本发明涉及光学装置、物品制造方法以及光学部件制造方法。
背景技术：
在具备透镜、反射镜等光学元件的曝光装置中，由于伴随紫外光的照射在光学元件的表面堆积污染物质而光学性能(透射率、反射率)降低。在专利文献1中，记载有在石英玻璃基板上设置有由光触媒物质构成的厚度5以上50以下的光触媒膜的光学部件。在专利文献2中，记载有多层反射防止膜，交替层叠低折射率层以及高折射率层，最上层由低折射率层构成，至少最上层的正下的高折射率层由具有光触媒活性的金属氧化物层构成。在专利文献3中，记载有具有最表面的低折射率透明膜、和设置于该低折射率透明膜的下层的高折射率透明膜的反射防止膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005-345812号公报
专利文献2：日本特开2000-329904号公报
专利文献3：日本特开2008-003390号公报
技术实现要素：
在曝光装置等光学装置中，在光学元件的表面设置包含光触媒膜的光学膜时，光被该光触媒膜吸收，入射到被照射面的光的强度可能降低。
本发明的目的在于提供一种适合于解决由于到达被照射面的光的强度降低而产生的问题的技术。
本发明的第1侧面涉及光学装置，所述光学装置具备：光源，射出具有连续的波长域的光；以及至少1个光学元件，设置有包含光触媒膜的光学膜，从所述光源射出的光经由所述至少1个光学元件入射到被照射面，其中，从所述光源射出并经由所述至少1个光学元件入射到所述被照射面的光的波长域的下限波长由所述光触媒膜的光吸收特性决定。
本发明的第2侧面涉及物品制造方法，所述物品制造方法具有：曝光工序，使用所述第1侧面所涉及的光学装置，对基板上的感光材料进行曝光；以及显影工序，使所述感光材料显影，所述感光材料在所述下限波长下具有感光性，根据经历了所述显影工序的所述基板得到物品。
本发明的第3侧面涉及制造光学部件的光学部件制造方法，所述光学部件制造方法包括在光学元件上形成包含光触媒膜的光学膜的处理工序，所述处理工序包括以使所述光触媒膜的光吸收波长成为目标光吸收波长的方式形成所述光触媒膜的成膜工序。
本发明提供适合于解决由于到达被照射面的光的强度降低而产生的问题的技术。
附图说明
图1是示出第1至第4实施方式的光学装置的结构的图。
图2是例示光源部的汞灯的发光波长的图。
图3是例示1个面量的反射防止膜的分光透射率的图。
图4是例示40个面量的反射防止膜的分光透射率的图。
图5是示出第1至第4反射防止膜(光学膜)或者光学部件的结构的图。
图6是将作为光触媒使用hfo2膜的情况的曝光装置中的曝光光的分光特性标准化而成的图。
图7是将作为光触媒使用ta2o5膜的情况的曝光装置中的曝光光的分光特性标准化而成的图。
图8是将作为光触媒使用tio2膜的情况的曝光装置中的曝光光的分光特性标准化而成的图。
图9是将以往的曝光装置中的曝光光(入射到基板上的感光材料的光)的分光特性标准化而成的图。
(符号说明)
101：汞灯；7：反射防止膜；700：光学元件；702：高折射率膜(光触媒膜)。
具体实施方式
以下，参照附图，详细说明实施方式。此外，以下的实施方式不限定权利要求书所涉及的发明。在实施方式中记载了多个特征，但这些多个特征未必在发明中全部必须，并且，多个特征也可以任意地组合。进而，在附图中，对同一或者同样的结构附加同一参照编号，重复的说明省略。
在图1中，示意地示出第1实施方式的光学装置100的结构。光学装置100例如可以构成为对基板上的感光材料(光致抗蚀剂)进行曝光以将原版的图案转印到该感光材料的曝光装置或者其构成要素(例如照明光学系统、投影光学系统等)。在此，为了提示更具体的例子，说明光学装置100构成为曝光装置的例子。
