本揭示文件的实施例是关于一种方法，特别是关于一种产生集成电路的电路布局的方法。
背景技术：
集成电路(integratedcircuit；ic)通常包含表示于ic布局中的半导体装置。ic布局自例如ic的电路图产生。在ic设计制程期间的各种步骤处，自ic设计至用于ic的实际制造的ic布局，各种检查及测试制程经执行以确保ic可予以制造且将按设计起作用。
技术实现要素：
本揭示案的实施例是关于一种产生电路布局的方法，其特征在于，包括以下步骤。基于针对集成电路的设计信息产生电路设计，电路设计包含针对集成电路的初始电源供应网络(pdn)。该电路设计执行预布局模拟，以判定电路设计是否满足预定规范，电路设计包含初始电源供应网络。在电路设计满足预定规范时，产生集成电路的电源供应网络布局，及在产生了电源供应网络布局之后，产生集成电路的电路布局。
附图说明
本揭示案的一实施例的态样在与随附附图一起研读时自以下详细描述内容来最佳地理解。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，各种特征的尺寸可为了论述清楚经任意地增大或减小。
图1为根据本揭示案的一些实施例的集成电路(integratedcircuit；ic)设计流程的至少一部分的流程图；
图2为根据本揭示案的一些实施例的图示在图1的方法中产生的电源供应网络的示意图；
图3a为根据本揭示案的一些实施例的图2的电源供应网络中的导柱(pillar)的横截面图的示意图；
图3b为根据本揭示案的一些实施例的绘示图3a中的导柱的等效电路的示意图；
图4a为根据本揭示案的一些实施例的能够在图2的电源供应网络中应用的各种导柱的横截面图的示意图；
图4b为根据本揭示案的一些实施例的绘示图4a中导柱的等效电路的示意图；
图5为根据本揭示案的一些实施例的适用于ir降(irdrop)预检查(pre-check)制程的电路的示意图，此ir降预检查制程对如关于图2论述的电源供应网络执行；
图6为根据本揭示案的一些实施例的适用于em预检查制程的电路的示意图，此em预检查制程对如关于图2论述的电源供应网络执行；
图7为根据本揭示案的一些实施例的适用于ir降预检查制程的方法的流程图，此ir降预检查制程对如关于图2论述的电源供应网络执行；
图8a为根据本揭示案的一些实施例的图示电源供应网络的示意图；
图8b为根据本揭示案的一些实施例的图示图8a中的电源供应网络的等效电阻网络的示意图；
图8c至图8e为根据本揭示案的各种实施例的图示图8a的电源供应网络的变化的示意图；
图9为根据本揭示案的一些实施例的适用于em预检查制程的方法的流程图，此em预检查制程对如关于图2论述的电源供应网络执行；
图10为根据本揭示案的各种实施例的图示图8a的电源供应网络的其他变化的示意图；
图11为根据本揭示案的一些实施例的适用于ir降及/或em预检查制程的电路的示意图，该ir降及/或em预检查制程对如关于图2论述的电源供应网络执行；
图12为根据本揭示案的一些实施例的在图1的方法中产生的电路布局的示意图；
图13为根据本揭示案的一些实施例的用于执行关于图1、图7及图9的操作的集成电路(integratedcircuit；ic)设计系统的示意图。
【符号说明】
100:方法
200:电源供应网络
210:电力轨条
220:电力轨条
300:电路
400:电路
500:电路
510:电源供应网络电路
520:电源电路/电源供应器电路
530:操作电路
600:电路
630:操作电路
700:适用于ir降预检查制程的方法
800:电源供应网络
802:等效电阻网络
804:等效电阻网络
810:电源供应网络
820:电源供应网络
900:适用于电迁移(em)预检查制程的方法
1020:电源供应网络
1100:电路
1102:驱动器
1104:控制器
1200:电路布局
1210:区
1220:区
1230:区
1230a:区块
1230b:区块
1230c:区块
1230d:区块
1300:集成电路(ic)设计系统
1305:系统总线
1310:记忆体
1312:设计规范
1314:制程设计套组(pdk)
1316:集成电路(ic)设计布局
1318:指令的程序
1320:处理器
1330:制造工具
1350:制造工具
mt:顶部导电层
mb:底部导电层
mt:导电层
mt-1:导电层
mt-2:导电层
mt-3:导电层
mb:底部导电层
mb 1:导电层
mb 2:导电层
mb 3:导电层
pi:导柱
pm:导柱
pm0:主导柱
pm1:主导柱
pm2:主导柱
rb 1:电阻器
rt-1:电阻器
rb 2:电阻器
rb 1:电阻器
s110:操作
s120:操作
s125:操作
s130:操作
s140:操作
s150:操作
s160:操作
s170:操作
s175:操作
s180:操作
