本申请是申请号为201610652349.2，申请日为2016年08月10日，发明名称为“高频模块”的发明专利申请的分案申请
本发明涉及具备对高频信号的路径进行切换的开关ic的高频模块。
背景技术：
在以移动电话等为代表的无线通信终端的前端部，使用切换高频信号的路径的开关ic(例如，专利文献1)。
专利文献1所公开的无线接收装置中的开关ic具备一个共用端子、和多个选择端子。另外，试验信号生成部与该开关ic的共用端子连接。由此，在专利文献1所公开的无线接收装置中，通过将开关ic的多个选择端子中的一个与共用端子连接，能够将试验信号发送给被选择的选择端子。
专利文献1：日本特开2011－010185号公报
在具备专利文献1所公开的无线接收装置的无线通信终端中，小型化的要求较严格。按照该要求，开关ic也被小型化。
然而，在为了切换高频信号的路径而使用开关ic的情况下，存在信号在不与共用端子连接的选择端子和共用端子之间泄露这样的问题。换句话说，存在选择端子与共用端子之间的隔离不充分这样的问题。开关ic的小型化越进步该问题越显著。
技术实现要素：
因此，本发明的目的在于，在具备开关ic的高频模块中，使开关ic的共用端子与选择端子之间的隔离提高。
为了实现上述目的，本发明的一方式所涉及的高频模块具备：基板；以及开关ic，安装在上述基板上且具备共用端子以及多个选择端子，上述基板具备在俯视上述基板时，配置在上述共用端子与上述多个选择端子之间的被接地的电极即接地电极。
由此，能够阻断在开关ic的共用端子与多个选择端子之间传播的高频的至少一部分。即，能够使开关ic的共用端子与多个选择端子之间的隔离提高。
另外，上述接地电极的至少一部分也可以配置在上述基板的内部。
由此，接地电极能够阻断在基板的内部传播的高频的至少一部分。
另外，上述接地电极的至少一部分也可以沿上述基板的厚度方向延伸。
由此，能够更可靠地通过接地电极阻断在基板的内部传播的高频。
另外，上述接地电极也可以包括沿上述基板的厚度方向延伸的通孔电极。
另外，上述接地电极也可以包括在俯视上述基板时，沿着上述多个选择端子排成一列的多个通孔电极。
这样，通过在共用端子与选择端子之间将多个柱状的接地电极排成一列，多个接地电极能够形成阻断高频的面。因此，能够更可靠地阻断在共用端子与多个选择端子之间传播的高频。
另外，上述接地电极也可以包括连接上述多个通孔电极中的至少两个通孔电极的布线图案。
这样，接地电极是包括沿与基板的主面平行的方向延伸的布线图案的电极，所以能够有助于在沿基板的厚度方向延伸的多个接地电极之间传播的高频的阻断。
另外，上述基板也可以是多个层被层叠的层叠基板，上述通孔电极也可以贯通上述多个层中至少一部分的层。
另外，上述接地电极也可以在上述基板的安装有上述开关ic的主面不向外部露出。
由此，在基板的安装有开关ic的主面，能够防止接地电极与开关ic的共用端子以及多个选择端子的短路。另外，由于各接地电极在该主面不向外部露出，所以例如能够使接地电极的直径为与开关ic的共用端子和多个选择端子之间的距离同等程度以上。换句话说，能够使接地电极的尺寸的自由度提高。
另外，也可以还具备定向耦合器，上述多个选择端子的至少一个与上述定向耦合器的耦合端口连接。
这样，在各选择端子与耦合端口连接的情况下，输入到各选择端子的高频信号比在定向耦合器的两个输入输出端口之间传播的高频信号微弱。然而，在本发明的一方式所涉及的高频模块中，提高了开关ic的共用端子与选择端子之间的隔离，所以能够从共用端子，以较高的s/n比，输出微弱的高频信号。
另外，上述多个选择端子中的一个选择端子也可以与上述定向耦合器的一个耦合端口连接，上述多个选择端子中的另一个选择端子也可以与上述定向耦合器的另一个耦合端口连接。
这样，在两耦合端口均与选择端子连接的情况下，不能够通过终止耦合端口，抑制来自耦合端口的高频的放射。在本发明的一方式所涉及的高频模块中，即使在这样的情况下，也能够通过接地电极阻断从不与共用端子连接的耦合端口放射的高频。因此，能够从开关ic的共用端子，以较高的s/n比，输出来自定向耦合器的微弱的高频信号。
另外，也可以上述接地电极在俯视上述基板时，对配置有上述共用端子的上述基板的角部的区域、和配置有上述多个选择端子以及上述定向耦合器的上述基板的区域进行划分。
由此，即使在基板上的配置有共用端子的区域的周边配置定向耦合器以外的高频设备的情况下，通过将该区域划分的接地电极，也阻断朝向该区域的高频，所以配置有共用端子的区域中的高频噪声被抑制。因此，能够抑制从开关ic的共用端子输出的高频信号的s/n比的劣化。
