一种，也可以是以铜、镍、锡、铅、铬、钼、锌、金、银中的一种材质为主体，然后采用电镀、化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积等方式中的一种或多种，将除主体以外的金属中的一种或多种形成于主体的表面，由此形成复合材质的凸起部。在本发明实施例中，凸起部优选以铜为主体，镍、锡、铅、铬、钼、锌、金、银中的一种或多种金属形成于铜表面的复合材质，这是由于仅由铜构成的凸起部容易被氧化或磨损，而形成于铜表面的镍、锡、金、银可提高凸起部的耐腐蚀性和耐磨性，进而可提高连接器12的导电性能，延长连接器12的使用寿命。
66.进一步地，如图1所示，绝缘体121上贯穿开设连接孔124，连接孔124一端连接绝缘体121其中一侧面的导电体122，另一端连接绝缘体121另一侧面的导电体122，导电介质123设于连接孔124内。具体地，导电介质123附着于连接孔124的孔壁上并形成导电孔，导电孔可以为通孔，也可以为埋孔或盲孔。当然，在导电介质123的形成过程当中，操作人员也可以选择将整个连接孔124填充满导电介质123，即不形成导电孔，这样做的目的在于能够避免蚀刻液进入导电孔内，保护导电介质123不会被蚀刻。
67.可选地，本发明实施例中的导电介质123优选铜，当然也可以选用其他具有良好导电性能的材料，例如锡、银、金、石墨、铜浆、银浆、锡膏、碳纳米管等。
68.本发明实施例还公开一种集成器件的制作方法，用于制造如上任意实施例的集成器件，包括如下步骤：
69.步骤s100、将电路板11和连接器12叠装形成器件本体1；
70.步骤s200、将热熔柱2插入到所述器件本体1的通孔13内，并使热熔柱2的两端外露于所述器件本体1；
71.步骤s300、对所述热熔柱2的两端进行热熔处理，形成抵接所述器件本体1的限位
部21。
72.本发明实施例的集成器件的制作方法简单，生产效率高，且可以满足集成器件反复拆装，降低维护难度和成本。
73.在本实施例中，器件本体1上设置有至少三个热熔柱2，在安装所述热熔柱2时，利用机械手自动将所述热熔柱2逐一安装到所述器件本体1的所述通孔13内。机械手安装的方式可以实现自动化生产，提升生产效率和质量，降低操作难度和强度。
74.在其他实施例中，还可以利用机械手自动将所有的热熔柱2同时安装到所述器件本体1对应的通孔13内，此操作可以极大地提升生产效率，机械手上可以设置与热熔柱2数量对应的夹取部，每个夹取部夹取一个热熔柱2，机械手移动时，所有的热熔柱2同步移动到器件本体1的指定位置，即每一个热熔柱2对应一个通孔13的位置，然后实现一步安装到位。
75.而在热熔处理过程中，热熔柱2的处理方式至少有以下三种：
76.第一种：利用加热件逐一对所述热熔柱2的端部热熔形成所述限位部21。
77.第二种：用加热件同时对凸出于所述器件本体1一侧面的所有的所述热熔柱2的端部进行热熔，然后再利用所述加热件同时对凸出于所述器件本体1另一侧面的所有的所述热熔柱2的端部进行热熔。
78.第三种：利用两个相对的设置的加热件同时对所述器件本体1两侧面的所述热熔柱2的端部进行热熔。
79.加热件的移动和加热都可以采用自动化设备来完成，替代人工操作，提升生产效率和质量。
80.于本文的描述中，需要理解的是，术语“上”等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
81.在本说明书的描述中，参考术语“一实施例”等的描述意指结合该实施例的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例。
82.此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
83.以上结合具体实施例描述了本发明的技术原理。这些描述只是为了解释本发明的原理，而不能以任何方式解释为对本发明保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它具体实施方式，这些方式都将落入本发明的保护范围之内。

技术特征：
