本实用新型涉及多晶硅片清洗设备技术领域，具体涉及一种大尺寸硅片的清洗槽。
背景技术：
在多晶硅片生产过程中，清洗质量的好坏决定着硅片产品，甚至是太阳能电池组件的性能、可靠性和稳定性，而随着多晶硅片向大尺寸化和薄片化的发展，对硅片清洗的要求标准更高。硅片尺寸越大，则其表面附着的颗粒、有机物和金属离子等污染物的数量更多，
在硅片清洗过程中，先用氢氧化钠和氢氧化钾的混合液对硅片的金属离子进行清洗，然后再用双氧水和氨水的混合液对硅片表面的颗粒和有机物进行清洗，且在每个药液槽之后均设一纯水槽，最后再甩干硅片表面的水分。但是，对于大尺寸硅片来说，在清洗过程中不易移动，在不同的清洗槽之间进行移动，费时费力，还有可能导致硅片损伤。因此，本实用新型设计了一种适合大尺寸硅片清洗的清洗槽。
技术实现要素：
为解决现有技术中存在的问题，本实用新型提供了一种大尺寸硅片的清洗槽，具体的技术方案如下所述：
一种大尺寸硅片的清洗槽，包括槽体1，所述的槽体1的左右两端分别设置清洗药液进口2、碱液进口3，所述的槽体1的两侧设置有清洗装置，所述的清洗装置包括喷淋头4、水管、水箱5及水泵6，所述的喷淋头4通过水管与水箱5连接，所述的水箱5内安装有水泵6，水泵6与水管连接；
所述的槽体1的底面上设置有升降结构，所述的升降结构包括电机7、升降杆8、硅片托块9，所述的升降杆8的底端与电机7连接，所述的升降杆8的上端与硅片托块9连接，所述的电机通过支杆701与槽体的侧壁连接，从而将电机固定在槽体内，
所述的槽体1的底面上安装有两个超声波发生器10，两个超声波发生器10分别紧贴槽体的底面101安装，并用支架104支撑。
进一步地，所述的槽体1的侧壁上设置有硅片卡槽11，所述的卡槽11的侧壁为网状结构，在卡住硅片的同时，不妨碍对硅片边缘的清洗。
进一步地，所述的硅片托块9的底面及侧壁均为网状，在拖住硅片的同时，不妨碍对硅片底面边缘的清洗。
进一步地，所述的硅片托块9的两端伸入所述的硅片卡槽11内部，并能够沿硅片卡槽11上下移动。
进一步地，所述的槽体1的底面101圆锥形，底面101的最低端设置有排液管102，所述的排液管上设置有自动开关阀103。
在清洗过程，先用氢氧化钠和氢氧化钾混合的碱液进行预清洗：槽体内放满清洗液，将硅片放入槽体内，打开超声波发生器，进行清洗，然后将槽体内的液体放出，喷淋纯水进行清洗，从两面对硅片的表面进行冲洗，保证清洗的效果；然后再用双氧水、氨水及分散剂混合液进行清洗，向槽体内放满清洗液，打开超声波发生器，对硅片进行清洗，结束，将清洗液放出，然后用喷淋纯水进行清洗，从两面对硅片的表面进行冲洗，保证清洗的效果。在纯水清洗的过程中，可以调节升降杆的上下移动，从而对硅片进行均匀的冲洗。在取放过程中也可调节升降杆的上下移动，从而便于硅片的取放。
本实用新型的有益效果为：设置有硅片夹持装置，便于将硅片固定，硅片的左右两侧均设置有三层喷淋装置；所述的清洗槽的底面上设置有升降装置，便于对硅片进行清洗和取放，所述的清洗槽的底面上设置有排水口，便于将清洗后的废液排除。本实用新型中的清洗槽能够在一个槽内完成硅片清洗的多种步骤，并且设置有超声波发生器，便于对硅片的清洗更加彻底，适合在工业中推广使用。
附图说明
图1为本实用新型实施例的一种大尺寸硅片的清洗槽的侧视图。
图2为本实用新型实施例的一种大尺寸硅片的清洗槽的主视图。
其中，1-槽体，101底面，102-排液管，103-自动开关阀，104-支架，2-清洗药液进口，3-碱液进口，4-喷淋头，5-水，6-水泵，7-电机，701-支杆，8-升降杆，9-硅片托块，10-超声波发生器，11-卡槽。
具体实施方式：
为了加深对本实用新型的理解，下面结合附图对本实用新型的实施例做详细的说明。