另外，由于配置有共用端子的区域被配置在基板的角部，所以能够使从共用端子输出的信号向基板外部的检测器等的输入变得容易。并且，能够抑制为了划分而需要的接地电极的数量。由此，也能够减少为了配置接地电极所需要的区域。
根据本发明所涉及的高频模块，在具备开关ic的高频模块中，能够使开关ic的共用端子与选择端子之间的隔离提高。
附图说明
图1是表示实施方式1所涉及的高频模块的电路构成的电路图。
图2是表示实施方式1所涉及的高频模块的外观的俯视图。
图3是表示实施方式1所涉及的高频模块的结构的剖视图。
图4是表示实施方式1所涉及的高频模块的结构的剖视图。
图5是表示实施方式2所涉及的高频模块的电路构成的电路图。
图6是表示实施方式2所涉及的高频模块的使用方式的一个例子的电路图。
图7是表示实施方式3所涉及的高频模块的电路构成以及使用方式的一个例子的电路图。
图8是表示实施方式4所涉及的高频模块的构成的概要的电路图。
附图标记说明
1、2、3、4…高频模块，20、21、70、71…开关ic，30、31、32、33…基板，38a、38b…区域，60、61…定向耦合器，80、81…天线，82…发送波生成器，83…接收器，84…检测器，220、710、770…共用端子，221～224、711～713、771～773…选择端子，311～313、320～323、340～342、362、372…连接端子，330、331、332…布线图案，350、351…接地电极，661、662、665、666…输入输出端口，663、664、667、668…耦合端口。
具体实施方式
以下，使用实施方式及其附图对本发明的实施方式进行详细说明。此外，以下进行说明的实施方式均示出概括的或者具体的例子。以下的实施方式所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等是一个例子，并不是限定本发明的意思。对于以下的实施方式中的构成要素中的未记载于独立权利要求的构成要素，作为任意的构成要素进行说明。另外，附图所示的构成要素的大小或者大小之比并不必须严格。
(实施方式1)
[1－1.整体构成]
首先，使用附图对实施方式1所涉及的高频模块的整体构成进行说明。
图1是表示本实施方式所涉及的高频模块1的电路构成的电路图。
图2是表示本实施方式所涉及的高频模块1的外观的俯视图。
图3是表示本实施方式所涉及的高频模块1的结构的剖视图。在图3中，示出图2中的iii－iii剖面。
图4是表示本实施方式所涉及的高频模块1的结构的剖视图。在图4中，示出图2中的iv－iv剖面。
如图1所示，本实施方式的高频模块1具备：基板30、和安装在基板30上且具备共用端子220以及多个选择端子221以及222的开关ic20。以下，对开关ic20以及基板30进行详细说明。
[1－1－1.开关ic]
如图1所示，开关ic20是有选择地将共用端子220与选择端子221以及222中的任意一个选择端子连接的开关电路。开关ic例如，是由fet(field－effecttransistor：场效应晶体管)等晶体管实现的公知的开关电路，基于用于驱动开关ic20的信号，将被选择的选择端子与共用端子连接。
在本实施方式中，开关ic20是具有大致长方体状的形状的被封装化的电路部件。开关ic20的共用端子220以及选择端子221以及222设在开关ic20的与基板30对置的外面(对于共用端子220，参照图3，对于选择端子221以及222，参照图4。)。
选择端子221以及222在图2的x轴方向排列。共用端子220沿与选择端子221以及222排列的方向(图2的x轴方向)交叉的方向(也就是y轴方向)，被配置在与选择端子221以及222分离的位置。
开关ic20的共用端子220与选择端子221或者222之间的距离(图2中的y轴方向的距离)并不特别限定，但在本实施方式中，该距离在50μm以上，150μm以下左右。在高频信号用的开关元件中，该距离越小共用端子220与选择端子221以及222之间的隔离的确保越困难。因此，如本实施方式所涉及的开关ic20的那样，该距离较小的情况下，需要用于确保隔离的对策。
如图2～4所示，开关ic20安装在基板30的z轴方向正侧的主面30a上。在本实施方式中，共用端子220、选择端子221以及222分别具备焊料凸点。如图3所示，共用端子220以及选择端子221的焊料凸点与基板30的连接端子320以及321连接。此外，虽然未图示，但选择端子222的焊料凸点也同样地与连接端子322连接。连接端子322具有与图3所示的连接端子321同样的构成。