s190:操作
s702:操作
s704:操作
s706:操作
s708:操作
s710:操作
s712:操作
s714:操作
s716:操作
s718:操作
s902:操作
s904:操作
s906:操作
s908:操作
s910:操作
s912:操作
s914:操作
s916:操作
s918:操作
vdd:供电电压/电源电压
vddi:电压
vss:供电电压/接地电压
vssi:电压
vi[1:n]:电压
vo[1:n]:电压
vt:通孔
vt-1:通孔
vt-2:通孔
vt-3:通孔
vt-n:通孔
vb 1:通孔
vb 2:通孔
vb:通孔
x:方向
y:方向
具体实施方式
以下揭示内容提供用于实施所提供标的物的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述元件及配置的特定实例以简化本揭示案的一些实施例。当然，这些元件及配置仅为实例且并非意欲为限制性的。举例而言，在以下描述中第一特征于第二特征上方或上的形成可包含第一及第二特征直接接触地形成的实施例，且亦可包含额外特征可形成于第一特征与第二特征之间使得第一特征及第二特征可不直接接触的实施例。此外，本揭示案的一些实施例在各种实例中可重复参考数字及/或字母。此重复是出于简单及清楚的目的，且本身并不指明所论述的各种实施例及/或组态之间的关系。
用于本说明书中的术语通常具有其在此项技术中且在使用每一术语所在的特定情形下的一般含义。实例在此说明书中使用，包含本文中所论述的任何术语的实例的使用仅为说明性的，且绝不限制本揭示案的一些实施例或任何所例示术语的范畴及含义。同样，本揭示案的一些实施例不限于本说明书中给出的各种实施例。
尽管术语“第一”、“第二”等本文中可用以描述各种组件，但这些组件不应受这些术语限制。这些术语用以区分一个组件与另一组件。举例而言，第一组件可被称为第二组件，且类似地，第二组件可被称为第一组件而不偏离实施例的范畴。如本文中所使用，术语“及/或”包含相关联的所列出项目中的任一者及一或多者的所有组合。
在此文献中，术语“耦接”亦可被称为“电耦接”，且术语“连接”可被称为“电连接”。“耦接”及“连接”亦可用以指示两个或两个以上组件彼此协作或互动。
另外，空间相对术语，诸如“……下面”、“下方”、“下部”、“……上方”、“上部”及类似者本文中可出于易于描述而使用以描述如诸图中图示的一个元素或特征与另一元素或特征的关系。空间相对术语意欲涵盖装置的使用或操作中的不同于诸图中描绘的定向外的定向。设备可以其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)，且本文中使用的空间相对描述词可同样经因此解译。
图1为根据本揭示案的一些实施例的集成电路(integratedcircuit；ic)设计流程/方法100的至少一部分的流程图。针对图1中的图示，ic设计流程100包含操作s110、s120、s130、s140、s150、s160及s170。ic设计流程100经执行以在制造ic之前对ic的设计进行测试。在一些实施例中，ic设计流程100将一或多个电子设计自动化(electronicdesignautomation；eda)工具用于测试ic的设计。在一些实施例中，eda工具为一或多个可执行指令集，该一或多个指令集供处理器(例如，图13的处理器1320)、控制器、经程序化计算机或类似者执行以执行所指示功能性。
在操作s110中，产生ic的电路设计。在一些实施例中，ic的电路设计通过电路设计者提供，及/或储存于记忆体(例如，图13的记忆体1310)中。在一些实施例中，ic的电路设计包含ic的ic示意图。在一些实施例中，ic示意图以示意性网络连线表(netlist)，诸如集成电路重点模拟程序(simulationprogramwithintegratedcircuitemphasis；spice)网络连线表的形式产生或提供。用于描述设计的其他数据格式在一些实施例中可用。在一些实施例中，spice模拟对spice网络连线表执行。在其他实施例中，其他模拟工具替代spice模拟或除spice模拟外可用(usable)。
在操作s120中，预布局(pre-layout)模拟，例如通过eda工具对电路设计执行以判定电路设计是否满足预定规范。若电路设计并不满足预定规范，则ic的至少部分经重新设计。在一些实施例中，预布局模拟通过若干步骤执行以判定电路设计的每一部分是否满足预定规范中的对应要求。若电路设计的一部分并不满足预定规范，则电路设计的此部分经重新设计。
在操作s125中，来自操作s120的预布局模拟结果与预期预布局模拟结果进行比较。当预布局模拟结果并不与预期模拟结果匹配时，流程返回至操作s110以产生ic的新电路设计且接着再次相应地执行后续操作。另一方面，当预布局模拟结果与预期模拟结果匹配时，流程继续至操作s130。
