本发明涉及一种电子装置与相关制作方法，尤其涉及一种具有光感测元件的电子装置与相关制作方法。
背景技术：
如今，电子装置，例如显示设备不仅需要具有显示功能，还需要具有诸如触控或辨识功能之类的其他功能。因此，期望能够提供一种新颖的电子装置，以改善屏下光学式指纹辨识传感器的灵敏度，及指纹的成像清晰度。
技术实现要素：
本发明提供一种具有光感测元件的电子装置与相关制作方法。
本发明提供一种电子装置，包括一显示结构层以及一光感测面板。该光感测面板包括一第一基板；一第二基板，其中该该第二基板介于该第一基板与该显示结构层之间；多个感测单元，设置于该第一基板之上，且介于该第一基板与该第二基板之间；以及一光学结构层，设置于该第二基板之上，且介于该第二基板与该显示结构层之间。
本发明还公开一种电子装置的制作方法，包含下列步骤：提供一第一基板，以在该第一基板上形成多个感测单元；提供一第二基板，以在该第一基板上配置该第二基板；在该第二基板上形成一光学结构层，且该第二基板介于该第一基板与该光学结构层之间；以及将一显示结构层配置于该光学结构层之上。
于一发明实施例中，增加成像距离以改善指纹图像清晰度或是感光层的材料或结构上的改变提升光感测组件的灵敏度。
附图说明
图1为本发明实施例一电子装置的剖面示意图。
图2为本发明实施例一制作流程的流程图。
图3为本发明实施例电子装置的详细剖面示意图。
图4为本发明另一实施例光感测面板的剖面示意图。
图5为本发明实施例感测电路和发光二极管的等效电路图。
图6为本发明实施例光感测面板的示意图。
图7为本发明另一实施例光感测面板的示意图。
图8为本发明另一实施例光感测面板的示意图。
附图标记说明：10-电子装置；11、61、71-光感测面板；111-发光二极管；112-感测电路；12-显示结构层；13、14-基板；15、65、75、76-光学结构层；16-感测单元；zps-距离；z1、z2-尺寸；200、201、202、203、204、205、206-导电层；211、212、213、214、215、216、217、218、219-绝缘层；220-1、220-2-半导体层；221、222-配向层；223-遮光层；21-基材；22-发光单元；23-黏着层；24-保护层；25-介质层；26-间隔单元；30-感光层；31、32、33-次感光层；c1、c2、c3-中心；36-绝缘层；37-开口；41、42、43-晶体管；vsen-感测电压；vcc1、vcc2、vcc3-系统电压线；dcgy-控制信号；iamp-放大电流；rox-读出信号线；scny-扫描线信号；150-同心圆结构；p15、p65、p75-距离；650、760-孔洞；x、y、z-方向；280-制作流程；281、282、283、284、285、286-步骤。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本发明，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了图式的简洁，本发明中的多张图式只绘出电子装置的一部分，且图式中的特定组件并非依照实际比例绘图。此外，图中各组件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明的范围。
本发明通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的组件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的组件。
在下文说明书与权利要求书中，「含有」与「包括」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为…」之意。
应了解到，当组件或膜层被称为在另一个组件或膜层「上」或「连接到」另一个组件或膜层时，它可以直接在此另一组件或膜层上或直接连接到此另一组件或层，或者两者之间存在有插入的组件或膜层(非直接情况)。相反地，当组件被称为「直接」在另一个组件或膜层「上」或「直接连接到」另一个组件或膜层时，两者之间不存在有插入的组件或膜层。
应了解到，当组件或元件被称为「耦接」另一个组件或元件时，它可以直接连接到此另一组件或元件，或者两者之间存在有插入的组件或元件(非直接情况)。
