本发明涉及半导体晶片加工设备技术领域，具体为一种用于蚀刻半导体晶片的设备。
背景技术：
半导体制程制作出的晶片可广泛地利用于各种应用领域中，晶片的良品率可以直接决定终端产品的质量，因此在晶片的材料以及制作方式上各界均投入大量研究以确保其质量，不论其为何种应用领域的晶片，均须经过多道加工制程后，才能获得实际应用的电子组件或光电组件，晶片加工制程之一就是蚀刻去除晶片表面的氧化膜，随着晶片加工难度及加工要求的提升及晶片的需求提升，出现了一种全自动蚀刻设备，以提升晶片蚀刻的效率及良率，对半导体晶片蚀刻的设备采用较多的方法是用含有氢氟酸的溶液浸泡晶体以去除表面氧化膜。
但是现有的用于蚀刻半导体晶片的设备是把晶片放到特定的筐子里，筐子放在蚀刻液里没有加以晃动，晶片不能很好地与蚀刻液进行接触，影响晶片蚀刻的质量，同时现有的用于蚀刻半导体晶片的设备在对晶片蚀刻处理后，需要使用另外的设备对晶片表面的蚀刻液进行处理，影响生产效率，达不到现今使用的要求，因此我们提出了一种用于蚀刻半导体晶片的设备。
技术实现要素：
针对现有技术的不足，本发明提供了一种用于蚀刻半导体晶片的设备，解决了上述背景技术中提出的问题。
为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种用于蚀刻半导体晶片的设备，包括机壳、放置架，所述机壳的正面铰接有柜门，所述机壳内腔的中部固定连接有蚀刻台，所述蚀刻台的内部开设有清洗槽和蚀刻槽，所述蚀刻台的中部且位于清洗槽、蚀刻槽的内腔设置有不完全齿轮，所述蚀刻台的中部转动连接有转轴，所述转轴与不完全齿轮活动套接，所述转轴的表面固定套接有第一斜齿轮，所述转轴的表面固定套接有第一皮带轮，所述蚀刻台中部的内侧固定连接有固定套，所述固定套与转轴活动套接，所述固定套的数量为两个，两个所述固定套的侧面均转动连接有支撑架，两个所述固定套的侧面均设置有扭簧，所述扭簧的一端与固定套固定连接，所述扭簧的另一端与支撑架的侧面固定连接，所述放置架的两端均固定连接有转杆，两个所述转杆的一端分别固定连接有连接套，所述连接套的内部转动连接有连接杆，所述连接杆的一端贯穿支撑架的内部且螺纹安装有蝶形螺母，一个所述转杆的表面固定套接有第二皮带轮，所述第二皮带轮通过皮带与第一皮带轮传动连接，一个所述转杆的表面固定套接有行星齿轮，所述行星齿轮与不完全齿轮相互啮合，所述蚀刻台的内部开设有间歇振动清洗液或蚀刻液振动的振动装置。
可选的，所述振动装置包括设置在蚀刻台内部的传动槽，所述传动槽的内腔转动连接有旋转杆，所述旋转杆的一端延伸至蚀刻台的顶部且固定套接有第二斜齿轮，所述第二斜齿轮与第一斜齿轮相啮合，所述旋转杆的表面固定套接有凸轮，所述清洗槽与蚀刻槽的内壁均固定连接有弹簧，所述弹簧的一端固定连接有振动块，所述振动块的内侧固定连接有连杆，所述连杆的一端活动套接至传动槽的内腔且固定连接有连板，所述连板的侧面与凸轮的侧面相贴合。
可选的，所述机壳的内壁固定连接有电动伸缩杆，所述电动伸缩杆的输出轴固定连接有推动板，所述推动板的侧面固定连接有支撑板，所述支撑板的底部固定安装有喷头，所述支撑板的顶部固定安装有风机，所述风机的输出端与喷头的一端固定连接，所述推动板的侧面固定连接有接水槽，所述接水槽的内腔设置有吸水棉。