此外，开关ic20的各端子的构成并不限定于上述构成。例如，各端子也可以被设置在开关ic20的侧面(与基板30的主面30a大致垂直的外面)。
[1－1－2.基板]
基板30是安装开关ic20的基板。在本实施方式中，如图3以及图4所示，基板30是层叠了多个层的层叠基板。在本实施方式中，形成基板30的多个层分别是具有10μm以上且20μm以下左右的厚度的电介质层。在形成基板30的多个电介质层的至少一部分设置有由导电性部件构成且配置在电介质层的表面的布线图案、以及由导电性部件构成并贯通电介质层的通孔电极。通过这些布线以及通孔电极，各端子间电连接。
如图2所示，在基板30的安装开关ic20的一侧的主面30a，在与开关ic20的共用端子220、选择端子221以及222对应的位置设置有连接端子320、321以及322。连接端子320、321以及322分别经由基板30内部的布线图案330、331以及332，与连接端子340、341以及342连接。在本实施方式中，连接端子320～322以及340～342分别由通孔电极构成。
连接端子340～342的配置以及形状并不特别限定。在本实施方式中，如图3所示，连接端子340由在主面30b向外部露出的通孔电极构成。另一方面，连接端子341如图3所示那样由在基板30的安装开关ic20的主面30a向外部露出的通孔电极构成。此外，虽然未图示，但连接端子342也与连接端子341同样由在主面30a向外部露出的通孔电极构成。
连接端子340～342分别作为开关ic20的输入输出端口使用。例如，在各连接端子连接有与构成高频电路的各元件连接的布线、端子等。
另外，如图2所示，基板30具备在俯视基板30时，配置在开关ic20的共用端子220与选择端子221以及222之间的被接地的电极即接地电极350以及351。由此，能够阻断在开关ic20的共用端子220与选择端子221以及222之间传播的高频的至少一部分。即，能够使开关ic20的共用端子220与选择端子221以及222之间的隔离提高。
如高频模块1那样，与开关ic20的共用端子220连接的连接端子340配置在主面30b的情况下，与共用端子220连接的连接端子340等导电性部件从基板的主面30a铺设到主面30b。该情况下，从共用端子220到连接端子340的导电性部件容易接收在基板30内部传播的高频信号。因此，在连接端子340配置在主面30b的情况下，通过在基板30设置接地电极350以及351，因在基板30内传播的高频的阻断而使隔离提高效果变得更显著。
在本实施方式中，多个接地电极350以及351的至少一部分配置在基板30的内部。由此，接地电极350以及351能够阻断在基板30的内部传播的高频的至少一部分。
另外，多个接地电极350的各个是将层叠基板的多个层中至少一部分的层贯通的通孔电极。这样，在本实施方式中，多个接地电极350的至少一部分在基板30的内部，沿基板30的厚度方向(图3以及图4的z轴方向)被设置。换句话说，与沿着形成基板30的电介质层的表面设置的布线图案不同，沿贯通电介质层的方向设置接地电极350。这样，由于接地电极350沿基板30的厚度方向延伸，所以能够通过接地电极350更可靠地阻断在基板30的内部传播的高频。
另外，在本实施方式中，基板30具备沿多个选择端子221以及222排成一列的多个接地电极350。这样，通过将多个柱状的接地电极350在共用端子220与选择端子221以及222之间排成一列，多个接地电极350能够形成阻断高频的面。因此，能够更可靠地阻断在共用端子220与选择端子221以及222之间传播的高频。此外，这里，多个接地电极350并不限定于在俯视基板30时直线状地排成一列的构成。例如，多个接地电极350也可以是在俯视基板30时曲线状地排成一列的构成。
此外，在本实施方式中，对接地电极350而言，通过在多个电介质层的每一个形成通孔电极，并将该多个电介质层层叠，来形成接地电极350，但接地电极350的形成方法并不限定于此。例如，接地电极350也可以通过在基板30形成凹部或者贯通孔之后，在该凹部插入导电性部件来形成。
多个接地电极350的形状以及尺寸并不特别限定。在本实施方式中，接地电极350具有直径100μm左右的圆柱状的形状。接地电极350的形状例如，也可以是板状、长方体状等。
并且，在本实施方式中，具备由连接多个接地电极350的布线图案构成的接地电极351。接地电极351是沿与基板30的主面30a平行的方向延伸的电极，所以能够有助于阻断在沿基板30的厚度方向延伸的多个接地电极350之间传播的高频。