在操作s130中，ic的设计布局(或布局图)基于电路设计来产生。在一些实施例中，设计布局通过eda工具以图形设计系统(graphicdesignsystem；gds)文件的形式产生。用于描述布局的其他工具及/或数据格式在各种实施例中可用。
在操作s140中，执行电路布局验证(layout-versus-schematic；lvs)检查。lvs检查经执行以确保所产生的布局对应于电路设计。在一些实施例中，例如通过eda工具实施的lvs检查工具，自其所产生的布局的图案辨识电元件以及此些电元件之间的连接。lvs检查工具接着产生布局网络连线表，此布局网络连线表表示辨识出的电元件及连接。通过lvs检查工具，自设计布局产生的布局网络连线表与电路设计的示意性网络连线表来比较。若两个网络连线表在匹配容许度内匹配，则lvs检查通过。否则，对设计布局或电路设计中的至少一者进行校正。
在操作s150中，设计规则检查(designrulecheck；drc)，例如通过eda工具对表示设计布局的gds文件执行，以确保设计布局满足某些制造设计规则，以确保ic的可制造性。若一或多个设计规则被违反(violated)，则对设计布局或电路设计中的至少一者进行校正。设计规则的实例包含但不限于以下各者：宽度规则，其指定设计布局中图案的最小宽度；间距(spacing)规则，其指定设计布局中邻接图案之间的最小间距；面积规则，其指定设计布局中图案的最小面积；或类似者。
在一些实施例中，设计规则中的至少一者为电压相依的(voltage-dependent)。举例而言，金属至通孔(via)间距规则指定ic的设计布局中金属图案与邻接通孔之间的最小间距。在一些实施例中，此最小间距取决于经预期或预测为在ic的操作期间在金属图案或通孔处发生的电压。其他电压相依设计规则的实例包含但不限于金属至金属间距规则、多晶硅至氧化物定义(polysilicon-to-oxidedefinition；po-to-od)间距该规则、po至po间距规则等。在一些实施例中，经执行以检查布局与一或多个电压相依设计规则的符合性的drc亦被称作vdrc。
在操作s160中，电阻与电容(resistanceandcapacitance；rc)提取(extraction)，例如通过eda工具执行以判定或提取寄生参数，此寄生参数包含例如用于后续操作中的时序模拟的设计布局中互连件的寄生电阻或寄生电容。
在操作s170中，布局后(post-layout)模拟，通过例如由eda工具实施的模拟工具执行以判定设计布局是否满足预定规范或要求。当模拟指示设计布局并不满足预定规范时，对设计布局或电路设计中的至少一者进行校正。举例而言，关于如上文论述的所提取寄生参数，当寄生参数引起非所要延迟时，模拟经判定以指示布局并不满足预定规范，且校正接着对设计布局或电路设计中的至少一者进行。另一方面，当布局满足预定规范时，设计布局针对制造或额外验证制程被通过。举例而言，在各种实施例中，电压降(voltagedrop)及电迁移(electromigration；em)验证制程亦在布局后模拟中执行。在电压降及电迁移要求在该电压降及电迁移验证制程期间被满足时，产生ic的最终设计布局。术语“电压降”在此项技术中亦被称作“ir降”，且为了简洁在本揭示案的一些实施例中在下文称作“ir降”。
在操作s175中，来自操作s170的布局后模拟结果与预期的布局后模拟结果进行比较。当布局后模拟结果并不与预期模拟结果匹配时，流程返回至操作s110以产生ic的新电路设计且接着再次相应地执行后续操作。另一方面，当布局后模拟结果与预期模拟结果匹配时，流程继续至操作s180。
在操作s180中，光罩(photomask)基于ic的设计布局(或布局图)自操作s130产生。在一些实施例中，光罩通过基于ic设计布局执行一或多个微影曝光(lithographicexposure)来产生。在一些实施例中，电子束(electron-beam、e-beam)或多电子束机构用以基于ic设计布局在遮罩(mask)上形成图案(pattern)。在操作s190中，ic正使用来自操作s180的光罩。在一些实施例中，制造ic包含至少间接地对ic设计布局执行一或多个微影曝光。
应理解，额外操作可在通过图1绘示的操作之前、期间及之后提供，且图1中的操作中的一些针对方法的额外实施例可经替换、消除或互换。举例而言，在各种实施例中，操作s160中的rc提取及操作s170中的布局后模拟被省略。
如上文所论述，ir降及em验证制程正常地在布局后模拟中执行，此布局后模拟在设计制程中稍后发生。因此，若判定ir降及em要求并未被满足，则ic设计制程必须完全返工(reworked)。具体而言，如上文关于图1所论述的操作在ir降及em要求未被满足时必须反复地重复。因此，以此方式对ic设计进行完全返工对ic设计制程添加显著量的时间。