可选的，所述蚀刻台的内部开设有第一进水槽，所述蚀刻台的内部开设有第一进水孔，所述蚀刻台的内部开设有第二进水槽，所述蚀刻台的内部开设有第二进水孔，所述蚀刻台的内部开设有第三进水槽，所述蚀刻台的内部开设有第三进水孔。
可选的，所述机壳内腔的底部固定连接有第一回收箱，所述机壳内腔的底部固定连接有第二回收箱，所述第一回收箱的顶部固定安装有第一水泵，所述第一水泵的输入端与输出端均固定连接有第一抽水管，一个所述第一抽水管的一端延伸至第一回收箱的内腔，另一个所述第一抽水管的一端延伸至第一进水槽的内腔，所述第二回收箱的顶部固定安装有第二水泵，所述第二水泵的输入端与输出端均固定连接有第二抽水管，一个所述第二抽水管的一端延伸至第二回收箱的内腔，另一个所述第二抽水管的一端延伸至第二进水孔的内腔，所述第二回收箱的顶部固定安装有第三水泵，所述第三水泵的输入端与输出端均固定连接有第三抽水管，一个所述第三抽水管的一端延伸至第二回收箱的内腔，另一个所述第三抽水管的一端延伸至第三进水槽的内腔。
可选的，所述第一回收箱的顶部固定连接有过滤箱，所述第二回收箱的顶部固定连接有另一个过滤箱，两个所述过滤箱的内腔均设置有过滤网，一个所述过滤箱的顶部和底部均固定连接有第一出水管，一个所述第一出水管的一端延伸至第一回收箱的内腔，另一个所述第一出水管的一端延伸至第一进水槽的内腔，另一个所述第一出水管的中部固定安装有第一开关阀，另一个所述过滤箱的顶部和底部均固定连接有第二出水管，一个所述第二出水管的一端延伸至第二回收箱的内腔，另一个所述第二出水管的一端延伸至第二进水孔的内腔，另一个所述第二出水管的中部固定安装有第二开关阀。
可选的，所述放置架的两侧面均开设有滑动槽，所述滑动槽的内腔活动套接有紧固杆，所述放置架的两侧面均固定连接有基块，两个所述基块的顶部均螺纹套接有螺纹柱，两个所述螺纹柱的一端均延伸至基块的底部且转动连接有支撑环，两个所述支撑环分别与紧固杆的两端转动连接。
可选的，所述蚀刻台的侧面固定安装有伺服电机，所述伺服电机的输出端与转轴的一端固定连接。
本发明提供了一种用于蚀刻半导体晶片的设备，具备以下有益效果：
1、该用于蚀刻半导体晶片的设备，通过转轴带动第一皮带轮转动，利用皮带的传动带动第二皮带轮、放置架以及转杆转动，通过不完全齿轮和行星齿轮的啮合传动使得放置架沿着不完全齿轮开始转动，同时带动支撑架转动，扭簧开始压缩，当行星齿轮与不完全齿轮的啮合脱离时，放置架到达蚀刻槽的内腔中，同时放置架的位置不再发生改变，转轴持续转动使得放置架持续在蚀刻槽的内腔进行转动，从而增大晶片与蚀刻槽内腔的蚀刻液接触的机会，避免了传统的用于蚀刻半导体晶片的设备是把晶片放到特定的筐子里，筐子放在蚀刻液里没有加以晃动，晶片不能很好地与蚀刻液进行接触，影响晶片蚀刻质量的问题，提高了该用于蚀刻半导体晶片的设备的工作质量。
2、该用于蚀刻半导体晶片的设备，通过第一斜齿轮、第二斜齿轮、旋转杆、凸轮、弹簧、振动块、连板和连杆的配合使用，转轴转动时带动第一斜齿轮转动，利用第一斜齿轮和第二斜齿轮的啮合带动旋转杆和凸轮发生转动，通过凸轮挤压连板带动振动块在清洗槽和蚀刻槽的内腔中发生振动，从而带动清洗液或蚀刻液振动，从而促进清洗液或蚀刻液与晶片的表面相接触，提高了该用于蚀刻半导体晶片的设备的工作效率。