1.一种集成器件，其特征在于，包括：器件本体，所述器件本体至少包括两个间隔设置的电路板，两个所述电路板之间设置连接器，所述连接器包括绝缘体，所述绝缘体靠近所述电路板的一侧面设置若干导电体，所述电路板靠近所述绝缘体的一侧面设置有与所述导电体数量相等且位置对应的焊盘，所述导电体与所述焊盘抵接实现电导通，所述绝缘体相对的两侧面的两个所述导电体通过导电介质电导通，所述器件本体上沿其厚度方向贯穿开设有通孔；热熔柱，所述热熔柱安装于所述通孔，所述热熔柱的两端分别延伸至凸出于所述器件本体相对的两侧面，所述热熔柱的端部热熔形成限位部，两个所述限位部夹紧所述器件本体。2.根据权利要求1所述集成器件，其特征在于，所述热熔柱的外壁上凸出设置有限位凸起，所述限位凸起邻近于所述热熔柱的其中一个端部，所述热熔柱在热熔形成所述限位部前，所述限位凸起抵接所述器件本体的厚度方向的其中一个侧面。3.根据权利要求2所述集成器件，其特征在于，所述热熔柱的外壁上环形设置有多个所述限位凸起。4.根据权利要求1所述集成器件，其特征在于，所述通孔的孔壁上凹设有防转凹槽，所述防转凹槽沿所述器件本体的厚度方向贯穿所述器件本体，所述热熔柱的外壁上凸出设置有防转凸部，所述防转凸部与所述防转凹槽插接配合；或，所述热熔柱的外壁上凹设有所述防转凹槽，所述防转凹槽沿所述热熔柱的长度方向贯穿所述热熔柱，所述通孔的孔壁上凸出设置有所述防转凸部，所述防转凸部与所述防转凹槽插接配合。5.根据权利要求1所述集成器件，其特征在于，所述器件本体上至少设置三个所述热熔柱，至少三个所述热熔柱形成一个固定平面。6.根据权利要求5所述集成器件，其特征在于，所述器件本体呈矩形，所述器件本体的四角位均设置所述热熔柱。7.根据权利要求1所述集成器件，其特征在于，所述热熔柱呈锥形，所述通孔为与所述热熔柱相匹配的锥形孔。8.根据权利要求1至7任一项所述集成器件，其特征在于，位于所述绝缘体同侧面的相邻两个所述导电体之间设置有胶膜层，所述胶膜层与所述电路板粘接。9.根据权利要求1至7任一项所述集成器件，其特征在于，所述电路板靠近所述绝缘体的一侧面设置有元器件，所述绝缘体设置有用于容置所述元器件的容置孔或容置槽。10.根据权利要求1至7任一项所述集成器件，其特征在于，所述焊盘和/或所述导电体上设置有凸起部。11.根据权利要求10所述集成器件，其特征在于，所述凸起部为规则或不规则的立体几何状。12.根据权利要求11所述的集成器件，其特征在于，所述凸起部的形状为尖角状、倒锥状、颗粒状、树枝状、柱状或块状。13.根据权利要求10所述的集成器件，其特征在于，所述凸起部的表面为规则或不规则的弧形面。14.根据权利要求10所述的集成器件，其特征在于，所述导电体的表面为粗糙面或平整
面。15.根据权利要求10所述的集成器件，其特征在于，所述凸起部的材质为铜、镍、锡、铅、铬、钼、锌、金、银中的一种或多种的组合。16.根据权利要求10所述的集成器件，其特征在于，所述绝缘体的至少一侧面或/和所述凸起部上设有胶膜层，所述凸起部隐藏于所述胶膜层内或穿透所述胶膜层并暴露出来。17.一种集成器件的制造方法，其特征在于，用于制造如权利要求1至16任一项的集成器件，包括如下步骤：步骤s100、将电路板和连接器叠装形成器件本体；步骤s200、将热熔柱插入到所述器件本体的通孔内，并使热熔柱的两端外露于所述器件本体；步骤s300、对所述热熔柱的两端进行热熔处理，形成抵接所述器件本体的限位部。18.根据权利要求17所述的集成器件的制造方法，其特征在于，所述器件本体上至少设置三个所述热熔柱，至少三个所述热熔柱形成一个固定平面。19.根据权利要求18所述的集成器件的制造方法，其特征在于，在安装所述热熔柱时，利用机械手自动将所述热熔柱逐一安装到所述器件本体的所述通孔内。20.根据权利要求18所述的集成器件的制造方法，其特征在于，在安装所述热熔柱时，利用机械手自动将所有的热熔柱同时安装到所述器件本体对应的通孔内。21.根据权利要求18所述的集成器件的制造方法，其特征在于，所述热熔处理过程中，利用加热件逐一对所述热熔柱的端部热熔形成所述限位部。22.根据权利要求18所述的集成器件的制造方法，其特征在于，所述热熔处理过程中，利用加热件同时对凸出于所述器件本体一侧面的所有的所述热熔柱的端部进行热熔，然后再利用所述加热件同时对凸出于所述器件本体另一侧面的所有的所述热熔柱的端部进行热熔。23.根据权利要求18所述的集成器件的制造方法，其特征在于，所述热熔处理过程中，利用两个相对的设置的加热件同时对所述器件本体两侧面的所述热熔柱的端部进行热熔。
技术总结
本发明涉及电路板制造技术领域，并具体公开一种集成器件及其制造方法，其中，集成器件包括器件本体和热熔柱，器件本体至少包括两个间隔设置的电路板，两个电路板之间设置连接器，连接器包括绝缘体，绝缘体靠近电路板的一侧面设置若干导电体，电路板靠近绝缘体的一侧面设置有与导电体数量相等且位置对应的焊盘，导电体与焊盘抵接实现电导通，绝缘体相对的两侧面的两个导电体通过导电介质电导通，器件本体上沿其厚度方向贯穿开设有通孔，热熔柱安装于通孔，热熔柱的两端分别延伸至凸出于器件本体相对的两侧面，热熔柱的端部热熔形成限位部，两个限位部夹紧器件本体。本发明的集成器件可拆卸，维护成本低，且导电性好。且导电性好。且导电性好。


技术研发人员：苏陟 高强 黄郁钦 温嫦 欧艳玲
受保护的技术使用者：广州方邦电子股份有限公司
技术研发日：2019.12.24
技术公布日：2021/6/24