本发明涉及等离子体技术领域，具体为一种等离子体用烧结金属气体分布环。
背景技术：
等离子源是镀膜工艺中的核心部件，而气体分布环为中空结构且安装于等离子源内，气体分布环可将氧气通入等离子源的电离室内，进而可对氧气进行电离。
但是，现有的气体分布环内环侧面上开设有若干较大的通气孔，在出气的过程中会有气射流的存在，气射流会导致气体出气不均匀，局部浓度过大，使得气体分布不均匀，进而易损坏等离子源中的配件，甚至会损坏整个等离子源。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种等离子体用烧结金属气体分布环，以解决上述背景技术中提出的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：一种等离子体用烧结金属气体分布环，包括气体分布环本体，所述气体分布环本体内环的侧面烧结有金属圆环，所述金属圆环上设有间隔不等的若干通气孔。
所述金属圆环为金属颗粒整体烧结而成。
所述金属圆环上通气孔的直径为5-20um。
所述金属圆环上通气孔的间距在40-80um之间。
与现有技术相比，本发明所达到的有益效果是：
本发明气体分布环本体内环的侧面烧结有金属圆环，金属圆环上均匀间隔的设有若干通气孔，整个圆环均可以出气，出气均匀，气体分布均匀，气体电离效率高，进而可使得离子在电离室内分布均匀，同时，可增大氧气的出气量，增强了镀膜工艺的有效性。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明的结构示意图；
图2是改进前气体分布环的结构示意图；
图中：1气体分布环本体；2金属圆环。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，本发明提供技术方案：一种等离子体用烧结金属气体分布环，包括气体分布环本体1，所述气体分布环本体1内环的侧面烧结有金属圆环2，所述金属圆环2上设有间隔不等的若干通气孔。
所述金属圆环2为金属颗粒整体烧结而成。
所述金属圆环2上通气孔的直径为5-20um。
所述金属圆环2上通气孔的间距在40-80um之间。
图2所示，现有的气体分布环内环侧面上开设有若干较大的通气孔，在出气的过程中会有气射流的存在，气射流会导致气体出气不均匀，局部浓度过大，使得气体分布不均匀。
本发明气体分布环本体1内环的侧面烧结有金属圆环2，金属圆环2上均匀间隔的设有若干通气孔，整个圆环均可以出气，出气均匀，气体分布均匀，气体电离效率高，进而可使得离子在电离室内分布均匀，同时，可增大氧气的出气量，增强了镀膜工艺的有效性。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
1.一种等离子体用烧结金属气体分布环，其特征在于：包括气体分布环本体，所述气体分布环本体内环的侧面烧结有金属圆环，所述金属圆环上设有间隔不等的若干通气孔。
2.根据权利要求1所述的等离子体用烧结金属气体分布环，其特征在于：所述金属圆环为金属颗粒整体烧结而成。
3.根据权利要求1所述的等离子体用烧结金属气体分布环，其特征在于：所述金属圆环上通气孔的直径为5-20um。
4.根据权利要求1所述的等离子体用烧结金属气体分布环，其特征在于：所述金属圆环上通气孔的间距在40-80um之间。
技术总结