3、该用于蚀刻半导体晶片的设备，通过过滤箱和过滤网的配合使用，对从清洗槽放入到第一回收箱内腔的清洗液以及从蚀刻槽放入到第二回收箱内腔的蚀刻液进行过滤，避免了清洗液和蚀刻液中混入的杂质影响后续浸泡晶片蚀刻的使用，提高了该用于蚀刻半导体晶片的设备的工作质量，同时当晶片在蚀刻槽的内腔蚀刻后，启动电动伸缩杆带动风机和接水槽向前移动，启动风机使得喷头对晶片进行吹风，从而把晶片表面的剩余蚀刻液回收到接水槽的内腔，避免了传统的用于蚀刻半导体晶片的设备在对晶片蚀刻处理后，需要使用另外的设备对晶片表面的蚀刻液进行处理的问题，提高了该用于蚀刻半导体晶片的设备的便捷性。
附图说明
图1为本发明侧面的剖视示意图；
图2为本发明正面的剖视示意图；
图3为本发明正面的结构示意图；
图4为本发明放置架的安装示意图；
图5为本发明放置架的连接示意图；
图6为本发明放置架的立体示意图；
图7为本发明蚀刻台的剖视示意图；
图8为图1中的a处放大示意图；
图9为图5中的b处放大示意图；
图10为本发明传动槽的内部示意图；
图11为本发明固定套的剖视示意图。
图中：1、机壳；2、蚀刻台；3、第一回收箱；4、第二回收箱；5、过滤箱；6、第一出水管；7、第二出水管；8、过滤网；9、第一开关阀；10、第二开关阀；11、第一水泵；12、第二水泵；13、第二抽水管；14、第三水泵；15、第三抽水管；16、第一抽水管；17、清洗槽；18、蚀刻槽；19、电动伸缩杆；20、推动板；21、支撑板；22、风机；23、放置架；24、传动槽；25、支撑架；26、柜门；27、转轴；28、蝶形螺母；29、伺服电机；30、喷头；31、旋转杆；32、凸轮；33、第二皮带轮；34、第一皮带轮；35、基块；36、螺纹柱；37、支撑环；38、皮带；39、滑动槽；40、连接套；41、第一进水槽；42、第一进水孔；43、第二进水槽；44、第二进水孔；45、弹簧；46、振动块；47、连板；48、第三进水槽；49、第三进水孔；50、接水槽；51、吸水棉；52、行星齿轮；53、连接杆；54、紧固杆；55、第一斜齿轮；56、第二斜齿轮；57、固定套；58、扭簧；59、连杆；60、不完全齿轮；61、转杆。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
请参阅图1至图11，本发明提供一种技术方案：一种用于蚀刻半导体晶片的设备，包括机壳1、放置架23，机壳1的正面铰接有柜门26，机壳1内腔的中部固定连接有蚀刻台2，蚀刻台2的内部开设有清洗槽17和蚀刻槽18，蚀刻台2的中部且位于清洗槽17、蚀刻槽18的内腔设置有不完全齿轮60，蚀刻台2的中部转动连接有转轴27，转轴27与不完全齿轮60活动套接，转轴27的表面固定套接有第一斜齿轮55，转轴27的表面固定套接有第一皮带轮34，蚀刻台2中部的内侧固定连接有固定套57，固定套57与转轴27活动套接，固定套57的数量为两个，两个固定套57的侧面均转动连接有支撑架25，两个固定套57的侧面均设置有扭簧58，扭簧58的一端与固定套57固定连接，扭簧58的另一端与支撑架25的侧面固定连接，放置架23的两端均固定连接有转杆61，两个转杆61的一端分别固定连接有连接套40，连接套40的内部转动连接有连接杆53，连接杆53的一端贯穿支撑架25的内部且螺纹安装有蝶形螺母28，一个转杆61的表面固定套接有第二皮带轮33，第二皮带轮33通过皮带38与第一皮带轮34传动连接，一个转杆61的表面固定套接有行星齿轮52，行星齿轮52与不完全齿轮60相互啮合，蚀刻台2的内部开设有间歇振动清洗液或蚀刻液振动的振动装置。
