本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种聚焦环。
背景技术：
在半导体制造中，从晶圆到芯片会经历多种工艺过程，比如：氧化、扩散、离子注入、光刻、刻蚀、金属化、cvd等。在这些工艺过程中，晶圆会面临划伤、酸污染、翘曲、表面颗粒污染等问题。
晶圆表面的颗粒污染会对晶圆造成致命的缺陷，解决颗粒污染问题是晶圆厂持续关注的课题。以晶圆刻蚀为例，如图1所示，当晶圆11被静电吸附盘12吸附住时，静电吸附盘12的外周设置有聚焦环13。由于晶圆的尺寸大于静电吸附盘的尺寸，在刻蚀过程中，产生的聚合物颗粒会在晶圆边缘和机台上积累。
聚合物颗粒不仅会影响晶圆良率，还会对机台产生影响，造成气体(氦气)流量增高、机台宕机等问题。
技术实现要素：
为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种聚焦环。该技术方案如下：
一方面，本申请实施例提供了一种聚焦环，包括环体，所述环体的顶面宽度小于所述环体的底面宽度；
在所述环体的内侧，所述顶面与所述底面之间设置有台阶面；
所述台阶面的表面为粗糙面，所述台阶面的粗糙度范围为1.5μm至3.5μm。
可选的，所述台阶面的表面通过喷砂工艺形成有无固定纹路的凸起。
可选的，所述粗糙面的材料为硅，或，碳化硅，或，石英。
可选的，所述台阶面包括1个斜面和和1个平面；
所述斜面和所述平面的表面均为粗糙面；
或，
所述平面的表面为粗糙面。
本申请技术方案，至少包括如下优点：
本申请实施例提供的聚焦环，包括环体环体的顶面宽度小于环体的底面宽度，在环体的内侧，顶面和底面之间设置有台阶面，台阶面的表面为粗糙面，台阶面的粗糙度范围为1.5μm至3.5μm；解决了目前晶圆固定在静电吸附盘上进行工艺制程时，颗粒缺陷影响产品良率和机台工作的问题；达到了提高晶圆良率、减少颗粒缺陷对工艺制程的不良影响的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是目前聚焦环的使用示意图；
图2是本申请实施例提供的一种聚焦环的俯视图；
图3是本申请一实施例提供的聚焦环的使用示意图；
图4是本申请另一实施例提供的聚焦环的使用示意图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
本申请实施例提供的一种聚焦环，该聚焦环包括环体，环体的顶面宽度小于环体的底面宽度。
如图2所示，在环体21的内侧，顶面22与底面之间设置有台阶面23。
台阶面的表面为粗糙面，台阶面的粗糙度范围为1.5μm至3.5μm。
台阶面的表面通过喷砂工艺形成有无固定纹路的凸起，该无固定纹路的凸起令台阶面的表面粗糙，提升聚焦环对聚合物的附着力。
可选的，粗糙面的材料为硅，或，碳化硅，或，石英。
由于聚焦环上的粗糙面是通过喷砂工艺制作的，聚焦环的环体结构不会被破坏。
聚焦环的顶面和底面仍为光滑平面。
如图3所示，环体21的顶面22和底面23之间的台阶面包括1个斜面25和1个平面24。
在一个例子中，聚焦环21上的斜面25和平面24的表面均为粗糙面，如图3所示。
当对静电吸附盘12上吸附的晶圆11进行工艺处理时，气流方向为从晶圆11向静电吸附盘12下方流动，由于聚焦环21上的斜面25和平面24比晶圆和其他设备的表面更粗糙，聚焦环21的斜面25和平面24可以更多地吸附聚合物颗粒，避免聚合物颗粒聚集在晶圆边缘和静电吸附盘上，实现提高晶圆良率、减少颗粒缺陷对工艺制程的不良影响的效果。
在另一个例子中，如图4所示，聚焦环21上的平面24的表面为粗糙面。
当静电吸附盘12上吸附有晶圆11时，聚焦环21上的平面24会被晶圆11遮挡，当有聚合物颗粒经过时，由于平面24的表面为粗糙面，聚合物颗粒会黏附在平面24上，避免聚合物颗粒聚集在晶圆边缘和静电吸附盘上，实现提高晶圆良率、减少颗粒缺陷对工艺制程的不良影响的效果。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。
1.一种聚焦环，其特征在于，包括环体，所述环体的顶面宽度小于所述环体的底面宽度；
在所述环体的内侧，所述顶面与所述底面之间设置有台阶面；
所述台阶面的表面为粗糙面，所述台阶面的粗糙度范围为1.5μm至3.5μm。
2.根据权利要求1所述的聚焦环，其特征在于，所述台阶面的表面通过喷砂工艺形成有无固定纹路的凸起。
3.根据权利要求1所述的聚焦环，其特征在于，所述粗糙面的材料为硅，或，碳化硅，或，石英。
4.根据权利要求1所述的聚焦环，其特征在于，所述台阶面包括1个斜面和和1个平面；
所述斜面和所述平面的表面均为粗糙面；
或，
所述平面的表面为粗糙面。
技术总结