虽然多个接地电极350以及351的个数并不特别限定，但若以较短的间隔设置许多，则阻断高频的效果提高。例如，若相邻的接地电极350的间隔在高频模块1中使用的高频的波长的1/4左右以下，则能够使多个接地电极350的高频阻断效果提高。
如图3以及图4所示，在本实施方式中，接地电极350以及351在基板30的被安装开关ic20的主面30a不向外部露出。由此，在主面30a中，能够防止接地电极350以及351与开关ic20的共用端子220、选择端子221以及222等的短路。另外，由于各接地电极不在主面30a向外部露出，所以例如能够使接地电极350的直径为与在开关ic20的共用端子220同选择端子221以及222之间的距离同等程度以上。换句话说，能够使接地电极350以及351的尺寸的自由度提高。
将接地电极350接地的构成并不特别限定。例如，在本实施方式中，接地电极350在基板30的图2～图4的z轴方向负侧的主面30b向外部露出，该露出部与外部的接地的布线、端子等连接。另外，在本实施方式中，接地电极350通过由在形成基板30的电介质层上形成的布线图案构成的接地电极351相互连接。此外，也可以并不是多个接地电极350的全部在主面30b向外部露出。例如，也可以多个接地电极350的一部分在主面30b向外部露出，从而被接地。该情况下，不向外部露出的接地电极350也可以通过布线图案与被接地的接地电极350等连接，从而接地。
形成基板30的材料并不特别限定。在本实施方式中，基板30的各电介质层由陶瓷等形成。作为陶瓷，例如，可以使用非磁性铁氧体陶瓷、以氧化铝为主成分的氧化铝陶瓷。另外，形成各接地电极、各连接端子以及布线图案的材料也并不特别限定。在本实施方式中，例如，使用以铜为主成分的金属或者合金。
[1－2.总结]
如以上那样，本实施方式所涉及的高频模块1具备基板30、和安装在基板30上且具备共用端子220以及选择端子221以及222的开关ic20。基板30具备在俯视基板30时，配置在共用端子220与选择端子221以及222之间的被接地的电极即接地电极350以及351。
由此，能够阻断在开关ic20的共用端子220与选择端子221以及222之间传播的高频的至少一部分。即，能够使开关ic20的共用端子220与选择端子221以及222之间的隔离提高。
另外，在本实施方式所涉及的高频模块1中，接地电极350以及351的至少一部分也可以被配置在基板30的内部。
由此，接地电极350以及351能够阻断在基板30的内部传播的高频的至少一部分。
另外，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以接地电极350的至少一部分沿基板30的厚度方向延伸。
由此，通过接地电极350能够更可靠地阻断在基板30的内部传播的高频。
另外，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以接地电极350包括向基板30的厚度方向延伸的通孔电极。
另外，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以接地电极350包括在俯视基板30时，沿多个选择端子221以及222排成一列的多个通孔电极。
这样，通过在共用端子220与选择端子221以及222之间排列一列多个柱状的接地电极350，多个接地电极350能够形成阻断高频的面。因此，能够更可靠地阻断在共用端子220与选择端子221以及222之间传播的高频。
另外，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以接地电极351包括将多个通孔电极中的至少两个通孔电极连接的布线图案。
这样，接地电极351是包括沿与基板30的主面30a平行的方向延伸的布线图案的电极，所以能够有助于在沿基板30的厚度方向延伸的多个接地电极350之间传播的高频的阻断。
另外，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以基板30是多个层被层叠的层叠基板，通孔电极将形成基板30的多个层中至少一部分的层贯通。
另外，在本实施方式所涉及的高频模块1中，接地电极350以及351也可以在基板30的安装有开关ic20的主面30a不向外部露出。
由此，在主面30a，能够防止接地电极350以及351与开关ic20的共用端子220、选择端子221以及222的短路。另外，由于各接地电极在主面30a不向外部露出，所以例如能够使接地电极350的直径为与开关ic20的共用端子220同选择端子221以及222之间的距离同等程度以上。换句话说，能够使接地电极350以及351的尺寸的自由度提高。