其中，振动装置包括：设置在蚀刻台2内部的传动槽24，传动槽24的内腔转动连接有旋转杆31，旋转杆31的一端延伸至蚀刻台2的顶部且固定套接有第二斜齿轮56，第二斜齿轮56与第一斜齿轮55相啮合，旋转杆31的表面固定套接有凸轮32，清洗槽17与蚀刻槽18的内壁均固定连接有弹簧45，弹簧45的一端固定连接有振动块46，振动块46的内侧固定连接有连杆59，连杆59的一端活动套接至传动槽24的内腔且固定连接有连板47，连板47的侧面与凸轮32的侧面相贴合，转轴27转动时带动第一斜齿轮55转动，利用第一斜齿轮55和第二斜齿轮56的啮合带动旋转杆31和凸轮32发生转动，通过凸轮32挤压连板47带动振动块46在清洗槽17和蚀刻槽18的内腔中发生振动，从而带动清洗液或蚀刻液振动，从而促进清洗液或蚀刻液与晶片的表面相接触，提高了该用于蚀刻半导体晶片的设备的工作效率。
其中，机壳1的内壁固定连接有电动伸缩杆19，电动伸缩杆19的输出轴固定连接有推动板20，推动板20的侧面固定连接有支撑板21，支撑板21的底部固定安装有喷头30，支撑板21的顶部固定安装有风机22，风机22的输出端与喷头30的一端固定连接，推动板20的侧面固定连接有接水槽50，接水槽50的内腔设置有吸水棉51，当晶片在蚀刻槽18的内腔蚀刻后，启动电动伸缩杆19带动风机22和接水槽50向前移动，启动风机22使得喷头30对晶片进行吹风，从而把晶片表面的剩余蚀刻液回收到接水槽50的内腔，提高了该用于蚀刻半导体晶片的设备的便捷性。
其中，蚀刻台2的内部开设有第一进水槽41，蚀刻台2的内部开设有第一进水孔42，第一进水孔42连通第一进水槽41和清洗槽17的内腔，通过第一进水槽41和第一进水孔42把清洗液导入和导出清洗槽17的内腔，蚀刻台2的内部开设有第二进水槽43，蚀刻台2的内部开设有第二进水孔44，第二进水孔44连通第二进水槽43和蚀刻槽18的内腔，通过第二进水槽43和第二进水孔44把蚀刻液导入和导出蚀刻槽18的内腔，蚀刻台2的内部开设有第三进水槽48，蚀刻台2的内部开设有第三进水孔49，第三进水槽48连通第三进水槽48和蚀刻槽18的内腔，通过第三进水槽48和第三进水孔49可在对晶片进行蚀刻时向晶片的表面喷洒蚀刻液，增加蚀刻液与晶片表面的接触机会，提高晶片的蚀刻速度。
其中，机壳1内腔的底部固定连接有第一回收箱3，机壳1内腔的底部固定连接有第二回收箱4，第一回收箱3的顶部固定安装有第一水泵11，第一水泵11的输入端与输出端均固定连接有第一抽水管16，一个第一抽水管16的一端延伸至第一回收箱3的内腔，另一个第一抽水管16的一端延伸至第一进水槽41的内腔，利用第一水泵11把清洗液从第一回收箱3的内腔抽进第一进水槽41的内腔，第二回收箱4的顶部固定安装有第二水泵12，第二水泵12的输入端与输出端均固定连接有第二抽水管13，一个第二抽水管13的一端延伸至第二回收箱4的内腔，另一个第二抽水管13的一端延伸至第二进水孔44的内腔，利用第二水泵12把蚀刻液从第二回收箱4的内腔抽进第二进水槽43的内腔，第二回收箱4的顶部固定安装有第三水泵14，第三水泵14的输入端与输出端均固定连接有第三抽水管15，一个第三抽水管15的一端延伸至第二回收箱4的内腔，另一个第三抽水管15的一端延伸至第三进水槽48的内腔，利用第三水泵14把蚀刻液从第二回收箱4的内腔抽进第三进水槽48的内腔。