构成为曝光装置的光学装置100可以具备光源部1、照明光学系统2、投影光学系统3、原版载置台部4以及基板载置台部5等多个块。可以在多个块中的相互相邻的块彼此的边界，配置密封玻璃6(密封窗)。密封玻璃6典型地是不具有光学上的功率的光学元件。在此，密封玻璃6这样的表现被用于说明密封玻璃61、62、63、64的全部或者至少1个。
在光源部1和照明光学系统2的边界中，配置有密封玻璃61，将光源部1和照明光学系统2分离。在照明光学系统2和原版载置台部4的边界中，配置有密封玻璃62，通过密封玻璃62将照明光学系统2和原版载置台部4分离。在原版载置台部4和投影光学系统3的边界，配置有密封玻璃63，通过密封玻璃63将原版载置台部4和投影光学系统3分离。在投影光学系统3和基板载置台部5的边界，配置有密封玻璃64，通过密封玻璃64将投影光学系统3和基板载置台部5分离。构成光源部1的多个零件可以配置于开放或者封闭的1个空间。
构成照明光学系统2的多个零件可以配置于开放或者封闭的1个空间。构成原版载置台部4的多个零件可以配置于开放或者封闭的1个空间。构成投影光学系统3的多个零件可以配置于开放或者封闭的1个空间。构成基板载置台部5的多个零件可以配置于开放或者封闭的1个空间。
光源部1例如可以包括汞灯101以及椭圆反射镜102。汞灯101是射出具有连续的波长域的光的光源的一个例子。照明光学系统2例如可以包括反射镜201、透镜203、蝇眼透镜204、透镜205、反射镜206、狭缝部件207以及透镜(成像光学系统)208。投影光学系统3例如可以包括反射镜301、凹面反射镜302、凸面反射镜303以及反射镜304。原版载置台部4可以包括保持原版41的原版载置台42、和驱动原版载置台42的原版载置台驱动机构(未图示)。基板载置台部5可以包括保持基板51的基板载置台52、和驱动基板载置台52的基板载置台驱动机构(未图示)。
从光源部1的汞灯101发出的光被椭圆反射镜102反射，通过密封玻璃61，被反射镜201反射，聚光到椭圆反射镜102的第2焦点面202。聚光到第2焦点面202的光通过透镜203，入射到蝇眼透镜204的入射面，从蝇眼透镜204的射出面射出，通过透镜205，被反射镜206反射，对配置有狭缝部件207的面进行科勒照明。狭缝部件207具有狭缝开口，入射到配置有狭缝部件207的面的光通过该狭缝开口，进而通过透镜208、密封玻璃62对原版41进行临界照明。
对原版41照明的光在原版41中衍射。在原版41中衍射的光通过密封玻璃63，被反射镜301、凹面反射镜302、凸面反射镜303反射，进而被凹面反射镜302、反射镜304反射，通过密封玻璃64，在基板51上的感光材料上成像。保持原版41的原版载置台42和保持基板51的基板载置台52在与图1的y方向平行的方向上被扫描驱动。由此，将原版41的图案作为潜像转印到基板51上的感光材料。潜像经由显影工序被变换为物理性的图案。配置于汞灯101(光源)与基板51之间的光路的部件的全部或者一部分在该说明书中被表现为光学元件或者光学部件。
在图9中，示出在以往的曝光装置中为了对基板(的感光材料)进行曝光而使用的光的分光特性。在以往的曝光装置中，将汞灯的包含i线、h线、g线的亮线谱的340nm～450nm的波长域的光用作曝光光。在显示设备等设备的制造中，为了应对针对高精细化的要求而提高曝光装置的析象能力，将曝光光的波长域向短波长侧扩展是有利的。例如，在作为感光材料(光致抗蚀剂)使用酯醛树脂型抗蚀剂的情况下，与其灵敏度特性相匹配地，使入射到酯醛树脂型抗蚀剂的光(即曝光光)的波长域的短波长侧的波长、即波长域的下限波长成为290nm是有用的。
但是，在使曝光装置中的曝光光的波长域的下限波长成为290nm时，由于以往未使用的290nm～340nm的光，在曝光装置内的光学元件的表面，由于光化学反应引起的污染物质的堆积被促进。因此，需要防止污染物质堆积到光学元件的表面的技术。