须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。
实施例
参见图1至图2，
一种大尺寸硅片的清洗槽，包括槽体1，槽体1的左右两端分别设置清洗药液进口2、碱液进口3，槽体1的两侧设置有清洗装置，清洗装置包括喷淋头4、水管、水箱5及水泵6，喷淋头4通过水管与水箱5连接，水箱5内安装有水泵6，水泵6与水管连接；
槽体1的底面上设置有升降结构，升降结构包括电机7、升降杆8、硅片托块9，升降杆8的底端与电机7连接，升降杆8的上端与硅片托块9连接，电机通过支杆701与槽体的侧壁连接，从而将电机固定在槽体内，
槽体1的底面上安装有两个超声波发生器10，两个超声波发生器10分别紧贴槽体的底面101安装，并用支架104支撑。
进一步地，槽体1的侧壁上设置有硅片卡槽11，卡槽11的侧壁为网状结构，在卡住硅片的同时，不妨碍对硅片边缘的清洗。
进一步地，硅片托块9的底面及侧壁均为网状，在拖住硅片的同时，不妨碍对硅片底面边缘的清洗。
进一步地，硅片托块9的两端伸入硅片卡槽11内部，并能够沿硅片卡槽11上下移动。
进一步地，槽体1的底面101圆锥形，底面101的最低端设置有排液管102，排液管上设置有自动开关阀103。
在清洗过程，先用氢氧化钠和氢氧化钾混合的碱液进行预清洗：槽体内放满清洗液，将硅片放入槽体内，打开超声波发生器，进行清洗，然后将槽体内的液体放出，喷淋纯水进行清洗，从两面对硅片的表面进行冲洗，保证清洗的效果；然后再用双氧水、氨水及分散剂混合液进行清洗，向槽体内放满清洗液，打开超声波发生器，对硅片进行清洗，结束，将清洗液放出，然后用喷淋纯水进行清洗，从两面对硅片的表面进行冲洗，保证清洗的效果。在纯水清洗的过程中，可以调节升降杆的上下移动，从而对硅片进行均匀的冲洗。在取放过程中也可调节升降杆的上下移动，从而便于硅片的取放。
本实用新型方案所公开的技术手段不仅限于上述技术手段所公开的技术手段，还包括由以上技术特征等同替换所组成的技术方案。本实用新型的未尽事宜，属于本领域技术人员的公知常识。
1.一种大尺寸硅片的清洗槽，其特征在于，包括槽体（1），所述的槽体（1）的左右两端分别设置清洗药液进口（2）、碱液进口（3），所述的槽体（1）的两侧设置有清洗装置，所述的清洗装置包括喷淋头（4）、水管、水箱（5）及水泵（6），所述的喷淋头（4）通过水管与水箱（5）连接，所述的水箱（5）内安装有水泵（6），水泵（6）与水管连接；
所述的槽体（1）的底面上设置有升降结构，所述的升降结构包括电机（7）、升降杆（8）、硅片托块（9），所述的升降杆（8）的底端与电机（7）连接，所述的升降杆（8）的上端与硅片托块（9）连接，所述的电机通过支杆（701）与槽体的侧壁连接，从而将电机固定在槽体内，
所述的槽体（1）的底面上安装有两个超声波发生器（10），两个超声波发生器（10）分别紧贴槽体的底面（101）安装，并用支架（104）支撑。
2.根据权利要求1所述的大尺寸硅片的清洗槽，其特征在于，所述的槽体（1）的前后侧壁上设置有硅片卡槽（11），所述的卡槽（11）的侧壁为网状结构，在卡住硅片的同时，不妨碍对硅片边缘的清洗。
3.根据权利要求1所述的大尺寸硅片的清洗槽，其特征在于，所述的硅片托块（9）的底面及侧壁均为网状，在拖住硅片的同时，不妨碍对硅片底面边缘的清洗。
4.根据权利要求2所述的大尺寸硅片的清洗槽，其特征在于，所述的硅片托块（9）的两端伸入所述的硅片卡槽（11）内部，并能够沿硅片卡槽（11）上下移动。
5.根据权利要求1所述的大尺寸硅片的清洗槽，其特征在于，所述的槽体（1）的底面（101）圆锥形，底面（101）的最低端设置有排液管（102），所述的排液管上设置有自动开关阀（103）。
