本实用新型涉及一种用于小电流可控整流器的隔离驱动电路，属于可控整流器领域。
背景技术：
高压可控整流器，最接近的技术方案，一是高压整流硅堆，能完成整流功能，满足高反压性能；二是可控硅，能完成可控制导通功能，但反向截止电压不够。
高压硅堆又叫硅柱。它是一种硅高频高压整流二极管。工作电压在几千伏至几万伏之间。常用于黑白电视机或其他电子仪器中作高频高压整流。它之所以能有如此高的耐压本领，是因为它的内部是由若干个硅高频二极管的管心串联起来组合而成的。外面用高频陶瓷进行封装。
但现有技术中的小电流可控整流器在工作时，无法实现输入端与输出端完全电气隔离，从而使小电流可控整流器在工作干扰增大，输出信号不稳定。
技术实现要素：
实用新型目的：提供一种用于小电流可控整流器的隔离驱动电路，解决上述提到的问题。
技术方案：一种用于小电流可控整流器的隔离驱动电路，包括：可控整流器；所述可控整流器包括：控制模块、辅助电源模块、隔离驱动模块、可控硅模块。
在进一步的实施例中，隔离驱动模块与所述可控硅模块采用级联方式连接。
在进一步的实施例中，控制模块为微控制器。
在进一步的实施例中，隔离驱动模块包括：可控硅隔离驱动采用专用芯片、三极管v1、三极管v2、三极管v3、电阻r33、电阻r36、电阻r32、电阻r35、电阻r31、电阻r34、光电耦合器u201、光电耦合器u202、光电耦合器u203。
在进一步的实施例中，所述三极管v1的集电极、所述三极管v2的集电极、所述三极管v3的集电极输入工作电压，所述三极管v1的发射极、所述三极管v2的发射极、所述三极管v3的发射极接地，所述三极管v1的基极与所述电阻r31的一端连接，所述光电耦合器u201的3号引脚同时与所述电阻r31的另一端和所述电阻r34的一端连接，所述电阻r34的另一端接地，所述光电耦合器u201的2号引脚接地，所述光电耦合器u201的1号引脚与微控制器连接，所述光电耦合器u201的4号引脚输入电压，所述三极管v2的基极与所述电阻r32的一端连接，所述光电耦合器u202的3号引脚同时与所述电阻r32的另一端和所述电阻r35的一端连接，所述电阻r35的另一端接地，所述光电耦合器u202的2号引脚接地，所述光电耦合器u202的1号引脚与微控制器连接，所述光电耦合器u202的4号引脚输入电压，所述三极管v3的基极与所述电阻r33的一端连接，所述光电耦合器u203的3号引脚同时与所述电阻r33的另一端和所述电阻r36的一端连接，所述电阻r36的另一端接地，所述光电耦合器u203的2号引脚接地，所述光电耦合器u203的1号引脚与微控制器连接，所述光电耦合器u203的4号引脚输入电压；所述可控硅隔离驱动采用专用芯片的与微控制器连接。
在进一步的实施例中，隔离驱动模块的初次级间耐压7500v。
有益效果：本实用新型通过采用可控硅隔离驱动采用专用芯片，初次级间耐压7500v，采用级联方式；通过微控制器接收到外部控制信号，导通或截止，向驱动输出导通或截止电平；经光耦隔离，控制可控硅的导通或截止；从而实现小电流可控整流器在工作时，输入端与输出端完全的电气隔离，从而使小电流可控整流器在工作干扰减小，保证输出信号稳定。
附图说明
图1是本实用新型的隔离驱动模块电路图。
图2是本实用新型的隔离驱动模块连接图。
图3是本实用新型的部分工作框图。
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本实用新型更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本实用新型可以无需一个或多个这些细节而得以实施；在其他的例子中，为了避免与本实用新型发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
一种用于小电流可控整流器的隔离驱动电路，包括：可控整流器。
其中，所述可控整流器包括：控制模块、辅助电源模块、隔离驱动模块、可控硅模块。
如图1所示，隔离驱动模块包括：可控硅隔离驱动采用专用芯片、三极管v1、三极管v2、三极管v3、电阻r33、电阻r36、电阻r32、电阻r35、电阻r31、电阻r34、光电耦合器u201、光电耦合器u202、光电耦合器u203；