在图2中，将在使图1的光源部1的汞灯101成为deepuv型的情况下汞灯101产生的光的分光特性进行标准化而示出。汞灯101产生的光的波长域的下限波长是240nm，是比曝光光的波长域的下限波长即290nm短的波长侧。
在图3、图4中，示出设置于光学元件的反射防止膜(光学膜)包含光触媒膜的情况下的该反射防止膜的分光特性。在图3、图4中，示出作为光触媒膜使用hfo2膜、ta2o5膜、tio2膜的情况的反射防止膜的分光透射率。在图3中，示出1个面量的反射防止膜的分光透射率。在图4中，示出40个面量的反射防止膜的分光透射率。40个面量的反射防止膜的分光透射率可以相当于光学装置100的整体、即从汞灯101到基板51的光路中的分光透射率。40面可以是20个光学元件中的各个元件的2个面。虚线81、801表示光触媒膜是hfo2膜的情况的反射防止膜的分光透射率。实线82、802表示光触媒膜是ta2o5膜的情况的反射防止膜的分光透射率。虚线83、803表示光触媒膜是tio2膜的情况的反射防止膜的分光透射率。如图4所示，作为光触媒膜使用hfo2膜的反射防止膜吸收260nm以下的光。作为光触媒膜使用ta2o5膜的反射防止膜吸收320nm以下的光。作为光触媒膜使用tio2膜的反射防止膜吸收410nm以下的光。
在图6、图7、图8中，分别将采用了使用hfo2膜的反射防止膜、使用ta2o5膜的反射防止膜、使用tio2膜的反射防止膜的曝光装置中的曝光光(入射到基板51上的感光材料的光)的分光特性进行标准化而示出。在使用图6所示的hfo2膜的反射防止膜的情况下，曝光装置中的曝光光的波长域的下限波长是240nm，与deepuv型的汞灯101产生的光的波长域的下限波长相同。由此，可知使用hfo2的反射防止膜的光吸收少，在使用hfo2的反射防止膜中，由于光吸收引起的光触媒活性的呈现极其弱。本发明者通过实验确认，在使用hfo2膜的反射防止膜的表面中，由于光吸收引起的光触媒活性极其弱，所以由于光化学反应在光学元件中堆积污染物质。
可知在使用了图7所示的ta2o5膜的反射防止膜的情况下，作为曝光装置的光学装置100中的曝光光的波长域的下限波长是290nm，适合于酯醛树脂型抗蚀剂的灵敏度特性。本发明者通过实验确认，在使用了ta2o5膜的反射防止膜的表面，呈现由于光吸收引起的光触媒活性，不产生由于光化学反应引起的污染物质向光学元件的堆积。在使用酯醛树脂型抗蚀剂的情况下，在光学装置100中的曝光光的波长域的下限波长是290nm时，具有小于290nm的波长的光被光触媒膜吸收，防止针对光学元件(光学部件)的污染物质的堆积。另外，具有290nm以上的波长的光对酯醛树脂型抗蚀剂的感光作出贡献。而且，具有光触媒膜的反射防止膜关于对酯醛树脂型抗蚀剂的感光作出贡献的波长的光具有高的透射率。因此，本实施方式有利于解决由于到达被照射面的光的强度降低而产生的问题。
酯醛树脂型抗蚀剂在作为曝光光的波长域的下限波长的290nm处具有感光性。或者，酯醛树脂型抗蚀剂在作为曝光光的波长域的下限波长的290nm处，可具有该抗蚀剂的最大灵敏度的10％以上、或者20％以上、或者30％以上、或者40％以上、或者50％以上的灵敏度。
可知在图8所示的使用了tio2膜的反射防止膜的情况下，曝光装置中的曝光光的波长域的下限波长是370nm，是比以往的曝光装置中的曝光光的波长域的下限波长即波长340nm长的波长。由此，可知使用了tio2膜的反射防止膜不适合于使曝光装置中的曝光光的波长域的下限波长与酯醛树脂型抗蚀剂的灵敏度特性相匹配地短波长化的目的。