虽然术语第一、第二、第三…可用以描述多种组成组件，但组成组件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成组件与其他组成组件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中组件宣告的顺序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文说明书中，第一组成组件在权利要求中可能为第二组成组件。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，将数个不同实施例中的技术特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。
图1为本发明实施例电子装置10的剖面示意图。电子装置10可以是具有屏下生物表征辨识功能的电子装置，例如手机、平板电脑等。电子装置10包括光感测面板11以及显示结构层12。光感测面板11包括基板13、对向设置的基板14、光学结构层15以及多个感测单元16。感测单元16可用于指纹传感器、虹膜传感器、视网膜传感器、面部传感器、静脉传感器、移动传感器、手势传感器、邻近传感器或其他合适的传感器，但是本发明不限于此。下述实施例介绍是以指纹传感器为例，但是本发明不限于此。感测单元16还可包括多个发光二极管111及与发光二极管111对应的感测电路112，且发光二极管11电性连接对应的感测电路112。光学结构层15可例如包含透镜、孔洞或是透镜与孔洞的组合，但不限于此。光学结构层15可通过蚀刻或是图案化工艺形成。光学结构层15的材料可以包括金属或是遮光材料，但不以此为限。
多个感测单元16设置于基板13之上，且介于基板13与基板14之间。基板14设置于基板13之上，且介于多个感测单元16与光学结构层15之间。光学结构层15设置于第二基板14之上，且介于显示结构层12与基板14之间。显示结构层12设置于光学结构层15之上。
请继续参考图1，电子装置10的基板13与基板14中间更可以包括例如配向层221、介质层(未绘示)及另一配向层(未绘示)，其中介质层可以是液晶材料或是其他透明材料，因为图1的设计可以使得形成于基板14的光学结构层15到感测单元16的距离(例如光学结构层15的下表面到感测单元16的上电极(未绘示)的上表面的最大距离zps)可例如在150微米到250微米的范围内，图1的设计可以改善成像的清晰度，提高传感器的灵敏度。
基板13在方向z上的尺寸z1例如是0.5毫米，基板14在方向z上的尺寸z2例如是0.5毫米，尺寸z1与尺寸z2可例如为基板13与基板14的厚度，于此实施例中，尺寸z1与尺寸z2不包含基板以外的层別。在结合基板13和基板14之后，通过减小尺寸z1和尺寸z2的大小(例如，将尺寸z1、尺寸z2减小为0.3毫米)，可满足薄型设计需求和提升感测单元16的灵敏度，其中减小尺寸z1、尺寸z2的方法可以是化学蚀刻或物理研磨，或是分段使用蚀刻和物理研磨，但不以此为限。于一实施例中，形成光学结构层15于基板14上之后，可再次减小尺寸z1(例如，将尺寸z1减小为0.1毫米)，以满足薄型设计需求。于一实施例中，尺寸z1、尺寸z2的总和例如大于等于0.4毫米，光感测面板11才能有足够的支撑应力，以提升工艺合格率(yieldrate)。如此一来，本发明可满足薄型设计需求，也可确保半导体工艺的合格率，以避免增加制造成本。
图1中标出了一方向x、一方向y和一方向z。方向z可垂直于基板13或基板14的上表面或下表面，方向x和方向y可平行于基板13或基板14的上表面或下表面。方向z可垂直于方向x和方向y，且方向x可垂直于方向y。后续图式可依据方向x、方向y和方向z来描述结构的空间关系。
为了詳細说明上述电子装置10的制作方法，请参考图2，图2为本发明实施例一制作流程280的流程图。制作流程280可包括以下步骤。
步骤281：提供基板13，以在基板13上形成多个感测单元16。
步骤282：提供基板14，以在基板13上配置基板14。
步骤283：分别减小基板13和基板14在方向z的尺寸z1、尺寸z2。
步骤284：在基板14上形成光学结构层15。
步骤285：再次减小基板13在方向z的尺寸z1。
步骤286：在光学结构层15上配置显示结构层12。
在步骤281中，提供基板13，以在基板13上形成多个感测单元16。请一并参考图3及图4，于一实例中，形成感测单元16的步骤包括：在基板13上设置感测电路112，感测电路112包含晶体管41、晶体管42及晶体管43；在感测电路112上设置绝缘层215；在绝缘层215上设置导电层204；在导电层204上设置感光层30；以及在感光层30上设置导电层206。请再参考图4，于一实例中，在导电层204上设置感光层30的步骤包括：在导电层204上形成次感光层31；在次感光层31上形成次感光层32；以及在次感光层32上形成次感光层33。