所述三极管v1的集电极、所述三极管v2的集电极、所述三极管v3的集电极输入工作电压，所述三极管v1的发射极、所述三极管v2的发射极、所述三极管v3的发射极接地，所述三极管v1的基极与所述电阻r31的一端连接，所述光电耦合器u201的3号引脚同时与所述电阻r31的另一端和所述电阻r34的一端连接，所述电阻r34的另一端接地，所述光电耦合器u201的2号引脚接地，所述光电耦合器u201的1号引脚与微控制器连接，所述光电耦合器u201的4号引脚输入电压，所述三极管v2的基极与所述电阻r32的一端连接，所述光电耦合器u202的3号引脚同时与所述电阻r32的另一端和所述电阻r35的一端连接，所述电阻r35的另一端接地，所述光电耦合器u202的2号引脚接地，所述光电耦合器u202的1号引脚与微控制器连接，所述光电耦合器u202的4号引脚输入电压，所述三极管v3的基极与所述电阻r33的一端连接，所述光电耦合器u203的3号引脚同时与所述电阻r33的另一端和所述电阻r36的一端连接，所述电阻r36的另一端接地，所述光电耦合器u203的2号引脚接地，所述光电耦合器u203的1号引脚与微控制器连接，所述光电耦合器u203的4号引脚输入电压；所述可控硅隔离驱动采用专用芯片的与微控制器连接。
在一个实施例中，隔离驱动模块的初次级间耐压7500v。
在一个实施例中，隔离驱动模块与所述可控硅模块采用级联方式连接。
工作原理：当小电流可控整流器在工作时，微控制器接收到外部控制信号，导通或截止，向驱动输出导通或截止电平；经光耦隔离，控制可控硅的导通或截止；
电压信号通过三极管v1、三极管v2、三极管v3的集电极输入电压，同时三极管、配合两个保护电阻和光电耦合器组成光电隔离电路，电阻r31与电阻r34进行分压保护输入光电耦合器，通过光电耦合器的1号引脚进行输入微控制器；
当电流取样超过阈值，控制信号输出截止，同时向控制器发送过载信号，控制器启动保护过程。
以上结合附图详细描述了本实用新型的优选实施方式，但是，本实用新型并不限于上述实施方式中的具体细节，在本实用新型的技术构思范围内，可以对本实用新型的技术方案进行多种等同变换，这些等同变换均属于本实用新型的保护范围。
1.一种用于小电流可控整流器的隔离驱动电路，包括：可控整流器；所述可控整流器包括：控制模块、辅助电源模块、隔离驱动模块、可控硅模块；其特征在于，所述隔离驱动模块与所述可控硅模块采用级联方式连接。
2.根据权利要求1所述一种用于小电流可控整流器的隔离驱动电路，其特征在于，控制模块为微控制器。
3.根据权利要求1所述一种用于小电流可控整流器的隔离驱动电路，其特征在于，所述隔离驱动模块包括：可控硅隔离驱动采用专用芯片、三极管v1、三极管v2、三极管v3、电阻r33、电阻r36、电阻r32、电阻r35、电阻r31、电阻r34、光电耦合器u201、光电耦合器u202、光电耦合器u203；
所述三极管v1的集电极、所述三极管v2的集电极、所述三极管v3的集电极输入工作电压，所述三极管v1的发射极、所述三极管v2的发射极、所述三极管v3的发射极接地，所述三极管v1的基极与所述电阻r31的一端连接，所述光电耦合器u201的3号引脚同时与所述电阻r31的另一端和所述电阻r34的一端连接，所述电阻r34的另一端接地，所述光电耦合器u201的2号引脚接地，所述光电耦合器u201的1号引脚与微控制器连接，所述光电耦合器u201的4号引脚输入电压，所述三极管v2的基极与所述电阻r32的一端连接，所述光电耦合器u202的3号引脚同时与所述电阻r32的另一端和所述电阻r35的一端连接，所述电阻r35的另一端接地，所述光电耦合器u202的2号引脚接地，所述光电耦合器u202的1号引脚与微控制器连接，所述光电耦合器u202的4号引脚输入电压，所述三极管v3的基极与所述电阻r33的一端连接，所述光电耦合器u203的3号引脚同时与所述电阻r33的另一端和所述电阻r36的一端连接，所述电阻r36的另一端接地，所述光电耦合器u203的2号引脚接地，所述光电耦合器u203的1号引脚与微控制器连接，所述光电耦合器u203的4号引脚输入电压；所述可控硅隔离驱动采用专用芯片的与微控制器连接。
4.根据权利要求1所述一种用于小电流可控整流器的隔离驱动电路，其特征在于，所述隔离驱动模块的初次级间耐压7500v。
技术总结