本申请享受以日本专利申请2020-19685号(申请日：2020年2月7日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。
本发明的实施方式涉及排气配管装置。
背景技术：
在以化学气相沉积(cvd)装置为代表的成膜装置中，将原料气体向成膜腔室内导入，在配置于成膜腔室的基板上形成期望的膜。然后，残留于成膜腔室内的原料气体经由排气配管而由真空泵排出。此时，存在由原料气体引起的生成物在排气配管内堆积而会使排气配管阻塞之类的问题、该生成物在比排气配管靠下游侧的真空泵内堆积而会使真空泵停止之类的问题。在该堆积物的除去中，实施基于远程等离子体源(rps，remoteplasmasources)装置的清洁处理。然而，rps装置一般以成膜腔室内的清洁为主要目的，因此，要连在从rps装置离开了距离的真空泵附近的排气配管内及真空泵内堆积的生成物也清洁的话，清洁性能不充分。
技术实现要素：
实施方式提供能够将在真空泵附近的排气配管内部堆积的生成物除去的排气配管装置。
实施方式的排气配管装置作为配置于成膜腔室与将所述成膜腔室内排气的真空泵之间的排气配管的一部分而使用，具备配管主体、线圈、内管及等离子体生成电路。线圈配置于所述配管主体的内侧。内管是配置于所述线圈的内侧的电介质。等离子体生成电路使用所述线圈而在所述内管的内侧生成等离子体。
附图说明
图1是示出第一实施方式中的半导体制造装置的排气系统的结构的一例的结构图。
图2是第一实施方式中的排气配管装置的一例的从主视方向观察时的剖视图。
图3是第一实施方式中的排气配管装置的一例的从俯视方向观察时的剖视图。
图4是第一实施方式的比较例中的排气配管装置的一例的主视图。
图5是第二实施方式中的排气配管装置的一例的从主视方向观察时的剖视图。
图6是第三实施方式中的排气配管装置的一例的从主视方向观察时的剖视图。
图7是第四实施方式中的排气配管装置的一例的从主视方向观察时的剖视图。
具体实施方式
以下，在实施方式中，对能够将在真空泵附近的排气配管内部堆积的生成物除去的排气配管装置进行说明。
(第一实施方式)
图1是示出第一实施方式中的半导体制造装置的排气系统的结构的一例的结构图。在图1的例子中，作为半导体制造装置，示出了成膜装置，例如化学气相沉积(cvd)装置200。在图1的例子中，示出了配置有2个成膜腔室202的多腔室方式的cvd装置200。在cvd装置200中，在被控制成期望的温度的成膜腔室202内配置成膜对象的半导体基板204(204a、204b)。并且，利用真空泵400通过排气配管150、152而进行真空吸引，向由调压阀210控制成期望的压力的成膜腔室202内供给原料气体。在成膜腔室202内，通过原料气体的化学反应而在基板204上形成期望的膜。例如，将硅烷(sih4)系的气体作为主原料气体而导入，形成氧化硅膜(sio膜)、氮化硅膜(sin膜)。除此之外，例如，将四乙氧基硅烷(teos)气体等作为主原料气体而导入，形成氧化硅膜(sio膜)。在形成这些膜时，会在成膜腔室202内及排气配管150、152内堆积由原料气体引起的生成物。因而，在成膜工艺循环中，除了成膜工序之外还实施清洁工序。
在清洁工序中，向配置于成膜腔室202的上游侧的远程等离子体源(rps)装置300供给三氟化氮(nf3)气体等清洁气体或氩(ar)气等吹扫气体(purgegas)，利用等离子体来生成氟(f)自由基。然后，通过向成膜腔室202内及排气配管150侧供给(扩散)f自由基来进行堆积的生成物的清洁。在通过清洁而将堆积物分解后生成的例如四氟化硅(sif4)，由于挥发性高，所以通过排气配管150、152而从真空泵400被排出。
然而，f自由基难以到达排气配管150、152中的从成膜腔室202离开了距离的部分，清洁性能会劣化。尤其是，在接近真空泵400的吸气口的位置处，由于压力变低，所以清洁率会变低。其结果，排气配管150、152内有时会因堆积的生成物而阻塞。另外，会因堆积于真空泵400内的生成物而填满叶轮与壳体之间的间隙，成为过负荷状态，真空泵400有时会停止。于是，在第一实施方式中，如图1所示，在与成膜腔室202相比接近真空泵400的吸气口的位置配置排气配管装置100。