在步骤282中，提供基板14，以在基板14上形成配向层222，然后在基板13上配置基板14，其中基板13及基板13之间更可以包含介质层25，因此可以增加指纹的成像距离，以提升指纹辩识度。在步骤283中，通过分别减小基板13和基板14在方向z的尺寸z1、尺寸z2，可满足薄型设计需求。在步骤284中，在基板14上形成光学结构层15，且基板14介于基板13与光学结构层15之间。在步骤281到步骤284中，可通过結合基板13与基板14后再形成光学结构层15于基板14上，且基板14介于基板13与光学结构层15之间，进而提升感测单元16与光学结构层15(可例如为图6或图7的孔洞650)于方向z上的对位精度。在一些实施例中，更可选择性的包含步骤285，在步骤285中，通过再次减小基板13在方向z的尺寸z1，可满足薄型设计需求。在步骤286中，在光学结构层15上配置显示结构层12，即可完成电子装置10的制作流程280。
图3为发明实施例电子装置10的详细堆叠图。显示结构层12可包括基材21、显示层dl、黏着层23以及保护层24。基材21跟保护层24可为柔性基材(flexiblematerial)或刚性基材(inflexiblematerial)，材料可以包括可包含塑料、玻璃、石英、蓝宝石、陶瓷、碳纤维、其它合适的作为基板材料、或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，前述塑料的材料可包含聚酰亚胺(polyimine，pi)、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate，pet)、聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。基材21还可以为一绝缘层，例如可包含氧化层、氮化层或其他适合的绝缘层。显示层可包含多个发光单元22，多个发光单元22可包含任何种类的显示介质或发光组件(element)，例如有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，oled)、微型发光二极管(microlight-emittingdiode，micro-led)、次毫米发光二极管(mini-led)、量子点发光二极管(quantumdotled，qled)、纳米线发光二极管(nanowireled)或棒状发光二极管(bartypeled)，但不以此为限。黏着层23的材料可例如包含oca(opticalclearadhesive)或ocr(opticalclearresin)，但不以此为限。黏着层23跟保护层24可以选择性设置，在一些实施例中，黏着层23跟保护层24可以被封装层取代，封装层可为发光单元提供保护、封装和/或平坦化的功能，且封装层可包含有机材料、无机材料、前述的组排列组合或其混合物，但不以此为限。举例来说封装层可为多层结构，包含无机层、有机层、无机层。显示结构层12更可以选择性包含彩色滤光层(图未绘示)与黑色矩阵(图未绘示)设置于发光单元上，但不限于此。
多个发光单元22设置于基材21之上，介于黏着层23和基材21之间，多个发光单元22的一个发光单元可以是红色发光单元、绿色发光单元或蓝色发光单元。不同的发光单元可以发出相同或是不相同颜色的光。黏着层23设置于多个发光单元22之上，介于多个发光单元22和保护层24之间，用来结合保护层24和多个发光单元22。保护层24设置于黏着层23之上。
基板14与13之间包括导电层200、导电层201、导电层203、导电层204、导电层205及导电层206、绝缘层211、绝缘层212、绝缘层213、绝缘层214、绝缘层215、绝缘层216、绝缘层217、绝缘层218及绝缘层219、半导体层220-1及半导体层220-2、配向层221及配向层222、遮光层223、介质层25、感光层30以及多个间隔单元26。
绝缘层211设置在基板13上，绝缘层212设置在绝缘层211上，绝缘层213设置在绝缘层212上，绝缘层214设置在绝缘层213上，绝缘层215设置在绝缘层214上，绝缘层216设置在绝缘层215上，绝缘层217设置在绝缘层216上，绝缘层218设置在绝缘层217上，导电层206设置在绝缘层218之上，遮光层223设置在导电层206上，配向层221设置在遮光层223及导电层206上，绝缘层219设置在基板14上且介于配向层222与基板14之间。于一实施例中，半导体层220-1设置在绝缘层212上，导电层201设置在半导体层220-1上，绝缘层213设置在半导体层220-1上，绝缘层214设置在导电层201上。导电层203设置在绝缘层214上，导电层204设置在导电层203与绝缘层215上，绝缘层216设置在绝缘层215与导电层204上，导电层203电性连接半导体层220-1与导电层204。