另外，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以基板30具备与共用端子220连接的连接端子340，连接端子340被配置在基板30的安装有开关ic20的主面30a的背侧的主面30b。
如本实施方式所示，在与开关ic20的共用端子220连接的连接端子340配置在主面30b的情况下，与共用端子220连接的连接端子340等导电性部件从基板的主面30a铺设到主面30b。该情况下，从共用端子220到连接端子340的导电性部件容易接收在基板30内部传播的高频信号。因此，在连接端子340配置在主面30b的情况下，由于在基板30设置接地电极350以及351所引起的在基板30内传播的高频的阻断而使隔离提高效果变得更显著。
(实施方式2)
接下来，对实施方式2所涉及的高频模块进行说明。本实施方式所涉及的高频模块还在基板上具备定向耦合器。以下，以与实施方式1所涉及的高频模块的不同点为中心对本实施方式所涉及的高频模块进行说明。
[2－1.整体构成]
首先，使用图5对本实施方式所涉及的高频模块的整体构成进行说明。
图5是表示本实施方式所涉及的高频模块2的电路构成的电路图。
如图5所示，本实施方式所涉及的高频模块2与实施方式1所涉及的高频模块1同样具备基板31以及开关ic20。本实施方式所涉及的高频模块2还具备定向耦合器60以及开关ic70。
基板31在安装开关ic20的主面具有安装定向耦合器60等的区域这一点，与实施方式1的基板30不同，在其它的点一致。
定向耦合器60是将在输入输出端口661以及662之间传播的高频信号的一部分输出到耦合端口663以及664的耦合器。在定向耦合器60中，高频信号的一部分根据高频信号的传播方向而被输出到不同的耦合端口。在本实施方式中，从输入输出端口661向输入输出端口662传播的高频信号的一部分被输出到耦合端口663。另一方面，从输入输出端口662向输入输出端口661传播的高频信号的一部分被输出到耦合端口664。
在本实施方式中，定向耦合器60的输入输出端口661以及662分别与开关ic70以及连接端子362连接。另外，定向耦合器60的耦合端口663以及664分别与开关ic20的选择端子221以及222连接。
开关ic70是有选择地将共用端子710与多个选择端子711～713中的任意一个选择端子连接的开关电路。共用端子710与定向耦合器60的输入输出端口661连接。选择端子711～713分别与设置于基板31的连接端子311～313连接。
在本实施方式所涉及的高频模块2中，也与实施方式1所涉及的高频模块1同样，基板31具备在俯视基板31时，配置在开关ic20的共用端子220与多个选择端子221以及222之间的接地电极350以及351。
在本实施方式中，如上述那样，在开关ic20的选择端子221以及222分别连接有定向耦合器60的耦合端口663以及664。因此，输入到各选择端子的高频信号比在定向耦合器60的输入输出端口661以及662之间传播的高频信号微弱。然而，本实施方式所涉及的开关ic20的共用端子220与选择端子221以及222之间的隔离被提高，所以能够从共用端子220以较高的s/n比输出来自定向耦合器60的微弱的高频信号。
此外，在图5所示的例子中，开关ic20的选择端子221以及222分别与定向耦合器60的耦合端口663以及664连接，但只要连接选择端子221以及222的至少一方即可。但是，例如，在仅选择端子221与耦合端口663连接的情况下，能够在开关ic20外终止耦合端口664，所以从耦合端口664向开关ic20传播的高频噪声成为能够忽略的水平。另一方面，在耦合端口663以及664分别与选择端子221以及222连接的情况下，不能够通过终止耦合端口663或者664，抑制来自耦合端口663或者664的高频噪声的放射。在本实施方式所涉及的高频模块2中，即使在这样的情况下，也能够通过接地电极350以及351阻断从不与共用端子220连接的耦合端口放射的高频。因此，高频模块2中的接地电极350以及351所带来的高频阻断效果在选择端子221以及222分别与耦合端口663以及664连接的情况下边变得更显著。
另外，在开关ic70中，为了使共用端子710与选择端子711～713之间的隔离提高，基板31也可以具备在俯视基板31时，在共用端子710与选择端子711～713之间的接地电极。
[2－2.使用方式]
这里，使用图6对本实施方式所涉及的高频模块2的使用方式的一个例子进行说明。
图6是表示本实施方式所涉及的高频模块2的使用方式的一个例子的电路图。