在图1中，第一实施方式中的排气配管装置100作为配置于成膜腔室202与将成膜腔室202内进行排气的真空泵400之间的包括排气配管150、152的排气配管的一部分而使用。排气配管装置100具备配管主体102、线圈104、由电介质形成的内管190(电介质管)及等离子体生成电路106。配管主体102例如使用与通常的排气配管150、152相同材料的配管材料。例如，使用sus304等不锈钢材料。不过，作为配管主体102的材料，从相对于清洁气体的耐腐蚀性的观点来看，更优选的是，使用sus316钢材料。另外，配管主体102例如使用与通常的排气配管150、152相同尺寸的配管材料。不过，不限于此。也可以是比排气配管150、152大的尺寸的配管。或者，还可以是比排气配管150、152小的尺寸的配管。
在配管主体102的两端部配置有法兰(flange)，一方的端部与配置有相同尺寸的法兰的排气配管150连接，另一方的端部与配置有相同尺寸的法兰的排气配管152连接。在图1中，省略了将排气配管装置100的法兰与排气配管150、152的各法兰固定的夹具(clamp)等的图示。以下，在各图中是同样的。另外，省略了在与排气配管150、152的连接中使用的o型圈等密封件的图示。以下，在各实施方式中，示出了在排气配管装置100与真空泵400之间夹着排气配管152的情况，但不限于此。也可以是在真空泵400的吸气口直接配置排气配管装置100的情况。线圈104和由电介质形成的内管190配置于配管主体102的内部。等离子体生成电路106使用线圈104在配管主体102的内部在由电介质形成的内管190的内部生成感应耦合等离子体。
图2是第一实施方式中的排气配管装置的一例的从主视方向观察时的剖视图。图3是第一实施方式中的排气配管装置的一例的从俯视方向观察时的剖视图。在图2中，截面构造关于排气配管装置100的一部分示出，其他结构没有示出截面。另外，关于排气配管装置100，关于配管主体102内部的线圈104和内管190没有示出截面。以下，在从主视方向观察时的各剖视图中是同样的。在图2及图3中，在配管主体102的内侧配置线圈104。并且，在线圈104的内侧配置由电介质形成的内管190。内管190的形状形成为与配管主体102同种的形状。在图2及图3的例子中，对截面为圆形的筒状(环状)的配管主体102使用截面为同种的圆形的筒状(环状)的内管190。除此之外，也可以对截面为矩形的筒状的配管主体102使用同种的矩形的筒状的内管190。
内管190与配管主体102的内壁隔开空间而配置。成为内管190的电介质的材料只要是比空气的介电常数大的材料即可。作为内管190的材料，例如适合使用石英、氧化铝(al2o3)、氧化钇(y2o3)、二氧化铪(hfo2)、氧化锆(zro2)、氧化镁(mgo)或氮化铝(aln)等。只要是不妨碍排气性能的范围，则内管190的厚度适当设定即可。
如图2及图3所示，在配管主体102内部，在内管190的外周侧呈螺旋状地卷绕有导电性的线圈104。线圈104优选与内管190接触而配置，但不限于此。
在图2及图3的例子中，对线圈104的两端中的一方施加高频(rf)电场。线圈104的两端中的另一方接地(或者连接于接地电位)。线圈104的两端中的另一方也可以不是直接而是经由电容器而接地。另外，由不锈钢材这样的导电构件形成的配管主体102也接地(或者连接于接地电位)。
具体而言，从连接于配管主体102的外周面的导入端子端口105将导入端子111(高频导入端子的一例)向配管主体102内部导入，将导入端子111与线圈104的两端中的一方连接。导入端子111为了向线圈104的两端中的一方施加高频电场而使用。另外，从连接于配管主体102的外周面的导入端子端口115将导入端子116向配管主体102内部导入，将导入端子116与线圈104的两端中的另一方连接。导入端子116为了向线圈的两端中的另一方施加接地电位而使用。在图2中，导入端子端口105、115的图示简化示出。以下，在各图中是同样的。