在图5中，示意地示出本实施方式的反射防止膜(光学膜)7或者光学部件70的构造。光学部件70包括光学元件700、和配置于光学元件700上的反射防止膜7。在反射防止膜7的层结构中，没有特别的限制，但在图5的例子中，反射防止膜7具有配置于光学元件700上的高折射率层704、低折射率层703、高折射率层702、以及低折射率层701这4层。低折射率层701是反射防止膜7的最上层、即向空间露出的层。高折射率层702是最上层的正下的高折射率层，由光触媒膜构成。反射防止膜7为了在较宽的波长域内将由于光学部件70引起的光的反射抑制得较低，最好最上层由低折射率层701构成，最上层的正下的层用由光触媒膜构成的高折射率层702构成。
在1个结构例中，高折射率层704由hfo2膜构成，低折射率层703由sio2膜构成，高折射率层702由ta2o5膜构成，低折射率层701由sio2膜构成，曝光光的波长域的下限是290nm。作为高折射率层702的ta2o5膜作为光触媒膜发挥功能。此外，在高折射率层704中，hfo2膜的光触媒活性极其低，hfo2膜未作为光触媒膜发挥功能。作为低折射率层701的sio2膜是最上层。在其他观点中，作为低折射率层701的sio2膜是覆盖作为光触媒膜的ta2o5膜的表面膜。
光学装置100具备设置有包含光触媒膜的反射防振膜(光学膜)7的至少1个光学元件，可以理解为从光源射出的光经由该至少1个光学元件入射到被照射面的光学装置的一个例子。在光学装置100中，从该光源射出并经由该至少1个光学元件入射到该被照射面的光的波长域的下限波长由该光触媒膜的光吸收特性决定。反射防止膜7可以配置于在光源与基板之间的光路上配置的至少1个光透射型光学元件的1个或者2个面。
也可对椭圆反射镜102、反射镜201、反射镜206、反射镜301、凹面反射镜302、凸面反射镜303、反射镜304等反射镜的全部或者一部分，设置包含光触媒膜的反射增加膜(光学膜)。在包含于该反射增加膜的光触媒膜中，可以应用包含于上述反射防止膜的光触媒膜。包含光触媒膜的反射防止膜也可以设置于带通滤光片、nd滤光片等光学元件。
以下，说明第2实施方式。未作为第1实施方式言及的事项可以遵从第1实施方式。构成光学装置100的多个光学元件中的越远离作为光源的汞灯101的光学元件，由于反射防止膜的光触媒膜引起的光吸收越少而光触媒活性变得越弱。在第2实施方式中，限定设置有包含光触媒膜的反射防止膜的光学元件。
首先，说明分别配置有光源部1、照明光学系统2、投影光学系统3、原版载置台部4以及基板载置台部5的5个空间中的空气的清洁度。在光源部1中，为了汞灯101的冷却需要大量的空气，所以通常，针对配置有构成光源部1的多个零件的空间，可以直接引入清洁室的空气，用作冷却用的空气。因此，在光源部1的空间中，相比于其他4个空间，存在较多污染物质。例如，存在外部气体中包含的化学污染物质、在制造装置中使用的工艺材料所引起的化学污染物质、操作人员的汗、呼气等中包含的化学污染物质、从清洁室的内壁等渗出的化学污染物质等被引入到光源部1的空间的可能性。
关于照明光学系统2以及投影光学系统3，易于在封闭的闭空间内维持构成这些的多个零件，所以照明光学系统2的空间以及投影光学系统3的空间与其他空间相比，能够将空间的清洁度保持得最高。例如，考虑在空间内充满cda(清洁干燥空气)而将该空间保持为正压、或者、用经由使用了化学过滤器的专用的循环空调后的空气将该空间保持为正压。在专用的循环空调中，用cda(清洁干燥空气)补充与在将封闭空间的内部保持为正压时漏出的空气的量相当的空气，所以能够将在专用的循环空调中使用的化学过滤器的寿命保持得较长。
使用经由搭载于储存曝光装置的本体部分的腔的化学过滤器导入的清洁室的空气，将原版载置台部4的空间保持为正压。关于原版载置台部4，通常，在与连接于原版载置台部4的原版保管场所(未图示)之间搬送原版时原版载置台部4的正压弱，但由于原版保管场所的空气的清洁度高，所以污染物质侵入到原版载置台部4的可能性低。但是，为了以将腔内保持为正压的方式始终吸引清洁室的空气并供给到腔内，必须与清洁室的空气的污染度相匹配地适宜更换搭载于腔的化学过滤器。因此，在未更换化学过滤器的情况下，搭载于腔的化学过滤器的污染物质的去除能力降低，在清洁室的空气中存在的污染物质有侵入到原版载置台部4的可能性。