如图6所示，高频模块2例如，在发送波生成器82、天线80以及检测器84等被连接的状态下使用。
天线80是将高频信号作为电磁波向空间放射的设备。另外，天线80也是接收在空间传播的电磁波的设备。在本使用方式中，天线80被连接至与定向耦合器60的输入输出端口662连接的连接端子362。
发送波生成器82是生成用于经由天线80发送的高频信号的设备。发送波生成器82的输出端子被连接至与开关ic70的选择端子712连接的连接端子312。
检测器84是用于检测从开关ic20的共用端子220输出的高频信号的设备。
在图6所示的使用方式中，在开关ic20的共用端子220与选择端子221连接的情况下，在共用端子220输入有从定向耦合器60的耦合端口663输出的高频信号。即，从发送波生成器82向定向耦合器60输入的高频信号(换句话说，向天线80输入的高频信号)的一部分从耦合端口663经由选择端子221被输入至共用端子220。
另一方面，在开关ic20的共用端子220与选择端子222连接的情况下，从定向耦合器60的耦合端口664输出的高频信号被输入至共用端子220。即，从定向耦合器60输入到天线80而被天线80反射的高频信号的一部分从耦合端口664经由选择端子222被输入至共用端子220
如以上那样，在本使用方式中，通过检测器84，能够检测输入到天线80的高频信号的一部分。由此，在检测器84中，能够检测发送波生成器82的输出信号强度。另外，在本使用方式中，通过检测器84，也能够检测在天线80被反射的高频信号的一部分。由此，根据本使用方式也能够检测天线80中的驻波比。
另外，在本使用方式中，由天线80反射的高频信号可能变得微弱，但由于开关ic20的共用端子220与选择端子221以及222之间的隔离被提高，所以能够以较高的s/n比检测信号。
[2－3.总结]
如以上那样，本实施方式所涉及的高频模块2在实施方式1所涉及的高频模块1中，还具备定向耦合器60，选择端子221以及222的至少一个与定向耦合器60的耦合端口连接。
这样，在选择端子的至少一方与耦合端口663以及664连接的情况下，输入到各选择端子的高频信号比在定向耦合器60的输入输出端口661以及662之间传播的高频信号微弱。然而，由于本实施方式所涉及的开关ic20的共用端子220与选择端子221以及222之间的隔离被提高，所以在共用端子220中，能够以较高的s/n比，接收来自定向耦合器60的微弱的高频信号。
另外，在高频模块2中，也可以开关ic20的选择端子221与定向耦合器60的一个耦合端口663连接，另一个选择端子222与定向耦合器60的另一个耦合端口664连接。
这样，即使在耦合端口663以及664不被终止，而分别与选择端子221以及222连接的情况下，在高频模块2中，也能够以较高的s/n比，接收来自定向耦合器60的微弱的高频信号。
(实施方式3)
接下来，对实施方式3所涉及的高频模块进行说明。在本实施方式中，示出了除了实施方式2所涉及的高频模块2之外，进一步追加定向耦合器，并增加了各开关ic的选择端子的例子。以下，使用图7对本实施方式所涉及的高频模块的构成、以及使用方式的一个例子进行说明。
图7是表示本实施方式所涉及的高频模块3的电路构成以及使用方式的一个例子的电路图。
如图7所示，本实施方式所涉及的高频模块3与实施方式2所涉及的高频模块2同样，具备基板32、开关ic21、71、以及定向耦合器60。本实施方式所涉及的高频模块3还具备定向耦合器61。
另外，开关ic21在选择端子的个数上，与开关ic20不同。开关ic21除了选择端子221以及222之外，还具备选择端子223以及224。
开关ic71具备两个共用端子710以及770、和六个选择端子711～713以及771～773。共用端子710以及共用端子770分别与选择端子711～713以及771～773的任意一个连接。
定向耦合器61具有与定向耦合器60同样的构成。在本实施方式中，定向耦合器61的输入输出端口665以及666分别与开关ic71的共用端子770以及连接端子366连接。另外，定向耦合器61的耦合端口667以及668分别与开关ic20的选择端子222以及223连接。
另外，在本实施方式中，定向耦合器60的耦合端口663以及664分别与开关ic20的选择端子221以及224连接。
基板32在安装有开关ic21的主面具有安装定向耦合器61等的区域这一点，与实施方式2的基板31不同。另外，基板32在与开关ic21的构成对应地，增加接地电极350以及351的个数这一点，也与基板31不同。