并且，等离子体生成电路106使用线圈104而在内管190的内侧生成等离子体。等离子体生成电路106向线圈104的两端之间施加高频电压。具体而言，等离子体生成电路106在将配管主体102和线圈104的两端中的另一方接地的状态下，向线圈104的两端中的一方经由导入端子111而施加高频(rf)电压，由此，在配置于线圈104的内侧的电介质的内管190内生成感应耦合等离子体(icp)。另外，在清洁工序中，上述的nf3气体等清洁气体在上游侧被供给，因此利用其剩余部分而在内管190的内侧生成基于等离子体的f自由基。并且，通过该f自由基来除去在内管190内部堆积的生成物。由此，能够在排气配管内发挥高的清洁性能。
之后，在f自由基对堆积物的分解后生成的例如sif4，由于挥发性高，所以通过排气配管152而由真空泵400排出。另外，在排气配管装置100生成的自由基的一部分通过排气配管152而向真空泵400侵入，将堆积于真空泵400内的生成物进行清洁。由此，能够减少堆积于真空泵400内的生成物的堆积量。例如，能够使通过在内管190的下端部侧的内壁面的一部分产生的等离子体而生成的f自由基在配管主体102内部的消耗少的状态下向真空泵400侵入。
图4是第一实施方式的比较例中的排气配管装置的一例的主视图。在图4的比较例中，示出了在由电介质形成的配管主体320的周围卷绕有线圈302的情况。并且，通过向线圈302施加高频(rf)电压而生成感应耦合等离子体。另外，在比较例中，为了屏蔽高频，线圈302的外周侧由金属制的罩322覆盖。在比较例中，在因机械负荷、热应力而导致电介质破损的情况下，存在在排气配管中流动的气体无法通过罩322完全防止而会向大气中泄漏(leak)之类的问题、可能存在大气向排气配管内冲入(流入)而引起下游侧的真空泵的故障的情况之类的问题。尤其是，伴随于配管的口径变大而电介质容易破损，因此期望其对策。
相对于此，在第一实施方式中，如图2所示，通过配置于配管主体102的上下端部的密封机构16a、16b，将配管主体102与内管190之间的空间与大气及内管190内的空间隔离。密封机构16a、16b例如适合如以下这样构成。密封机构16a(16b)具有中央部开口的圆盘10a(10b)、o型圈12a(12b)及o型圈14a(14b)。o型圈12a(12b)将配管主体102与内管190之间的空间与大气隔离。o型圈14a(14b)将配管主体102与内管190之间的空间与内管190内的空间隔离。在图2的例子中，为了使说明容易理解而将圆盘10a(10b)示出为配管主体102的法兰的厚度的一半左右的厚度，但优选相对于配管主体102的法兰的厚度形成为充分薄。在该情况下，配管主体102的法兰和配管150的法兰夹着该圆盘10b而被夹紧连接。同样，配管主体102的法兰和配管152的法兰夹着该圆盘10a而被夹紧连接。不过，不限于此。圆盘10a(10b)也可以与配管主体102的法兰和配管152(150)的法兰分别固定。
在圆盘10a的上下游侧的2个面中的配管主体102侧(上游侧)的面上形成有环状的凸部。同样，在圆盘10b的上下游侧的2个面中的配管主体102侧(下游侧)的面上形成有环状的凸部。各环状的凸部向配管主体102与内管190之间的空间插入而配置。因而，凸部的内径比内管190外径尺寸大，凸部的外径形成为比配管主体102的内径尺寸小。
在配管主体102的下部侧，配管主体102经由o型圈12a而连接于圆盘10a。通过o型圈12a，将配管主体102内的气氛与大气隔离。另外，内管190支承于圆盘10a上，并且在内管190外周与圆盘10a的环状的凸部之间配置o型圈14a。由此，经由o型圈14a而将内管190内的气氛与配管主体102与内管190之间的空间隔离。同样，在配管主体102的上部侧，配管主体102经由o型圈12b而连接于圆盘10b。通过o型圈12b，将配管主体102内的气氛与大气隔离。另外，内管190上端面被圆盘10b覆盖，并且在内管190外周与圆盘10b的环状的凸部之间配置o型圈14b。由此，经由o型圈14b而将内管190内的气氛与配管主体102与内管190之间的空间隔离。
导入端子111在与大气及内管190内的空间隔离的配管主体102与内管109之间的空间中连接于线圈104的两端中的一方，在生成等离子体时，向该一方施加高频电场。同样，导入端子116在与大气及内管190内的空间隔离的配管主体102与内管190之间的空间中连接于线圈104的两端中的另一方，在生成等离子体时，向该另一方施加接地电位(接地)。