于一实施例中，半导体层220-2设置在绝缘层211上，绝缘层212设置在半导体层220-2上，导电层200设置在绝缘层212上，绝缘层213设置在导电层200上，导电层203电性连接半导体层220-2。感光层30介于导电层204与导电层206之间，导电层206设置在导电层204之上。介质层25设置于多个感测单元16之上且介于配向层221与配向层222之间。配向层221介于介质层25与多个感测单元16之间，配向层介于介质层25与第二基板之间。间隔单元26介于配向层222与绝缘层219之间。在一些实施例中，上述绝缘层可以为单层或是多层结构。绝缘层的材料可例如包含有机材料或无机材料或前述的组合，但不限于此。
于一实施例中，绝缘层219可以是滤光层，滤光层可滤掉或阻挡波长范围例如介于450纳米到580纳米的背景光；滤光层的可例如为整面涂布色阻、彩色滤光片(colorfilterfilm)或是光学透明胶(opticallyclearadhesiveglue)。滤光层可用来减少背景光对光学传感器的干扰，以提升感测组件灵敏度。于一实施例中，基板14与基板13之间更可以选择性设置另一滤光层，例如为红外线过滤器(infraredfilter)，红外线过滤器可设置于绝缘层219上。
于一实施例中，绝缘层215、217具有平坦功能；导电层205例如是透明导电氧化物，透明导电氧化物的材料可例如为氧化铟锡(indiumtinoxide，ito)。介质层25例如是液晶或是其他透明材料，用来填充基板14和基板13之间的空间，让照射在手指的反射光可以穿透介质层25而被感测单元16所吸收。多个间隔单元26和感光层30在xy平面的投影可互不重叠。
请继续参考图4，图4为本发明另一实施例部分的光感测面板11的剖面示意图。每一个感测单元16包括一发光二极管111以及一感测电路112。发光二极管111可例如包括感光层30，至少部分的导电层204(导电层204例如是下电极或阳极)以及至少部分的导电层206(导电层206例如是上电极或阴极)。在一些实施例中，图4为图3的部分示意图，但不以此为限。感测电路112设置于第一基板13之上且包括晶体管41、晶体管42以及晶体管43。发光二极管111(例如感光层30)耦接于感测电路112，且设置于感测电路112之上。于此实施例中，晶体管41可以为顶栅极结构(topgatestructure)的薄膜晶体管，且晶体管41的半导体层220-1的材料可为金属氧化物，金属氧化物例如为氧化铟镓锌(indiumgalliumzincoxide，igzo)。
如上述实施例，感光层30介于至少部分的导电层204(导电层204例如是下电极或阳极)与至少部分的导电层206(导电层206例如是上电极或阴极)之间。于一实施例中，至少部分的导电层206与感光层30之间可省略图3的导电层205，如图4所示。
感光层30为多层结构，每一层可使用具有不同能隙(energygap)的材料，用来增加感光层30的感测波长范围和改善光吸收效率。感光层30例如是由硅锗(silicongermanium，sige)所制造，在一些实施例中，在半导体工艺程序中可通过调整甲硅烷(silane，化学式为sih4)气体与甲锗烷(化学式为geh4)气体的比例，可以得到不同能隙的硅锗。其“e”的大小可以通过材料分析推断或得知，材料分析的方法可例如为x射线光电子能谱(x-rayphotoelectronspectroscopy，xps)分析或x射线能谱(energy-dispersivex-rayspectroscopy，eds)分析，但不以此为限。
感光层30包括次感光层31、次感光层32。次感光层31邻近基板13，且具有第一能隙。次感光层32远离基板13，且具有第二能隙，其中第一能隙大于第二能隙。于一实施例中，次感光层31与次感光层32例如是由半导体材料所制造；或者，次感光层31与次感光层32例如是由有机材料所制造；或者，次感光层31例如是由半导体材料所制造，且次感光层32例如是由有机材料所制造。
于一实施例中，感光层30还包括次感光层33。次感光层32介于次感光层31与次感光层33之间，且次感光层33具有第三能隙，其中第一能隙大于第三能隙且第二能隙大于第三能隙。于一实施例中，次感光层31、次感光层32与次感光层33是由半导体材料所制造；或者，次感光层31、次感光层32与次感光层33是由有机材料所制造。于此实施例中，次感光层32也可为n型半导体材料、p型半导体材料、直接能隙半导体材料。直接能隙半导体材料可包含gaas，gan，inn，inp，gasb，inas或insb，但不以此为限。半导体材料及有机材料的制作材料以如下表格为例说明，但不限于此。
