本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种光刻胶涂布方法。
背景技术：
光刻工艺是半导体制造领域中最关键的工艺之一。光刻工艺将预先设计的图形转移到衬底表面的光刻胶中，光刻工艺的主要步骤包括涂胶、曝光、显影，其中，涂胶工艺的目的是在衬底表面形成均匀的光刻胶膜层。
光刻工艺中的cd(criticaldimension，关键尺寸)受光刻胶厚度的影响较大。对于部分光刻层次，由于前一层结构中存在高台阶，容易造成不同位置的光刻胶厚度差异较大，进而导致cd的均匀性较差。
技术实现要素：
为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种光刻胶涂布方法。该技术方案如下：
第一方面，本申请实施例提供了一种光刻胶涂布方法，该方法包括：
在晶圆承载台上放置晶圆；
向晶圆表面喷涂光刻胶；
驱动晶圆承载台带动晶圆转动，转速大于2000转/分钟，旋转时间小于2秒；
驱动晶圆承载台带动晶圆在预定时间内按预定转速转动。
可选的，驱动晶圆承载台带动晶圆在预定时间内按预定转速转动，包括：
驱动晶圆承载台带动晶圆在预定时间内按预定转速进行两次转动。
可选的，当晶圆的尺寸为12寸时，预定转速为不大于2000转/分钟的转速。
可选的，当晶圆的尺寸为8寸时，预定转速为不大于3500转/分钟的转速。
可选的，当晶圆的尺寸为6寸时，预定转速为不大于4500转/分钟的转速。
本申请技术方案，至少包括如下优点：
通过在晶圆承载台上放置晶圆，向晶圆表面喷涂光刻胶，驱动晶圆承载台带动晶圆进行短时间地高速转动，再驱动晶圆承载台带动晶圆在预定时间内按预定转速转动，完成晶圆表面光刻胶的涂布；解决了目前当晶圆表面存在高台阶结构时，光刻胶旋涂后影响cd均匀性的问题；达到了提高涂布光刻胶的随行性，令晶圆表面的光刻胶膜厚更加均匀，改善图形cd均匀性的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的光刻胶涂布方法的流程图；
图2是本申请实施例提供的一种晶圆涂布光刻胶后的局部示意图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
请参考图1，其示出了本申请实施例提供的一种光刻胶涂布方法的流程图，该方法至少包括如下步骤：
步骤101，在晶圆承载台上放置晶圆。
将晶圆放置在晶圆承载台上，向晶圆喷淋预湿溶剂对晶圆进行预湿。
步骤102，向晶圆表面喷涂光刻胶。
利用光刻胶喷头向晶圆喷涂光刻胶。
步骤103，驱动晶圆承载台带动晶圆转动，转速大于2000转/分钟，旋转时间小于2秒。
为了令带有高台阶的晶圆在涂布光刻胶后，光刻胶膜层的随行性(conformal)更好，在进行光刻胶的主旋涂之前，先进行一次预旋涂，即采用大于2000转/分钟的转速，令晶圆旋转小于2秒。
步骤104，驱动晶圆承载台带动晶圆在预定时间内按预定转速转动。
对晶圆进行光刻胶的主旋涂，晶圆表面所期望的光刻胶的膜厚决定该步骤中的转速和转动时间。
预定时间和预定转速提前根据晶圆尺寸、所期望的光刻胶的膜厚确定。
经过步骤104的光刻胶旋涂后，晶圆表面均匀地布满光刻胶膜层。
在一个例子中，如图2所示，晶圆21表面带有高台阶结构22，经过步骤102至步骤104的光刻胶旋涂后，光刻胶23在不同位置的厚度接近，有利于提高晶圆表面图形的cd均匀性。
综上所述，本申请实施例提供的光刻胶涂布方法，通过在晶圆承载台上放置晶圆，向晶圆表面喷涂光刻胶，驱动晶圆承载台带动晶圆进行短时间地高速转动，再驱动晶圆承载台带动晶圆在预定时间内按预定转速转动，完成晶圆表面光刻胶的涂布；解决了目前当晶圆表面存在高台阶结构时，光刻胶旋涂后影响cd均匀性的问题；达到了提高涂布光刻胶的随行性，令晶圆表面的光刻胶膜厚更加均匀，改善图形cd均匀性的效果。
在基于图1所示实施例的可选实施例中，上述步骤104可以按如下方式实现：
驱动晶圆承载台带动晶圆在预定时间内按预定转速进行两次转动。
先驱动晶圆承载台带动晶圆进行第一次主旋涂；再驱动晶圆承载台带动晶圆进行第二次主旋涂；第一次主旋涂的时间和第二次主旋涂的时间预先确定；第一次主旋涂的转速和第二次主旋涂的转速预先确定。
可选的，第一次主旋涂的时间大于第二次主旋涂的时间。
可选的，第一次主旋涂的转速和第二次主旋涂的转速相同，或，第一次主旋涂的转速和第二次主旋涂的转速不相同。
在进行光刻胶涂布过程中的主旋涂时，根据晶圆尺寸的不同，预定转速也不相同。
可选的，当晶圆的尺寸为12寸时，预定转速为不大于2000转/分钟的转速。
可选的，当晶圆的尺寸为8寸时，预定转速为不大于3500转/分钟的转速。
可选的，当晶圆的尺寸为6寸时，预定转速为不大于4500转/分钟的转速。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。
1.一种光刻胶涂布方法，其特征在于，所述方法包括：
在晶圆承载台上放置晶圆；
向所述晶圆表面喷涂光刻胶；
驱动所述晶圆承载台带动所述晶圆转动，转速大于2000转/分钟，旋转时间小于2秒；
驱动所述晶圆承载台带动所述晶圆在预定时间内按预定转速转动。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述驱动所述晶圆承载台带动所述晶圆在预定时间内按预定转速转动，包括：
驱动所述晶圆承载台带动所述晶圆在预定时间内按预定转速进行两次转动。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述晶圆的尺寸为12寸时，所述预定转速为不大于2000转/分钟的转速。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述晶圆的尺寸为8寸时，所述预定转速为不大于3500转/分钟的转速。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述晶圆的尺寸为6寸时，所述预定转速为不大于4500转/分钟的转速。
技术总结