另外，在配管主体102的外周侧连接有与下游侧的配管152连接的旁通配管20。在旁通配管20中，在配管21的中途配置有阀22。并且，在打开了阀22的状态下，通过在使工艺气体向成膜腔室202流动前利用真空泵400排气，能够使配管主体102与内管190之间的空间的压力成为真空下的压力。通过在该状态下关闭阀22，能够将配管主体102与内管190之间的空间的压力维持为真空下的压力。
之后，实施成膜工艺等。如上所述，由于配管主体102与内管190之间的空间通过密封机构16a、16b与大气及内管190内的空间隔离，所以清洁气体等不会通过配管主体102与内管190之间的空间。在排气配管装置100中生成等离子体时，如上所述，由于清洁气体等在内管190内流动，所以配管主体102与内管190之间的空间的压力能够比内管190内的压力充分低。由此，能够抑制在配管主体102与内管190之间的空间产生等离子体。此外，配管主体102与内管190之间的空间的压力不限于此。也可以是大气压。即使是大气压也能够抑制等离子体产生。
在第一实施方式中，通过形成以上这样的配管主体102和内管190的被密闭的双重管构造，即使在电介质的内管190发生了破损的情况下，也能够防止在排气配管中流动的气体向大气中泄漏(leak)。同样，能够防止大气向排气配管内冲入(流入)。此外，即使在将配管主体102与内管190之间的空间控制成大气压的情况下，由于配管主体102与内管190之间的空间的容量小，所以也能够避免发生引起真空泵400的故障的程度的大气的流入。
如以上这样，根据第一实施方式，能够除去在从成膜腔室202离开了距离的真空泵400附近的排气配管内部堆积的生成物。另外，能够减少在真空泵400内堆积的生成物。另外，能够减小除去堆积的生成物的装置的设置面积。
(第二实施方式)
在第一实施方式中，说明了通过密封机构16a、16b而将配管主体102与内管190之间的空间与大气及内管190内的空间隔离的结构，但不限于此。在第二实施方式中，对在配管主体102内的空间与内管190内的空间之间不进行密封的结构进行说明。另外，以下，不特别说明的点与第一实施方式是同样的。
图5是第二实施方式中的排气配管装置的一例的从主视方向观察时的剖视图。第二实施方式中的排气配管装置的一例的从俯视方向观察时的剖视图与图3是同样的。在第二实施方式中，如图5所示，配管主体102与内管190之间的空间相对于供气体排出的空间没有被密封。对于配置于配管主体102与内管190之间的线圈104，优选与图3同样地与内管190接触并卷绕于内管190的外周侧，但为了不在线圈104与内管190之间放电，只要在鞘(sheath)长度以下，也可以配置成在线圈104与内管190之间形成间隙。
内管190配置于配管主体102内的空间。在图5的例子中，在配管主体102下部配置中央部开口的内管支承盘30，在内管支承盘30上支承内管190。内管支承盘30的内径当然也可以形成为比内管190的外径小。配管主体102在下端夹着内管支承盘30而夹紧连接于配管152。配管主体102在上端与配管150连接。
并且，等离子体生成电路106使用线圈104而在内管190的内侧生成等离子体。具体而言，等离子体生成电路106在将配管主体102和线圈104的两端中的另一方接地(或者将线圈104的两端中的另一方经由电容器而接地)的状态下，向线圈104的两端中的一方经由导入端子111而施加高频(rf)电压，由此，在配置于线圈104的内侧的电介质的内管190内生成感应耦合等离子体(icp)。并且，利用上述的清洁气体的剩余部分来生成基于等离子体的f自由基，通过该f自由基来除去堆积于内管190内部的生成物。由此，能够在排气配管内发挥高的清洁性能。
之后，在f自由基对堆积物的分解后生成的例如sif4，由于挥发性高，所以通过排气配管152而由真空泵400被排出。另外，使用在排气配管装置100生成的自由基的一部分来清洁堆积于真空泵400内的生成物。由此，能够减少堆积于真空泵400内的生成物的堆积量。例如，能够使通过在内管190的下端部侧的内壁面的一部分产生的等离子体而生成的f自由基在配管主体102内部的消耗少的状态下向真空泵400侵入。