在本实施方式所涉及的高频模块3中，起到与实施方式2所涉及的高频模块2同样的效果。
接着，使用图7对本实施方式所涉及的高频模块3的使用方式的一个例子进行说明。
如图7所示，高频模块3例如，在发送波生成器82、接收器83、天线80、81以及检测器84等被连接的状态下使用。
天线81具有与天线80同样的构成。天线81例如，也可以具有与天线80不同的共振频率。在本使用方式中，天线81被连接到与定向耦合器61的输入输出端口666连接的连接端子366。
接收器83是接收在天线81接收的高频信号的设备。在本使用方式中，高频信号从与选择端子772连接的连接端子372被输入到接收器83。
在本使用方式中，微弱的高频信号也被输入到开关ic21的各选择端子。因此，在本使用方式中，高频模块3也起到与高频模块2同样的效果。
(实施方式4)
接下来，对实施方式4所涉及的高频模块进行说明。在本实施方式中，在高频模块中，基板的区域被接地电极划分。以下，使用图8对本实施方式所涉及的高频模块进行说明。
图8是表示本实施方式所涉及的高频模块4的构成的概要的电路图。
如图8所示，本实施方式所涉及的高频模块4与实施方式1所涉及的高频模块1同样，具备基板33、和开关ic20。高频模块4在通过接地电极350以及351，划分基板33的区域这一点，与高频模块1不同。此外，这里，通过接地电极350以及351，划分基板33上的两个区域是指，接地电极350以及351的至少一方沿两个区域的分界线的整体配置，而抑制从一个区域向另一个区域传播的高频信号的状态。
在本实施方式所涉及的高频模块4中，接地电极350以及351在俯视基板33时，对配置有共用端子220的基板33的角部的区域38b、和配置有选择端子221以及222以及定向耦合器60的基板33的区域38a进行划分。
由此，即使在区域38a的开关ic20的周边配置定向耦合器60以外的放射高频的高频设备的情况下，通过划分区域38a与区域38b的接地电极350以及351，也阻断高频。因此，抑制区域38b的高频噪声。由此，能够抑制从共用端子220输出的高频信号的s/n比的劣化。
另外，由于区域38b配置在基板33的角部，所以能够使从共用端子220输出的信号的从连接端子340向配置在高频模块4的外部的检测器等的输入变得容易。另外，能够抑制为了进行划分而需要的接地电极350以及351的数量。由此，也能够减少为了配置接地电极350以及351所需要的区域。此外，这里，基板33的角部是指与基板33的沿相互交叉的方向延伸的两个边缘相接的区域。另外，两个边缘并不限定于直线状的边缘，也可以是曲线状。
另外，优选在区域38b，除了共用端子220以外，不配置放射高频的元件等。由此，能够抑制区域38b中的高频噪声。
(其它的变形例等)
以上，列举实施方式对本发明的实施方式所涉及的高频模块进行了说明，但本发明的高频模块并不限定于上述各实施方式。组合上述各实施方式中的任意的构成要素实现的其它的实施方式、针对上述各实施方式在不脱离本发明的主旨的范围内实施本领域技术人员能够想到的各种变形得到的变形例、内置了本公开的高频模块的各种设备也包含在本发明。
例如，在上述各实施方式中，作为接地电极，使用了由通孔电极构成的接地电极350以及由布线图案构成的接地电极351，但接地电极的构成并不限定于此。例如，也可以仅使用由通孔电极构成的接地电极350，也可以仅使用由布线图案构成的接地电极351。
另外，在上述实施方式1中，与共用端子220连接的连接端子340具有在基板30的安装有开关ic20的主面30a的背侧的主面30b露出的构成，但本发明的高频模块也可以不具有该构成。例如，也可以与共用端子220以外的选择端子221以及222的各个连接的连接端子在主面30b露出。另外，也可以与共用端子220、选择端子221以及222的各个连接的所有的连接端子在主面30b露出，也可以这些所有的连接端子在主面30a露出。
另外，在上述各实施方式所涉及的高频模块中，也可以在连接附图所公开的各电路元件以及信号路径的路径之间插入其它的高频电路元件以及布线等。
本发明例如，能够作为与发送高频信号的天线连接的高频模块广泛地利用于移动电话等通信设备中。
1.一种高频模块，其特征在于，具备：
层叠了多个层的层叠基板，所述层叠基板具有第一主面和第二主面；以及
电路部件，具有与所述第一主面连接的多个凸点，
所述多个凸点包括：
第一凸点，用作第一开关的共用端子，以及
第二凸点，用作可与所述共用端子连接的第一选择端子，
所述层叠基板包括：
接地通孔，将所述多个层中的至少一个层贯通，