为了解决以上问题，本文中所揭示实施例为当前知晓的集成电路(integratedcircuit；ic)设计方法及系统，此些设计方法及系统较早地在设计制程中产生ic的适当的电源供应网络(powerdeliverynetwork；pdn)(例如，操作s110)，以便以即时方式产生ic设计布局。运用电源供应网络，除了布局后模拟中的ir降及em验证制程外，ir降及/或em预检查(pre-check)制程能够在预布局模拟(例如，操作s120)中对电源供应网络执行。因此，ir降及/或em问题可在预布局模拟中早早地经最佳化。以下详细论述针对进一步解释而进行。
在图1的一些实施例中，在操作s110中，产生包含针对ic的电源供应网络(powerdeliverynetwork；pdn)的电路设计。为了产生包含电源供应网络的电路设计，呈制程设计套组(processdesignkit；pdk)的形式的对应设计信息亦经提供且储存于记忆体(例如，图13的记忆体1310)中。因此，以上设计信息在一些实施例中亦被称作“pdk”。出于设计ic的目的，以上设计信息亦能够通过在计算机辅助设计(computer-aideddesign；cad)系统上执行eda工具的设计系统的一或多个处理器(例如，图13的处理器1320)存取。
为了产生包含电源供应网络的电路设计，在一些实施例中，以上设计信息(或pdk)包含与电源供应网络中的电力轨条(powerrail)及导电柱(conductivepillar)相关联的参数，此些电力轨条及导电柱在下文参看图2来论述。在一些其他实施例中，设计信息(或pdk)亦包含基础特定文件集，包含但不限于针对特定技术节点的技术文件、程序库元素、程序库设计规则及类似者。换言之，设计信息(或pdk)包含指示针对ic的电路设计的预定规范的参数。举例而言，参数包含越过电源供应网络的电压降、流经电源供应网络的电流、导柱的电阻、电源供应网络中电力轨条的数目、导柱的数目、最大导柱密度及类似者。在一些实施例中，eda工具经执行以自pdk获得这些参数。在一些实施例中，设计信息(或pdk)的参数经由输入/输出介面为可调整的。
图2为根据本揭示案的一些实施例的图示在图1的方法100中产生的电源供应网络200的示意图。针对图2的图示，电源供应网络200包含在布局视图中彼此交叉的电力轨条210及电力轨条220。电力轨条210彼此均匀地隔开并具有相同宽度，且在图2中沿着例如x方向配置于导电层mt-1(绘示于图3a-3b)中。电力轨条220彼此均匀地隔开并具有相同宽度，且在图2中沿着例如y方向配置于导电层mt-1上方的导电层mt(例如，顶部金属层)(绘示于图3a-3b)中。此外，电力轨条210以交替地耦接至供电电压vdd(例如，电源电压)及供电电压vss(例如，接地电压)的图案配置。电力轨条220亦以交替地耦接至供电电压vdd及vss的图案配置。因此，在一些实施例中，在电力轨条210及220以网格(mesh)形式配置情况下，电源供应网络200亦被称作电力/接地网格。在一些实施例中，电力轨条210及220由包含例如金属的导电材料制成。
针对图2的图示，电源供应网络200亦包含导柱pm及导柱pi。导柱pm中的每一者通过具有内部十字的框指示，且导柱pi中的每一者通过空的框指示，如图2中所绘示。在一些实施例中，导柱pi中的每一者耦接至导电层mt-1中的导电轨条210中的一者，且导柱pm中的每一者经由导电层mt-1中的对应电力轨条210耦接至导电层mt中的电力轨条220中的一者，前述各者为了进一步解释将参看图3a论述。在以上组态情况下，在先前技术中且在本揭示案的一些实施例中于下文中，导柱pm亦被称作“主导柱(majorpillar)”，且导柱pi亦被称作“内部导柱(intrapillar)”。
尽管为了图示简单，标注仅一个电力轨条210、仅一个电力轨条220、仅一个导柱pi及仅一个导柱pm，应理解，标记中的每一者共同表示如图2中绘示的其他类似组件。
如上文所论述，在一些实施例中，电源供应网络200建置有数个层，且存在数个通孔，此些通孔安置于层之间且用以传导自输入端至输出端的电流。为易于理解，图2的电源供应网络200亦参看图3a予以论述。
图3a为根据本揭示案的一些实施例的图2的电源供应网络200中导柱的横截面图的示意图。在图3a中，为了图示简单，绘示一个主导柱pm及一个内部导柱pi。如图3a中说明性地绘示，主导柱pm及内部导柱pi中的每一者在各别层中组态有通孔(共同指示为vt)。针对主导柱pm的图示，通孔vt以一个堆叠结构配置，此堆叠结构是自耦接至例如输入端的顶部导电层mt至耦接至例如输出端的底部导电层mb。针对内部导柱pi的图示，通孔vt是在自顶部导电层mt下面的导电层mt-1至底部导电层mb的其他堆叠结构中。下文提供主导柱pm及内部导柱pi的详细图示。