另外，存在如后所述污染物质从与基板载置台部5连接的涂覆显影设备(未图示)侵入到基板载置台部5，该污染物质经由曝光装置内的间隙侵入到原版载置台部4的可能性。
使用经由搭载于储存曝光装置的本体部分的腔的化学过滤器导入的清洁室的空气，将基板载置台部5的空间保持为正压。但是，通常，对基板载置台部5连接涂覆显影设备，在涂覆显影设备与光学装置100之间搬送基板。在这样的基板的搬送时，基板载置台部5的空间的正压变弱，在涂覆显影设备中产生的感光材料等工艺材料所引起的污染物质可能侵入到基板载置台部5的空间。另外，在未更换化学过滤器的情况下，搭载于腔的化学过滤器的污染物质的去除能力降低，存在清洁室的空气中存在的污染物质侵入到基板载置台部5的可能性。
在考虑上述5个空间内的空气的清洁度时，可以说相对照明光学系统2以及投影光学系统3的内部的光学元件，使用包含光触媒膜的反射防止膜的必要性低。因此，在第2实施方式中，可针对在光学装置100具有的多个空间中的相互相邻的空间的边界处配置的光学元件、换言之将空间和空间分离的光学元件、具体而言密封玻璃6，设置包含光触媒膜的反射防止膜7。在其他观点中，从汞灯101(光源)射出的光经由多个空间入射到被照射面(基板上的感光材料)，可在汞灯101与被照射面之间的光路中，配置包含光触媒膜的至少1个光学元件700。该至少1个光学元件700可以包括在该多个空间中的相互相邻的空间的边界处配置的光学元件。
可以在光学装置100具有的多个空间的至少1个空间中，配置未设置对入射到被照射面(基板上的感光材料)的光的下限波长造成影响的光触媒膜的光学元件。或者，可以在光学装置100具有的多个空间的各个中，配置未设置对入射到被照射面(基板上的感光材料)的光的下限波长造成影响的光触媒膜的光学元件。
从汞灯101(光源)射出的光经由相互相邻的第1空间以及第2空间入射到被照射面(基板上的感光材料)，该第2空间可能具有比该第1空间多的污染物质。该至少1个光学元件包括以使包含光触媒膜的反射防止膜(光学膜)面对该第2空间的方式配置的光学元件。在此，也可以在该光学元件的2个面中的该第1空间侧的面中，不设置对入射到被照射面的光的下限波长造成影响的光触媒膜。
以下，说明第3实施方式。未作为第3实施方式言及的事项可遵从第1或者第2实施方式。在第3实施方式中，考虑作为感光材料使用化学放大型抗蚀剂的情况。在液晶显示器设备等显示器设备的制造中使用的化学放大型抗蚀剂的灵敏度特性中，有时最好使光学装置100中的曝光光的波长域的下限波长成为270nm。
然而，以往不存在光吸收波长域的上限波长适合于曝光光的波长域的下限波长或者与其一致的光触媒膜。第3实施方式提供以使曝光光的波长域的下限波长适合于化学放大型抗蚀剂的灵敏度特性的方式调整光触媒膜的光吸收波长域的上限波长的方法。以下，说明2个方法。
在第1方法中，作为光触媒膜，使用hfox(x<2)膜。可以通过将hf用作标靶的溅射法，在基底(在图5的结构例中为低折射率膜703)之上形成光触媒膜。此时在对成膜腔供给的氧气的量不足时，形成于基底之上的膜并非hfo2的状态，而成为hfox(x<2)的状态，由此光吸收波长的上限波长向长波长侧移动。本发明者通过实验确认，通过利用上述方法用hfox(x<2)膜形成光触媒膜，能够将光吸收波长的上限波长调整为270nm。通过将光吸收波长的上限波长调整为270nm，曝光光的波长域的下限波长也被调整为270nm。