在此，配管主体102内的内管190的外侧的压力和内管190的内侧的压力实质上相同，与内管190的内壁同样，在配管主体102与内管190之间也可能堆积生成物。在第二实施方式中，通过在以高的密度生成等离子体的线圈104的内侧配置作为电介质的内管190，即使不利用电介质等覆盖线圈104也能够减少由等离子体引起的线圈104的腐蚀等劣化。另外，能够通过内管190的内侧的等离子体而除去生成物，因此能够避免配管内的阻塞。其他内容与第一实施方式是同样的。
另外，在第二实施方式中，即使在电介质的内管190发生了破损的情况下，也能够通过由配管主体102和内管190形成的双重管构造来防止在排气配管中流动的气体向大气中泄漏(leak)。同样，能够防止大气向排气配管内冲入(流入)。
如以上这样，根据第二实施方式，即使在不将双重管之间的空间密闭的情况下，也能够与第一实施方式同样地除去在从成膜腔室202离开距离的真空泵400附近的排气配管内部堆积的生成物。另外，能够减少在真空泵400内堆积的生成物。另外，能够减小将堆积的生成物除去的装置的设置面积。
(第三实施方式)
在第三实施方式中，对在等离子体生成区域的上游侧配置点火用电极的结构进行说明。另外，以下，不特别说明的点与第一实施方式是同样的。
图6是第三实施方式中的排气配管装置的一例的从主视方向观察时的剖视图。如图6所示，第三实施方式中的排气配管装置100在配管主体102的上部(上游侧)配置配管140。从连接于配管140的外周面的导入端子端口141将导入电极142(电极的一例)向配管140内部导入，使导入电极142的前端部分在配管140内部露出。在此，导入电极142相对于来自成膜腔室侧的气流而配置于比内管190靠上游侧处。在图6的例子中，导入电极142形成为棒状，以在与来自成膜腔室侧的气体流动的方向大致正交的方向上延伸的方式配置。在图6的例子中，插入了棒状的电极，但不限于此。即使是板状或半球状等的电极也是合适的。
并且，等离子体生成电路144(高频电路)在将配管140接地的状态下，通过向导入电极142施加高频(rf)电压而在配管140内的导入电极142的露出面生成等离子体2。等离子体生成电路144将峰值电位差为5kv以上且重复频率为5khz以上的高频电压向导入电极142施加。施加的电压波形优选是正弦波或矩形波。由此，作为在内管190内产生的等离子体1的点火剂或等离子体维持稳定剂发挥功能。其他结构与图2、3是同样的。
在图6的例子中，说明了相对于第一实施方式而在上游侧配置点火用的导入电极142和等离子体生成电路144的结构，但不限于此。即使是相对于第二实施方式而在上游侧配置点火用的导入电极142和等离子体生成电路144的结构也是合适的。
(第四实施方式)
通过等离子体生成，作为电介质的内管190的温度逐渐上升。并且，有时会因温度过度上升而导致内管190破损。于是，在第四实施方式中，对在图2所示的结构进一步搭载有冷却机构的结构进行说明。另外，以下，不特别说明的点与第一实施方式是同样的。第四实施方式中的冷却机构通过向配管主体102与内管190之间的空间和该空间内的构件的至少一方导入制冷剂来冷却内管190。以下，具体说明。
图7是第四实施方式中的排气配管装置的一例的从主视方向观察时的剖视图。在图7的例子中，作为线圈104的构件，使用内部成为了空洞(中空构造)的中空管。同样，作为2个导入端子111、116的构件，使用内部成为了空洞的中空管。如图7所示，第四实施方式的冷却机构具有形成为中空构造的导入端子116、线圈104及导入端子111。线圈104的两端中的一方从内侧向导入端子端口105插入。另外，线圈104的两端中的另一方从内侧向导入端子端口115插入。导入端子111从连接于配管主体102的外周面的导入端子端口105插入，在导入端子端口105内部连接于线圈104的两端中的一方。导入端子116从连接于配管主体102的外周面的导入端子端口115插入，在导入端子端口115内部连接于线圈104的两端中的另一方。在第四实施方式中，从下部侧的导入端子116向线圈104内部供给冷却水(制冷剂的一例)，冷却水在线圈104内流动并从上部侧的导入端子111排出。