其中，第一回收箱3的顶部固定连接有过滤箱5，第二回收箱4的顶部固定连接有另一个过滤箱5，两个过滤箱5的内腔均设置有过滤网8，一个过滤箱5的顶部和底部均固定连接有第一出水管6，一个第一出水管6的一端延伸至第一回收箱3的内腔，另一个第一出水管6的一端延伸至第一进水槽41的内腔，另一个第一出水管6的中部固定安装有第一开关阀9，另一个过滤箱5的顶部和底部均固定连接有第二出水管7，一个第二出水管7的一端延伸至第二回收箱4的内腔，另一个第二出水管7的一端延伸至第二进水孔44的内腔，另一个第二出水管7的中部固定安装有第二开关阀10，利用过滤箱5和过滤网8对从清洗槽17放入到第一回收箱3内腔的清洗液以及从蚀刻槽18放入到第二回收箱4内腔的蚀刻液进行过滤，避免了清洗液和蚀刻液中混入的杂质影响后续传动槽24蚀刻的使用，提高了该用于蚀刻半导体晶片的设备的工作质量。
其中，放置架23的两侧面均开设有滑动槽39，滑动槽39的内腔活动套接有紧固杆54，放置架23的两侧面均固定连接有基块35，两个基块35的顶部均螺纹套接有螺纹柱36，两个螺纹柱36的一端均延伸至基块35的底部且转动连接有支撑环37，两个支撑环37分别与紧固杆54的两端转动连接，通过转动螺纹柱36带动紧固杆54上升，从而便于把晶片放进放置架23的内侧，同时反向转动螺纹柱36可带动紧固杆54下降，便于对放置架23内侧的晶片进行固定。
其中，蚀刻台2的侧面固定安装有伺服电机29，伺服电机29的输出端与转轴27的一端固定连接，利用伺服电机29带动转轴27进行转动。
综上，该用于蚀刻半导体晶片的设备，使用时，首先打开柜门26，旋转螺纹柱36提升紧固杆54的高度，把晶片放在放置架23的内侧，然后反向旋转螺纹柱36降低紧固杆54的高度对晶片进行固定，再然后启动伺服电机29带动转轴27转动，利用转轴27的转动带动第一皮带轮34转动，利用皮带38的传动带动第二皮带轮33、放置架23以及转杆61转动，通过不完全齿轮60和行星齿轮52的啮合传动使得放置架23沿着不完全齿轮60开始转动，同时带动支撑架25转动，扭簧58开始压缩，当行星齿轮52与不完全齿轮60有齿部分刚开始脱离时，扭簧58有带动放置架23复位的趋势，由于皮带38的带动使得第二皮带轮33和行星齿轮52的转动方向还是向着无齿部分，使得放置架23始终处于刚脱离有齿部分的位置处并进行自转，同时转轴27转动时带动第一斜齿轮55转动，利用第一斜齿轮55和第二斜齿轮56的啮合带动旋转杆31和凸轮32发生转动，通过凸轮32挤压连板47带动振动块46在清洗槽17的内腔中发生振动，从而带动清洗液振动，从而促进清洗液与晶片的表面相接触。
当对晶片清洗后，启动伺服电机29带动转轴27反向旋转，放置架23在扭簧58和支撑架25的作用下反向转动，使得放置架23浸入到蚀刻槽18内腔的蚀刻液中，放置架23继续进行自转，振动块46进行振动，从而促进蚀刻液与晶片的表面相接触，当对晶片的表面蚀刻后，再次利用伺服电机29带动支撑架25转动到竖直状态，然后启动电动伸缩杆19带动风机22和接水槽50向前移动，同时启动风机22使得喷头30对传动槽24进行吹风，从而把风机22表面的剩余蚀刻液回收到接水槽50的内腔，当对传动槽24进行蚀刻吹干后，开启第一开关阀9和第二开关阀10，分别把清洗槽17内腔的清洗液和蚀刻槽18内腔的蚀刻液排到两个过滤箱5中，利用过滤网8对清洗液和蚀刻液中的杂质进行过滤，过滤完的清洗液和蚀刻液分别回收到第一回收箱3和第二回收箱4的内腔。