在图3a的图示中，主导柱pm包含通孔vt-1、通孔vt-2、通孔vt-3、……、及通孔vt-n。通孔vt-1安置于顶部导电层mt与导电层mt-1之间，通孔vt-2安置于导电层mt-1与导电层mt-2之间，通孔vt-3安置于导电层mt-2与导电层mt-3之间，且通孔vt-n安置于导电层mb 1与底部导电层mb之间。内部导柱pi包含通孔vt-2、通孔vt-3及通孔vt-n。类似地，通孔vt-2安置于导电层mt-1与导电层mt-2之间，通孔vt-3安置于导电层mt-2与导电层mt-3之间，且通孔vt-n安置于导电层mb 1与底部导电层mb之间。为易于理解，图3a并未图示有包含于主导柱pm及内部导柱pi中的每一通孔。然而，应理解，在主导柱pm及/或内部导柱pi中可安置有更多或更少通孔。
为了执行如上文所论述的ir降及/或em预检查制程，要求主导柱pm及内部导柱pi中每一者的等效电阻。在一些实施例中，主导柱pm及内部导柱pi中每一者的等效电阻根据对应导柱的等效电路或指示等效电路的电阻网络连线表获取。
图3b为根据本揭示案的一些实施例的绘示图3a中主导柱pm的等效电路300的示意图。如图3b中所绘示，针对图3a的主导柱pm，等效电路300绘示电阻器(对应于图3a的各别通孔)，此些电阻器自顶部导电层mt至底部导电层mb串联连接。因此，主导柱pm的等效电阻能够通过对串联连接的电阻器的电阻进行加总来予以计算且获取。
在一些实施例中，在主导柱pm及内部导柱pi的不同组态情况下，主导柱pm的等效电路300不同于内部导柱pi的等效电路。因此，内部导柱pi的等效电阻不同于主导柱pm的等效电阻。
针对说明性目的，给出主导柱pm及内部导柱pi的以上组态。主导柱pm及内部导柱pi的各种组态是在本揭示案的一些实施例的预期范畴内。举例而言，在各种实施例中，主导柱pm或内部导柱pi包含各别导电层之间的各种数目个通孔，前述各者为了进一步解释将参看图4a予以论述。
图4a为根据本揭示案的一些实施例的能够在图2的电源供应网络200中应用的各种主导柱的横截面图的示意图。如图4a中所绘示，主导柱pm0、pm1及pm2具有彼此不同的组态。主导柱pm0对应于图3a的主导柱pm。与主导柱pm0相比较，在一些实施例中，主导柱pm1及/或pm2中安置于至少两个邻接层之间的通孔的数目大于1。举例而言，在图4a中，主导柱pm0、pm1及pm2的安置于导电层mb 1与底部导电层mb之间的通孔的数目分别为1、2及3。对于另一实例，主导柱pm0、pm1及pm2的安置于导电层mb 3与导电层mb 2之间的通孔的数目分别为1、1及2。
如图4a中说明性地绘示，当安置于任何两个邻接层之间的通孔的数目大于1时，通孔安置于两个邻接层之间，且经并联耦接。因为导电层中的更多通孔提供更大导电率，所以一个层的更多通孔因此导致同一层的较小电阻。换言之，之间安置有两个通孔的两个邻接导电层之间的电阻小于之间安置有一个通孔的两个邻接层之间的电阻。因此，例如在图4a中，主导柱pm2的电阻小于主导柱pm1的电阻，且主导柱pm1的电阻小于主导柱pm0的电阻。
图4b为根据本揭示案的一些实施例的绘示图4a中主导柱pm1的等效电路400的示意图。如图4b中所绘示，针对图4a的主导柱pm1，等效电路400绘示电阻器rt-1、rb 2、rb 1、rb等(对应于图4a的各别通孔)，该些电阻器自顶部导电层mt至底部导电层mb串联连接。因此，主导柱pm1的等效电阻能够通过对串联连接的电阻器的电阻进行加总来予以计算且获取。
图4a及图4b中导柱的组态及对应等效电路针对说明性目的而给出。导柱的各种组态及对应等效电路是在本揭示案的一些实施例的预期范畴内。举例而言，在各种实施例中，除了绘示于图4a中的主导柱pm外，内部导柱pi亦具有安置于至少两个邻接导电层之间的一个以上通孔。
继续参看图1，在一些实施例中，在操作s110之后，预布局模拟在操作s120中对电路设计执行以判定电路设计是否满足预定规范，此电路设计包含如上文所论述的电源供应网络。在电路设计满足预定规范时，方法100继续至如上文所论述的操作s130。举例而言，在操作s120中，包含例如时序及信号完整性验证、功能验证及类似者的验证制程对电路设计执行以便判定电路设计是否满足预定规范。
在一些实施例中，在操作s120中，除了以上验证制程外，ir降及/或em预检查制程对如上文所论述的电源供应网络执行以判定电源供应网络是否满足预定规范。ir降及em预检查制程将参看图5至图9更详细地论述。
