本发明涉及微电子技术领域，尤其涉及一种电路反馈结构。
背景技术：
射频放大器广泛应用于射频系统中。反馈电路是提升射频放大器性能最为普遍的措施，它能够提高放大器增益平坦度，改善端口回波损耗，增强电路稳定性，提升电路线性度。
反馈电路结构分为串联负反馈和并联负反馈，通常情况下，在一个放大器中，这两种负反馈结构都会被应用以改善性能。串联负反馈电路通常采用电阻或电感串联在晶体管的源极或发射极，对放大器增益、噪声系数和和输出功率等性能的影响极为明显，在规定的性能条件下，串联负反馈元件的选择十分有限。
如图2所示，并联负反馈电路通常将电阻-电容串联结构并联跨界在射频输入和射频信号输出端，电阻主要起反馈作用，电容起隔绝直流的作用。但随着频率的降低，电容的阻抗逐渐增大，反馈作用逐渐减弱，容易在工作频段外较低的频段内产生条件稳定，甚至发生振荡。改善低频稳定性的一个方法是增大反馈支路的电容，但是这需要很大的电容才能覆盖到极低频，在芯片设计中，这往往是不可接受的。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种电路反馈结构，其能够在保持传统电阻-电容电路反馈结构优势的条件下，片内解决低频稳定性问题。
为达到上述目的，本发明提供的方案是：
一种电路反馈结构，设置在射频信号输入端和射频信号输出端之间，所述电路反馈结构包括射频主电路、偏置电路、反馈电阻以及与反馈电阻并联的电容；从所述射频信号输入端输入的射频信号分为两路，一路信号经过所述反馈电阻到达所述射频信号输出端，另一路信号经过所述电容和所述射频主电路到达所述射频信号输出端；所述偏置电路一端连接电源端，另一端连接所述射频主电路的输入端。
优选地，所述射频主电路包括mos管，所述mos管的栅极连接所述电容和所述偏置电路，所述mos管的漏极连接所述射频信号输出端，所述mos管的源极接地。
本发明提供的电路反馈结构连接方式使输入端通过并联反馈支路上的电容连接到射频主电路的输入端，通过并联反馈支路上的电阻连接到射频主电路的输出端。在工作频带内，射频信号通过电容传输到射频主电路输入端，并联反馈性能与传统结构相同；在低频条件下，由于反馈支路上的电容大阻抗而近乎射频开路，同时通过反馈电阻进入射频信号输出端，因此，能够在保持传统电阻-电容电路反馈结构优势的条件下，片内解决低频稳定性问题，提高了射频放大器设计可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的电路反馈结构；
图2是传统的电阻-电容并联负反馈结构；
图3是本发明实施例提供的电路反馈结构和传统的电阻-电容并联负反馈结构的低频稳定性对比曲线。
附图标号说明：
10、射频主电路；20、偏置电路；30、反馈电阻r；40、电容c。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
还需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件上时，它可以直接在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被称为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接另一个元件或者可能同时存在居中元件。
另外，在本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
如图1所示，其为本发明的一种实施例的电路反馈结构，相比传统的无源rc反馈，只改变了连接方式，而不用改变电路其它部分，能够有效改善低频稳定性，具有相当高的通用性，可以应用于几乎所有并联反馈结构中。
请参阅图1和图3，本发明实施例的电路反馈结构设置在射频信号输入端input和射频信号输出端output之间，包括射频主电路10、偏置电路20、反馈电阻r30以及与反馈电阻r30并联的电容c40；从射频信号输入端input输入的射频信号分为两路，一路信号经过反馈电阻r30到达射频信号输出端output，另一路信号经过电容c40和射频主电路10到达射频信号输出端output；偏置电路20一端连接电源端vcc，另一端连接射频主电路10的输入端，为射频主电路10提供偏置电流，通过反馈支路上的电容c40与输出端和电源端vcc实现直流隔离，不影响偏置电路20的工作。射频信号输入端input并不是传统的直接连接到射频主电路10的输入端，而是通过并联反馈支路上的电容c40连接到射频主电路10的输入端。在工作频带内，射频信号通过电容c40传输到射频主电路10输入端，并联反馈性能与传统结构相同；在低频条件下，由于反馈支路上的电容c40大阻抗而近乎射频开路，同时通过反馈电阻r30进入射频信号输出端output。
具体地，射频主电路10包括mos管，mos管的栅极连接电容c40和偏置电路20，mos管的漏极连接射频信号输出端output，mos管的源极接地。
本发明实施例的电路反馈结构通过改变传统的电阻-电容并联负反馈连接方式，在保持传统电阻-电容电路反馈结构优势的条件下，片内解决低频稳定性问题，提高了射频放大器设计可靠性。
请参阅图3，图3示出了本发明实施例提供的电路反馈结构和传统的电阻-电容并联负反馈结构的低频稳定性对比曲线。红色曲线表示的是本发明的电路反馈结构的稳定性曲线，黑色曲线表示传统的电阻-电容并联负反馈结构的稳定性曲线。从图3可以得知，本发明实施例提供的电路反馈结构能够有效改善低频稳定性。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
1.一种电路反馈结构，设置在射频信号输入端和射频信号输出端之间，其特征在于，所述电路反馈结构包括射频主电路、偏置电路、反馈电阻以及与反馈电阻并联的电容；从所述射频信号输入端输入的射频信号分为两路，一路信号经过所述反馈电阻到达所述射频信号输出端，另一路信号经过所述电容和所述射频主电路到达所述射频信号输出端；所述偏置电路一端连接电源端，另一端连接所述射频主电路的输入端。
2.如权利要求1所述的电路反馈结构，其特征在于，所述射频主电路包括mos管，所述mos管的栅极连接所述电容和所述偏置电路，所述mos管的漏极连接所述射频信号输出端，所述mos管的源极接地。
技术总结