当需要再次使用时，启动第一水泵11把第一回收箱3内腔的清洗液抽到清洗槽17的内腔，启动第二水泵12把第二回收箱4内腔的蚀刻液抽到蚀刻槽18的内腔，即可。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
1.一种用于蚀刻半导体晶片的设备，包括机壳（1）、放置架（23），其特征在于：所述机壳（1）的正面铰接有柜门（26），所述机壳（1）内腔的中部固定连接有蚀刻台（2），所述蚀刻台（2）的内部开设有清洗槽（17）和蚀刻槽（18），所述蚀刻台（2）的中部且位于清洗槽（17）、蚀刻槽（18）的内腔设置有不完全齿轮（60），所述蚀刻台（2）的中部转动连接有转轴（27），所述转轴（27）与不完全齿轮（60）活动套接，所述转轴（27）的表面固定套接有第一斜齿轮（55），所述转轴（27）的表面固定套接有第一皮带轮（34），所述蚀刻台（2）中部的内侧固定连接有固定套（57），所述固定套（57）与转轴（27）活动套接，所述固定套（57）的数量为两个，两个所述固定套（57）的侧面均转动连接有支撑架（25），两个所述固定套（57）的侧面均设置有扭簧（58），所述扭簧（58）的一端与固定套（57）固定连接，所述扭簧（58）的另一端与支撑架（25）的侧面固定连接，所述放置架（23）的两端均固定连接有转杆（61），两个所述转杆（61）的一端分别固定连接有连接套（40），所述连接套（40）的内部转动连接有连接杆（53），所述连接杆（53）的一端贯穿支撑架（25）的内部且螺纹安装有蝶形螺母（28），一个所述转杆（61）的表面固定套接有第二皮带轮（33），所述第二皮带轮（33）通过皮带（38）与第一皮带轮（34）传动连接，一个所述转杆（61）的表面固定套接有行星齿轮（52），所述行星齿轮（52）与不完全齿轮（60）相互啮合，所述蚀刻台（2）的内部开设有间歇振动清洗液或蚀刻液振动的振动装置。
2.根据权利要求1所述的一种用于蚀刻半导体晶片的设备，其特征在于：所述振动装置包括设置在蚀刻台（2）内部的传动槽（24），所述传动槽（24）的内腔转动连接有旋转杆（31），所述旋转杆（31）的一端延伸至蚀刻台（2）的顶部且固定套接有第二斜齿轮（56），所述第二斜齿轮（56）与第一斜齿轮（55）相啮合，所述旋转杆（31）的表面固定套接有凸轮（32），所述清洗槽（17）与蚀刻槽（18）的内壁均固定连接有弹簧（45），所述弹簧（45）的一端固定连接有振动块（46），所述振动块（46）的内侧固定连接有连杆（59），所述连杆（59）的一端活动套接至传动槽（24）的内腔且固定连接有连板（47），所述连板（47）的侧面与凸轮（32）的侧面相贴合。
3.根据权利要求1所述的一种用于蚀刻半导体晶片的设备，其特征在于：所述机壳（1）的内壁固定连接有电动伸缩杆（19），所述电动伸缩杆（19）的输出轴固定连接有推动板（20），所述推动板（20）的侧面固定连接有支撑板（21），所述支撑板（21）的底部固定安装有喷头（30），所述支撑板（21）的顶部固定安装有风机（22），所述风机（22）的输出端与喷头（30）的一端固定连接，所述推动板（20）的侧面固定连接有接水槽（50），所述接水槽（50）的内腔设置有吸水棉（51）。