图5为根据本揭示案的一些实施例的适用于ir降预检查制程中的电路500的示意图，此ir降预检查制程对如关于图2论述的电源供应网络执行。如图5中说明性地绘示，电路500包含操作电路530、电源电路520，及由图2的电源供应网络(powerdeliverynetwork；pdn)200实施的电源供应网络(pdn)电路510。pdn电路510耦接于电源供应器电路520与操作电路530之间。pdn电路510用以将足够电力传输至操作电路530且在传输电力时耐受足够电流。换言之，pdn电路530经设计及/或组态有现有电压降以将足够电压传输至操作电路530。为了具有现有电压降，pdn电路510能够耐受对应于其电力及电阻的足够电流。
如图5中说明性地绘示，pdn电路510包含输入端，此些输入端用以自电源供应器电路520接收电压vdd及vss；及包含输出端，此些输出端用以输出电压vddi及vssi至操作电路530。在一些实施例中，电压vddi由电压vdd减去越过pdn电路510的ir降来产生，且电压vssi由电压vss减去越过pdn电路510的ir降来产生。
在一些实施例中，操作电路530通过驱动器电路实施，且用以运用例如50ma的峰值电流操作。当操作电路530以峰值电流操作时，峰值电流越过pdn电路510流动，且因此，越过pdn电路510的ir降可基于pdn电路510的峰值电流及电阻来计算并获得，pdn电路将在下文更详细地论述。以上越过pdn电路510的ir降接着用于判定ir降是否满足ir降规范。
图6为根据本揭示案的一些实施例的适用于em预检查制程的电路600的示意图，此em预检查制程对如关于图2论述的电源供应网络执行。与图5的实施例相比较，除了包含如上文论述的pdn电路510及电源电路520外，图6的电路600亦包含操作电路630。pdn电路510耦接于电源供应器电路520与操作电路630之间。
在一些实施例中，操作电路630通过运算放大器(operationalamplifier；opamp)电路实施，且用以以例如1ma的平均电流操作。当操作电路630以平均电流操作时，此情形指示，平均电流为用于操作电路630需要以流经pdn电路510的最小电流。流经pdn电路510的以上平均电流接着用于判定电流是否满足em规范。
图7为根据本揭示案的一些实施例的适用于ir降预检查制程的方法700的流程图，此ir降预检查制程对如关于图2论述的电源供应网络执行。在一些实施例中，方法700通过执行eda工具来执行以对电源供应网络执行ir降预检查制程以便判定电源供应网络的ir降是否满足ir降规范。
图8a为根据本揭示案的一些实施例的图示电源供应网络800的示意图。图8b为根据本揭示案的一些实施例的图示图8a中的电源供应网络800的等效电阻网络802及804的示意图。图8c至图8e为根据本揭示案的各种实施例的图示图8a的电源供应网络800的变化的示意图。为易于理解，方法700在下文参看图8a至图8e来论述。
针对图8a的图示，电源供应网络800包含安置于导电层mt-1中的四个电力轨条，及安置于导电层mt-1上方的顶部导电层mt中的四个电力轨条，此些电力轨条一起形成如上文所论述的电源网格。此外，电源供应网络800在布局视图中进一步包含安置在顶部导电层mt与导电层mt-1中的电力轨条的交叉点处的八个主导柱pm。电源供应网络800的电力轨条及主导柱的数目针对说明性目的来给出。电源供应网络800的导电轨条及主导柱的各种数目是在本揭示案的一些实施例的预期范畴内。
对于图7的方法700，在操作s702中，提供ir降规范。在一些实施例中，ir降规范包含如上文所论述的pdk中的参数。参看图8a，以上参数是与越过电源供应网络800的ir降相关联。在一些实施例中，ir降规范储存于处理器(例如，图13的处理器1320)的记忆体(例如，图13的记忆体1310)中以供存取。
在图7的操作s704中，使电源网格的电力轨条初始化。在一些实施例中，为了初始化电源网格的电力轨条，判定电源网格的配置成列的电力轨条的数目以及配置成行的电力轨条的数目。举例而言，在图8a的电源供应网络800中，配置成列的电力轨条的数目如所判定为四，且配置成行的电力轨条的数目如所判定为四。在一些实施例中，eda工具经执行以产生设计，此设计包含具有所判定数目的电力轨条的电源供应网络800。在一些实施例中，当电力轨条的数目经判定时，电源供应网络800的面积经判定，此是因为电力轨条中的两者之间的距离为固定的。
在图7的操作s706中，初始化电源供应网络中导柱的导柱密度。在一些实施例中，为了初始化导柱密度，如上文所论述的主导柱及/或内部导柱的数目经初始判定，且导柱配置于电源供应网络中。举例而言，八个主导柱pm经初始判定，且配置于电源供应网络800中，如图8a中所绘示。在一些实施例中，eda工具经执行以产生设计，此设计包含具有所判定数目的导柱的电源供应网络800。运用所判定数目的导柱，导柱的导柱密度因此予以判定。
在图7的操作s708中，计算电源供应网络的ir降。在一些实施例中，为了计算电源供应网络的ir降，执行越过电力轨条及耦接至该电源供应网络的此些电力轨条的导电柱的ir降的计算，此举将在下文更详细地论述。