于一实施例中，绝缘层215介于发光二极管111与感测电路112之间。绝缘层215形成多个开口37，感测电路112通过多个开口37的一个开口连接到导电层204，感光层30在xy平面的投影与导电层204、导电层206以及感测电路112在平面的投影至少部分重叠。换言之，发光二极管111设置于绝缘层215的平坦区之上，让发光二极管111在方向z的尺寸大致相等，可提升发光二极管111的感测效率。
请继续参考图4，于ㄧ实施例中，晶体管41为一底栅极结构(bottomgatestructure)的薄膜晶体管，导电层200设置在绝缘层212之上，绝缘层213设置在导电层200与绝缘层212之上，半导体层220-1设置在绝缘层213之上，绝缘层214设置在绝缘层213与半层导体层220-1之上，导电层203设置在绝缘层214之上，绝缘层215设置在绝缘层214与导电层203之上，导电层203电性连接半层导体层220-1与导电层204。晶体管41的半导体层220-1的材料为金属氧化物，金属氧化物例如包括氧化铟镓锌(indiumgalliumzincoxide，igzo)所使用金属氧化物半导体的晶体管可以减少漏电流，进而提升感测元件的灵敏度。于一实施例中，晶体管42是低温多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon；簡稱ltps)薄膜晶体管。于一实施例中，晶体管43例如是双栅极薄膜晶体管。
图5为本发明实施例感测电路112和发光二极管111的等效电路图。感测电路112包括晶体管41、晶体管42及晶体管43。发光二极管111的阳极耦接于系统电压线vcc3。
晶体管41包括第一端，耦接于系统电压线vcc1；第二端，耦接于发光二极管111的阴极；以及控制端，耦接于控制信号dcgy。晶体管41用来根据控制信号dcgy，连接或断开发光二极管111的阴极与系统电压线vcc1。当晶体管41连接发光二极管111的阴极与系统电压线vcc1时，可对感测电压vsen进行电位重置；当晶体管41断开发光二极管111的阴极与系统电压线vcc1时，则不对感测电压vsen进行电位重置。
晶体管42包括第一端，耦接于系统电压线vcc2；第二端，耦接于晶体管43的第一端；以及控制端，耦接于晶体管41的第二端和发光二极管111的阴极。晶体管42用来对感测电压vsen进行信号放大，以产生放大电流iamp。
晶体管43包括第一端，耦接于晶体管42的第二端；第二端，耦接于读出信号线rox；以及控制端，耦接于扫描线信号scny。晶体管43用来根据扫描线信号scny，连接或断开晶体管43的第一端与读出信号线rox。当晶体管43的第一端连接读出信号线rox时，可输出放大电流iamp到读出信号线rox；当晶体管43的第一端与读出信号线rox断开时，则不输出放大电流iamp到读出信号线rox。
假设光感测面板11包括m*n个感测单元16、m条扫描线scn1…scnm以及n条读出信号线ro1…ron，则1≦y≦m，1≦x≦n，且x、y、m、n为正整数。通过收集m*n个感测单元16产生的放大电流iamp，可拼凑出指纹。关于光感测面板11产生指纹的详细操作应属现有技术的范围，于此不赘述。
图6为本发明实施例光感测面板11的示意图。图6与图1的不同之处在于省略部分的元件，且绘示出部分的光学结构层15的俯视图。光感测面板11的光学结构层15可形成有多个同心圆结构150。于一实施例中，同心圆结构150也可具有孔洞650。于一实施例中，在方向x上，两个相邻同心圆结构150之间的距离p15可例如大于等于300微米，但不限于此，本领域的技术人员可根据实际应用需求来选择适当的距离p15。距离p15可例如为一同心圆结构150的中心c1到另一相邻的同心圆结构150的中心c1于方向x上的距离。在方向z上，同心圆结构150至少部分重叠感测单元16(例如至少部分重叠感光层30)，或同心圆结构150的中心c1至少部分重叠感测单元16(例如至少部分重叠感光层30)。于一实施例中，在方向x上，两个相邻发光二极管111之间的距离p111可例如为25微米到100微米，但不限于此。一个同心圆结构可例如为光学结构层15上具有相同圆心的多个圆形纹路，纹路可例如通过调整光学结构层15的厚度而形成。
图7为本发明另一实施例光感测面板61的示意图。光感测面板61的光学结构层65形成有多个孔洞650。于一实施例中，在方向x上，两个相邻孔洞650的中心c2之间的距离p65例如介于50微米到120微米，或是介于70到100微米，但不限于此，本领域的技术人员可根据实际应用需求来选择适当的距离p65。距离p65的定义方式可同上述的距离p15，故不再赘述。在方向z上，多个孔洞650的至少一个孔洞的至少部分重叠至少一个感测单元16(例如至少部分重叠感光层30)，如此可提升影像于感测单元16上的成像品质。