4.根据权利要求1所述的一种用于蚀刻半导体晶片的设备，其特征在于：所述蚀刻台（2）的内部开设有第一进水槽（41），所述蚀刻台（2）的内部开设有第一进水孔（42），所述蚀刻台（2）的内部开设有第二进水槽（43），所述蚀刻台（2）的内部开设有第二进水孔（44），所述蚀刻台（2）的内部开设有第三进水槽（48），所述蚀刻台（2）的内部开设有第三进水孔（49）。
5.根据权利要求1所述的一种用于蚀刻半导体晶片的设备，其特征在于：所述机壳（1）内腔的底部固定连接有第一回收箱（3），所述机壳（1）内腔的底部固定连接有第二回收箱（4），所述第一回收箱（3）的顶部固定安装有第一水泵（11），所述第一水泵（11）的输入端与输出端均固定连接有第一抽水管（16），一个所述第一抽水管（16）的一端延伸至第一回收箱（3）的内腔，另一个所述第一抽水管（16）的一端延伸至第一进水槽（41）的内腔，所述第二回收箱（4）的顶部固定安装有第二水泵（12），所述第二水泵（12）的输入端与输出端均固定连接有第二抽水管（13），一个所述第二抽水管（13）的一端延伸至第二回收箱（4）的内腔，另一个所述第二抽水管（13）的一端延伸至第二进水孔（44）的内腔，所述第二回收箱（4）的顶部固定安装有第三水泵（14），所述第三水泵（14）的输入端与输出端均固定连接有第三抽水管（15），一个所述第三抽水管（15）的一端延伸至第二回收箱（4）的内腔，另一个所述第三抽水管（15）的一端延伸至第三进水槽（48）的内腔。
6.根据权利要求5所述的一种用于蚀刻半导体晶片的设备，其特征在于：所述第一回收箱（3）的顶部固定连接有过滤箱（5），所述第二回收箱（4）的顶部固定连接有另一个过滤箱（5），两个所述过滤箱（5）的内腔均设置有过滤网（8），一个所述过滤箱（5）的顶部和底部均固定连接有第一出水管（6），一个所述第一出水管（6）的一端延伸至第一回收箱（3）的内腔，另一个所述第一出水管（6）的一端延伸至第一进水槽（41）的内腔，另一个所述第一出水管（6）的中部固定安装有第一开关阀（9），另一个所述过滤箱（5）的顶部和底部均固定连接有第二出水管（7），一个所述第二出水管（7）的一端延伸至第二回收箱（4）的内腔，另一个所述第二出水管（7）的一端延伸至第二进水孔（44）的内腔，另一个所述第二出水管（7）的中部固定安装有第二开关阀（10）。
7.根据权利要求1所述的一种用于蚀刻半导体晶片的设备，其特征在于：所述放置架（23）的两侧面均开设有滑动槽（39），所述滑动槽（39）的内腔活动套接有紧固杆（54），所述放置架（23）的两侧面均固定连接有基块（35），两个所述基块（35）的顶部均螺纹套接有螺纹柱（36），两个所述螺纹柱（36）的一端均延伸至基块（35）的底部且转动连接有支撑环（37），两个所述支撑环（37）分别与紧固杆（54）的两端转动连接。
8.根据权利要求1所述的一种用于蚀刻半导体晶片的设备，其特征在于：所述蚀刻台（2）的侧面固定安装有伺服电机（29），所述伺服电机（29）的输出端与转轴（27）的一端固定连接。
技术总结