在操作s708之后，如所计算的ir降在操作s710中与ir降规范进行比较以判定ir降是否满足ir降规范。当如所计算的ir降满足ir降规范时，执行操作s712，在操作s712中，产生电源供应网络(pdn)布局，此操作亦对应于图1的操作s130。另一方面，当如所计算的ir降并不满足ir降规范时，方法700继续至操作s714。为了进一步解释，在下文提供实例。
针对图8a及图8b的图示，电源供应网络800的电阻等效于等效电阻网络802的电阻加上等效电阻网络804的电阻。等效电阻网络802包含导电层mt-1中导电轨条的电阻及顶部导电层mt中电力轨条的电阻。等效电阻网络804包含主导柱pm的电阻。针对等效电阻网络804的图示，与电压vddi相关联的主导柱pm中的每一者包含耦接于接收电压vdd的电力轨条与输出电压vddi的输出端之间的电阻。对应地，与电压vssi相关联的主导柱pm中的每一者包含耦接于接收电压vss的电力轨条与输出电压vssi的输出端之间的电阻。因此，当电源供应网络800的ir降经计算时，越过电力轨条及导电柱的ir降基于等效电阻网络802及804的电阻以及流经此些等效电阻网络的电流来计算。
在一些实施例中，为了简化电源供应网络800的ir降的计算，忽略等效电阻网络802的电阻，此是因为电力轨条由例如上部厚金属层制成。在一些实施例中，在不考虑等效电阻网络802的电阻情况下，对应于主导柱pm的等效电阻网络804的电阻基本上判定电源供应网络800的ir降。
举例而言，如图8c中所绘示，电源供应网络800包含与电压vdd相关联的四个主导柱(为了简单下文中被称为“vdd主导柱”)且无内部导柱从而计算ir降。此外，提出如下条件：ir降规范设定为50mv，如上文所论述的峰值电流设定为10ma，每一vdd主导柱的电阻rm设定为50欧姆，且等效电阻网络802的电阻如上文所论述被忽略。在此条件下，流经vdd主导柱中的每一者的电流ip等于(10ma/4)＝2.5ma。因此，电源供应网络800的ir降等于ip×rm＝2.5ma×50欧姆＝125mv。因为如所计算的ir降为大于50mv的ir降规范的125mv，所以电源供应网络800的ir降并不满足ir降规范，且因此方法700继续至操作s714。
在图7的操作s714中，判定如上文所论述的导柱密度是否为最大导柱密度。当导柱密度并非最大导柱密度时，方法700继续至操作s716，在操作s716中，导柱密度经修改，此举将在下文更详细地论述。另一方面，当导柱密度为最大导柱密度时，方法700继续至操作s718，在操作s718中，电力轨条经修改，此举将在下文更详细地论述。换言之，当如初始地提供的电源供应网络的ir降并不满足ir降规范时，电源供应网络经修改。在电源供应网络经修改之后，方法700接着再次继续至操作s708及s710以便再次判定ir降是否满足ir降规范。当如所计算的ir降仍不满足ir降规范时，操作s714、s716(或s718)、s708及s710经反复地重复。
在一些实施例中，为了在操作s714中修改导柱密度，如上文所论述，在电源供应网络中添加至少一个额外导电柱。在一些实施例中，内部导柱pi如上文所论述在电源供应网络中予以添加。为了进一步解释，在下文提供实例。
举例而言，在操作s716中，参看图8c及图8d，电源供应网络800通过在其中添加某数目个内部导柱pi经修改为电源供应网络810，且内部导柱pi的数目与主导柱pm的数目相同。因此，例如，电源供应网络810包含四个vdd主导柱及与电压vdd相关联的四个内部导柱(为了简单下文中被称为“vdd内部导柱”)从而计算ir降。在此条件下，流经vdd主导柱及vdd内部导柱中的每一者的电流ip为(10ma/8)＝1.25ma。因此，电源供应网络800的ir降等于ip×rm＝1.25ma×50欧姆＝62.5mv。因为如所计算的ir降为大于50mv的ir降规范的62.5mv，所以电源供应网络810的ir降仍并不满足ir降规范，且因此方法700再次继续至操作s714、s716(或s718)及s708。
举例而言，在操作s716中，参看图8d及图8e，电源供应网络810通过在其中添加某数目个内部导柱pi进一步修改为电源供应网络820，且内部导柱pi的数目与主导柱pm的数目相同。因此，例如，电源供应网络820包含四个vdd主导柱及八个vdd内部导柱从而计算ir降。在此条件下，流经vdd主导柱及vdd内部导柱中的每一者的电流ip为(10ma/12)＝0.83ma。因此，电源供应网络820的ir降等于ip×rm＝0.83ma×50欧姆＝41.5mv。因为如所计算的ir降为小于50mv的ir降规范的41.5mv，所以电源供应网络820的ir降满足ir降规范。因此，方法700继续至操作s712。