另外，来自等离子体生成电路106的用于施加高频(rf)电压的配线与导入端子111的表面电连接。来自等离子体生成电路106的用于施加接地电位的配线与导入端子116的表面电连接。并且，在导入端子116、线圈104及导入端子111内流动着冷却水的状态下，等离子体生成电路106使用线圈104而在内管190的内侧生成等离子体。等离子体生成电路106向线圈104的两端之间施加高频电压。
具体而言，等离子体生成电路106在将配管主体102和线圈104的两端中的另一方接地的状态下，向线圈104的两端中的一方经由导入端子111而施加高频(rf)电压，由此，在配置于线圈104的内侧的电介质的内管190内生成感应耦合等离子体(icp)。此时，使用在线圈104内流动的冷却水来冷却因等离子体生成而温度上升的作为电介质的内管190及内管109与配管主体102之间的空间。通过由冷却水冷却内管109，能够抑制内管109的破损。此外，从冷却效率的观点来看，线圈104优选与内管190外周面接触地配置。
另外，如图7所示，第四实施方式的冷却机构具有气体导入口41、阀40(或止回阀42)、气体排出口43及阀44(或止回阀46)。冷却机构经由阀40(或止回阀42)而从配置于配管主体102的外周面的下部侧的气体导入口41将冷却气体(制冷剂的另一例)向内管109与配管主体102之间的空间内导入。并且，从配置于配管主体102的外周面的上部侧的气体排出口43经由阀44(或止回阀46)而将冷却气体向外部排出。通过使该冷却气体向内管109与配管主体102之间的空间内流动，来冷却因等离子体生成而温度上升的作为电介质的内管190及内管109与配管主体102之间的空间。通过由冷却气体冷却内管109，能够抑制内管109的破损。作为冷却气体，例如使用空气。
冷却气体以比大气压高的压力向内管109与配管主体102之间的空间内导入。由此，内管109与配管主体102之间的空间内的压力被控制成比内管109的内侧的空间的压力及大气压高的压力。内管109与配管主体102之间的空间内的压力经由配置于配管主体102的外周面的通气口47而由压力传感器48测定，监视空间内的压力的变动。在此，在假设因等离子体生成而温度上升的作为电介质的内管190发生了破损的情况下，冷却气体向真空侧流入，可能会产生真空破坏。于是，利用压力传感器48来检测内管190的破损。
具体而言，在由压力传感器48检测到压力下降的情况下，以关闭阀40、44的方式进行控制。由此，能够使冷却气体向排气线的流入停留于最小限度。在取代阀40而使用止回阀42的情况下，使用以在1次压与2次压的压力差是比0.1mpa高的压力且是比冷却气体的供给压低的压力下关闭的方式设定了开启压力的止回阀42。若冷却气体的供给在供给源处停止，则1次压(止回阀的1次侧)成为大气压，2次压(配管主体102内部)成为大气压以下(由于破损而压力比大气压下降)，差压成为0.1mpa以下，因此若设为0.1mpa<开启压力<供给压，则冷却气体不流动。由此，若根据内管190的破损的检测而冷却气体的供给在供给源处停止，则即使在1次侧向大气开放的情况下也能够使大气不向配管主体102内部流入。另外，在取代阀44而使用止回阀46的情况下，若内管190破损，则1次压变得比2次压低，因此能够切断流路。由此，能够不使大气向配管主体102内部流入。
其他结构与图2是同样的。
此外，在图7的例子中，说明了从导入端子116、111进行冷却水的供给及排出的情况，但不限于此。例如，也可以使配管主体102的上下的法兰成为中空构造，经由法兰而进行冷却水的供给及排出。另外，也可以设为搭载有作为用于冷却内管109的制冷剂而仅将冷却水及冷却气体中的一方导入的冷却机构的结构。
以上，参照具体例对实施方式进行了说明。但是，本发明不限定于这些具体例。
除此之外，具备本发明的要素且本领域技术人员能够适当设计变更的全部排气配管装置包含于本发明的范围。
虽然说明了本发明的一些实施方式，但这些实施方式是作为例子而提示的，并非意在限定发明的范围。这些新颖的实施方式能够以其他各种各样的方式实施，能够在不脱离发明的主旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围、主旨，并且包含于权利要求书所记载的发明及其均等的范围。