图8为本发明另一实施例光感测面板71的示意图。光感测面板71包括光学结构层75以及光学结构层76，光学结构层75跟光学结构层76跟分別设置在基板14的两侧。光学结构层75形成有多个同心圆结构750。于一实施例中，在方向x上，两个相邻同心圆结构750的中心c3之间的距离p75可例如为70微米，但不限于此。距离p75的定義方式可同上述的距离p15，故不再赘述。在本实施例中，光学结构层76形成有多个孔洞760，设置于多个发光二极管111之上，且介于光学结构层75与多个光电二极管111之间或介于配向层221与多个发光二极管111之间。在一些实施例中，光学结构层76可以为遮光层223。于一实施例中，在方向z上，至少一个孔洞760的中心对应至少一个发光二极管111设置，如此可提升影像于感测单元16上的成像品质。于一实施例中，光学结构层76的材料可例如为遮光材料，可防止干扰光源被发光二极管111所吸收，以改善信噪比(signaltonoiseratio，snr)。光学结构层76可例如包含透镜、孔洞或透镜、孔洞与的组合，但不限于此。光学结构层76可通过蚀刻或是图案化工艺形成。
综上所述，本发明通过分别提供基板13和基板14，再结合基板13和基板14的方法来增加指纹成像距离，以改善指纹成像清晰度，制造具有屏下指纹辨识功能的电子装置。本发明还通过先結合基板13和基板14，再形成光学结构层，以提升感测单元与光学结构层的孔洞的对位精度。本发明还提供了具有多层結构感光层的发光二极管，用来改善发光二极管的灵敏度(例如，增加感测波长范围和改善光吸收效率)。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
1.一种电子装置，其特征在于，该电子装置包括：
一显示结构层；以及
一光感测面板，包括；
一第一基板；
一第二基板，其中该第二基板介于该第一基板与该显示结构层之间；
多个感测单元，设置于该第一基板之上，且介于该第一基板与该第二基板之间；以及
一光学结构层，设置于该第二基板之上，且介于该第二基板与该显示结构层之间。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该光感测面板还包括：
一介质层，设置于该多个感测单元之上；
一第一配向层，介于该多个感测单元与该介质层之间；以及
一第二配向层，介于该第二基板与该介质层之间。
3.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于该光感测面板还包括：
一第一绝缘层，介于该第二配向层与该第二基板之间；
其中该第一绝缘层为一滤光层。
4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该多个感测单元的至少其中一个感测单元包括：
一感测电路；以及
一发光二极管，设置于该感测电路之上，该发光二极管包括：
一感光层，耦接于该感测电路。
5.如权利要求4所述的电子装置，其特征在于，该感光层的材料包括半导体材料、有机材料或是该半导体材料与该有机材料的组合。
6.如权利要求4所述的电子装置，其特征在于，该感测电路还包含：
一晶体管，耦接该发光二极管，该晶体管具有一半导体层，且该半导体层为氧化物半导体。
7.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该多个感测单元的至少其中一个感测单元包括一感光层，该感光层包括：
一第一次感光层，邻近该第一基板，且具有一第一能隙；以及
一第二次感光层，远离该第一基板，且具有一第二能隙；
其中该第一能隙大于该第二能隙。
8.如权利要求7所述的电子装置，其特征在于，该感光层还包括：
一第三次感光层，该第二次感光层介于该第一次感光层与该第三次感光层之间，且该第三次感光层具有一第三能隙；
其中该第一能隙大于该第三能隙，且该第二能隙大于该第三能隙。
9.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，于一俯视图下，该光学结构层具有多个同心圆结构。
10.一种电子装置的制作方法，其特征在于，包含下列步骤：
提供一第一基板，以在该第一基板上形成多个感测单元；
提供一第二基板，以在该第一基板上配置该第二基板；
在该第二基板上形成一光学结构层，且该第二基板介于该多个感测单元与该光学结构层之间；以及
将一显示结构层配置于该光学结构层之上。
技术总结