用第1方法制造的反射防止膜(光学膜)7或者光学部件70可以具有如图5示意地示出的构造。在1个实施例中，高折射率层704由hfo2膜构成，低折射率层703由sio2膜构成，高折射率层702由hfox(x<2)膜构成，低折射率层701由sio2膜构成。在具有设置有这样的反射防止膜(光学膜)7的光学元件的光学装置100中，曝光光的波长域的下限被调整为270nm。
在上述第1方法中，能够调整通过溅射法形成hfox(x<2)膜时的氧气浓度。由此，能够将曝光光的波长域的下限波长，调整为从作为光触媒膜使用hfo2膜的情况的240nm至作为光触媒膜使用ta2o5膜的290nm之间的任意的波长。
根据第1方法，制造光学部件的光学部件制造方法包括在光学元件之上形成包含光触媒膜的光学膜的处理工序，该处理工序包括以使该光触媒膜的光吸收波长成为目标光吸收波长的方式形成该光触媒膜的成膜工序。在该成膜工序中，可以包括以通过氧气浓度的调整使该光触媒膜的光吸收波长成为该目标光吸收波长的方式形成该光触媒膜的工序。
在第2方法中，作为光触媒膜，使用hfo2以及ta2o5的混合膜。可以使用将hfo2以及ta2o5混成而成的材料，通过真空蒸镀法，在基底(在图5的结构例中为低折射率膜703)之上形成光触媒膜。此时，能够改变hfo2和ta2o5的混成比。由此，能够将曝光光的波长域的下限波长，调整为从作为光触媒膜使用hfo2膜的情况的240nm至作为光触媒膜使用ta2o5膜的290nm之间的任意的波长。
用第2方法制造的反射防止膜(光学膜)7或者光学部件70可以具有如图5示意地示出的构造。在1个实施例中，高折射率层704由hfo2膜构成，低折射率层703由sio2膜构成，高折射率层702由hfo2以及ta2o5的混合膜构成，低折射率层701由sio2膜构成。在具有设置有这样的反射防止膜(光学膜)7的光学元件的光学装置100中，曝光光的波长域的下限被调整为270nm。
以下，说明第4实施方式。未作为第4实施方式言及的事项可以遵从第1至第3实施方式的任意一个、或者它们的任意的组合。由于在清洁室内的空气中存在的工艺气体，酸可能附着到反射防止膜的表面。在考虑此情况时，构成反射防止膜的最上层的低折射率层(覆盖光触媒膜的表面膜)最好由具有耐酸性的膜构成。
例如，在最上层是mgf2膜的情况下，mgf2由于与硫酸或者硝酸的反应，变化为硫酸镁或者硝酸镁，反射防止膜的透射率可能降低。因此，反射防止膜的最上层可以由针对硫酸以及硝酸具有耐性的sio2膜构成。
但是，在反射防止膜的最上层由sio2膜构成的情况下，在hf(氟化氢酸)附着到该最上层的表面时，该最上层被hf腐蚀(溶解)。在此，在有机污染物质部分性地附着到反射防止膜的表面的情况下，在该有机污染物质附着的部分和其他部分(什么也未附着、或者附着无机污染物质)中sio2的溶解量不同。该溶解量的差导致在反射防止膜的表面产生白斑，使反射防止膜的透射率降低。
因此，在除了硫酸和/或硝酸以外hf也附着到反射防止膜的表面的情况下，反射防止膜的表面膜最好包含与这些酸不反应的有机氟化合物膜、例如全氟硅烷((cf2)nsi)膜。
第4实施方式所涉及的反射防止膜(光学膜)7或者光学部件70可以具有如图5示意地示出的构造。
在第1例中，高折射率层704由hfo2膜构成，低折射率层703由sio2膜构成，高折射率层702由ta2o5膜构成，低折射率层701由(cf2)nsi膜构成。
在第2例中，高折射率层704由hfo2膜构成，低折射率层703由sio2膜构成，高折射率层702由hfox(x<2)膜构成，低折射率层701由(cf2)nsi膜构成。
在第3例中，高折射率层704由hfo2膜构成，低折射率层703由sio2膜构成，高折射率层702由hfo2以及ta2o5的混合膜构成，低折射率层701由(cf2)nsi膜构成。
在第4例中，高折射率层704由hfo2膜构成，低折射率层703由sio2膜构成，高折射率层702由ta2o5膜构成，低折射率层701由sio2膜、和覆盖该sio2膜的(cf2)nsi膜构成。