接地图案，被配置在所述层叠基板的内部不向所述第一主面和所述第二主面露出，所述接地图案沿与所述多个层中的至少一个层平行的方向延伸，
在从所述层叠基板的层叠方向俯视时，所述接地图案位于所述第一凸点与所述第二凸点之间。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
在从所述层叠基板的层叠方向俯视时，所述接地通孔位于所述第一凸点与所述第二凸点之间。
3.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述多个凸点包括第三凸点，所述第三凸点用作可与所述共用端子连接的第二选择端子，
在从所述层叠基板的层叠方向俯视时，所述接地图案位于所述第一凸点与所述第三凸点之间。
4.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，
所述电路部件对所述共用端子与所述第一选择端子之间的第一连接以及所述共用端子与所述第二选择端子之间的第二连接进行切换。
5.根据权利要求4所述的高频模块，其特征在于，
在从所述层叠基板的层叠方向俯视时，所述接地通孔位于所述第一凸点与所述第二凸点之间。
6.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，
在从所述层叠基板的层叠方向俯视时，所述接地通孔位于所述第一凸点与所述第二凸点之间。
7.根据权利要求6所述的高频模块，其特征在于，
所述电路部件是具有长方体状或大致长方体状的形状的被封装化的电路部件。
8.根据权利要求7所述的高频模块，其特征在于，
所述第一凸点和所述第二凸点配置在所述电路部件的与所述第一主面对置的外表面。
9.根据权利要求8所述的高频模块，其特征在于，
所述第一凸点与所述第二凸点之间的距离在50μm以上，150μm以下。
10.根据权利要求9所述的高频模块，其特征在于，
所述第一凸点和所述第二凸点是焊料凸点。
11.根据权利要求10所述的高频模块，其特征在于，
所述多个层分别是具有10μm以上且20μm以下的厚度的电介质层。
12.根据权利要求11所述的高频模块，其特征在于，
所述接地通孔和所述接地图案是具有铜的金属或合金。
13.根据权利要求12所述的高频模块，其特征在于，
所述接地通孔具有100μm的直径的圆柱状或大致圆柱状的形状。
14.根据权利要求13所述的高频模块，其特征在于，
所述层叠基板包括第二接地通孔，所述第二接地通孔将所述多个层中的至少一个层贯通；
所述接地通孔与所述第二接地通孔之间的距离在所述高频模块中使用的高频的波长的1/4以下。
15.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，
还具备与所述第一开关连接的定向耦合器。
16.根据权利要求15所述的高频模块，其特征在于，
所述定向耦合器配置在所述第一主面。
17.根据权利要求16所述的高频模块，其特征在于，
还具备与所述定向耦合器连接的第二开关。
18.根据权利要求16所述的高频模块，其特征在于，
所述定向耦合器包括第一输入/输出端口、第二输入/输出端口、第一耦合端口以及第二耦合端口，
所述定向耦合器将在所述第一输入/输出端口与所述第二输入/输出端口之间传播的高频信号的一部分输出到所述第一耦合端口以及所述第二耦合端口。
19.根据权利要求17所述的高频模块，其特征在于，
所述定向耦合器包括第一输入/输出端口、第二输入/输出端口、第一耦合端口以及第二耦合端口，
所述定向耦合器将在所述第一输入/输出端口与所述第二输入/输出端口之间传播的高频信号的一部分输出到所述第一耦合端口以及所述第二耦合端口。
20.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
还具备与所述第一开关连接的定向耦合器。
21.根据权利要求20所述的高频模块，其特征在于，
所述定向耦合器配置在所述第一主面。
22.根据权利要求21所述的高频模块，其特征在于，
还具备与所述定向耦合器连接的第二开关。
23.根据权利要求22所述的高频模块，其特征在于，
所述定向耦合器包括第一输入/输出端口、第二输入/输出端口、第一耦合端口以及第二耦合端口，
所述定向耦合器将在所述第一输入/输出端口与所述第二输入/输出端口之间传播的高频信号的一部分输出到所述第一耦合端口以及所述第二耦合端口。
24.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述第一凸点与所述第二凸点之间的距离在50μm以上，150μm以下。
技术总结