在第5例中，高折射率层704由hfo2膜构成，低折射率层703由sio2膜构成，高折射率层702由hfox(x<2)膜构成，低折射率层701由sio2膜、和覆盖该sio2膜的(cf2)nsi膜构成。
在第6例中，高折射率层704由hfo2膜构成，低折射率层703由sio2膜构成，高折射率层702由hfo2和ta2o5的混合膜构成，低折射率层701由sio2膜、和覆盖该sio2膜的(cf2)nsi膜构成。
在第4例、第5例、第6例中，分别在第1例、第2例、第3例中的(cf2)nsi膜的正下追加sio2层，下层和(cf2)nsi膜的密接度通过该追加的sio2膜被强化。
以下，说明上述第1至第4实施方式的变形例。
也可以在图1所示的光学装置100中，去掉密封玻璃62，代替其而在透镜208的下表面形成包含光触媒层的反射防止膜，使透镜208的下表面成为照明光学系统2和原版载置台部4这2个空间的边界。
在使光学装置100中的曝光光的波长域的下限波长成为与以往的曝光装置同样的340nm的情况下，能够代替ta2o5膜而使用nbo5膜作为光触媒膜。作为决定光学装置100中的曝光光的波长域的下限波长的其他光触媒膜，例如，可以举出zro2膜或者zno膜。
在由xe灯或者xe汞灯构成光源时，光源产生的光的波长域的下限成为更短波长侧的200nm。因此，在由xe灯或者xe汞灯构成光源的情况、使曝光装置中的曝光光的波长域的下限波长成为240nm的情况下，在hfo2膜中也呈现光触媒活性。将hfo2膜作为光触媒膜的反射防止膜(光学膜)7或者光学部件70可以具有如图5示意地示出的构造。在1个实施例中，高折射率层704由hfo2膜构成，低折射率层703由sio2膜构成，高折射率层702由hfo2膜构成，低折射率层701由sio2膜或者(cf2)nsi膜构成。在具有设置有这样的反射防止膜(光学膜)7的光学元件的光学装置100中，曝光光的波长域的下限被调整为240nm。除了高折射率层702以外，高折射率层704也可以作为光触媒膜发挥作用。
在由xe灯或者xe汞灯构成光源，使曝光装置中的曝光光的波长域的下限波长成为220nm的情况下，能够使膜材料成为sio2和al2o3，使光触媒膜成为al2ox(x<3)膜。在使膜材料成为sio2和al2o3时，反射防止膜的透射开始波长成为200nm。
因此，与在第3实施方式中说明的hfox(x<2)同样地，通过调整用溅射法形成al2o3时的氧气浓度，能够形成al2ox(x<3)膜。由此，能够使曝光光的波长域的下限波长成为220nm。具有这样的构造的反射防止膜(光学膜)7或者光学部件70可以具有如图5示意地示出的构造。在1个实施例中，高折射率层704由al2o3膜构成，低折射率层703由sio2膜构成，高折射率层702由al2ox(x<3)膜构成，低折射率层701由sio2膜或者(cf2)nsi膜构成。在具有设置有这样的反射防止膜(光学膜)7的光学元件的光学装置100中，曝光光的波长域的下限被调整为220nm。
构成最上层或者表面膜的有机氟化合物膜也可以是全氟硅烷膜以外的全氟烷基化合物膜。另外，构成最上层或者表面膜的有机氟化合物膜也可以是全氟醚化合物膜。
接下来，说明利用上述曝光装置制造物品(半导体ic元件、液晶显示元件、mems等)的制造方法。物品制造方法包括：曝光工序，使用上述曝光装置，对基板(晶片、作为玻璃基板的平板等)上的感光材料进行曝光；以及显影工序，使该感光剂显影，从经历了显影工序的基板，经由其他处理得到物品。其他处理例如可以包括蚀刻、抗蚀剂剥离、切割、键合、封装等。根据本物品制造方法，能够制造比以往高质量的物品。
发明不限制于上述实施方式，能够不脱离发明的精神以及范围而进行各种变更以及变形。因此，为了公开发明的范围添附权利要求。