在一些实施例中，图8c至图8e中电源供应网络800、810、820的面积相同，而电源供应网络800、810、820具有彼此不同的数目个内部导柱pi。因此，图8c至图8e中电源供应网络800、810、820的导柱密度彼此不同。为了图示，电源供应网络820的导柱密度高于电源供应网络800及810的导柱密度，且电源供应网络810的导柱密度高于电源供应网络800的导柱密度。
如上文所论述，当导柱密度并非最大导柱密度时，方法700继续至操作s716，且当导柱密度为最大导柱密度时，方法700继续至操作s718。在一些实施例中，为了在操作s718中修改电力轨条，如上文所论述，在电源供应网络中添加至少一个额外电力轨条。在一些实施例中，导电层mt-1中或顶部导电层mt中的至少一个电力轨条在电源供应网络中予以添加。
在一些实施例中，于在操作s718中修改电力轨条之后，电源供应网络的ir降在s710中可能不满足ir降规范，但经修改的电源供应网络的导柱密度将并非最大导柱密度，此是因为已存在至少一个额外电力轨条可用于待添加的额外导柱。在此类实施例中，方法700将再次继续至操作s716、s708及s710，直至经修改的电源供应网络的ir降满足ir降规范。
以上图示包含例示性操作，但操作不必以所绘示的次序执行。根据本揭示案的各种实施例的精神及范畴，操作在适当时可经添加、替换、改变次序及/消除。举例而言，在各种实施例中，操作s706在操作s704之前执行。
图9为根据本揭示案的一些实施例的适用于em预检查制程的方法900的流程图，该em预检查制程对如关于图2论述的电源供应网络执行。在一些实施例中，方法900通过执行eda工具以对电源供应网络执行em预检查制程来执行以便判定电源供应网络的em电流是否满足em规范。为易于理解，方法900亦参看图8a至图8e来论述。
在图9的实施例中，方法900包含操作s902、s904、s906、s908、s910、s912、s914、s916，及s918。与图7的方法700相比较，图9中的操作s904、s906、s912、s914、s916，及s918分别对应于操作s704、s706、s712、s714、s716及s718。图9中的操作s902、s908及s910不同于图7中的彼等操作，且将在下文更详细地论述。
相较于图7的操作s702，在图9的操作s902中，提供em规范。在一些实施例中，ir降规范包含如上文所论述的pdk中的参数。参看图8a，以上参数是与流经电源供应网络800的em电流相关联。在一些实施例中，em规范储存于处理器(例如，图13的处理器1320)的记忆体(例如，图13的记忆体1310)中以供存取。
相较于图7的操作s708，在图9的操作s908中，计算电源供应网络的em电流。在一些实施例中，为了计算电源供应网络的em电流，执行流经电力轨条及耦接至该电源供应网络的该些电力轨条的导电柱的em电流的计算，此举将在下文更详细地论述。
在操作s908之后，如所计算的em电流与操作s910中的em电流规范进行比较以判定em电流是否满足em规范。当如所计算的em电流满足em规范时，执行产生电源供应网络布局的操作s912，该操作亦对应于图1的操作s130。另一方面，当如所计算的em电流并不满足em规范时，方法900继续至操作s914，该操作对应于关于图7论述的彼等操作。
举例而言，提出如下条件：vddem规范设定为1ma(或1000μa)，主导柱的em电流im设定为100μa，且内部导柱的em电流ii设定为100μa。在此条件下，对于图8c的电源供应网络800，流经vdd主导柱及vdd内部导柱的vddem电流等于(im×4) (ii×0)＝(100μa×4) (100μa×0)＝400μa。因为如所计算的em电流为小于1ma(或1000μa)的em规范的400μa，所以图8c的电源供应网络800的em电流并不满足em规范，且因此图9的方法900继续至操作s914且接着继续至操作s916(或s918)及s908。
对应地，在操作s916之后，图8c的电源供应网络800经修改为如图8d中所绘示的电源供应网络810。在此条件下，流经vdd主导柱及vdd内部导柱的vddem电流等于(im×4) (ii×4)＝(100μa×4) (100μa×4)＝800μa。因为如所计算的em电流为仍小于1ma(或1000μa)的em规范的800μa，所以电源供应网络810的em电流并不满足em规范，且因此图9的方法900继续至操作s914且接着再次继续至操作s916(或s918)及s908。
对应地，在操作s916之后，图8d的电源供应网络810经修改为如图8e中所绘示的电源供应网络820。在此条件下，流经vdd主导柱及vdd内部导柱的vddem电流等于(im×4) (ii×8)＝(100μa×4) (100μa×8)＝1200μa。因为如所计算的em电流为大于1ma(或1000μa)的em规范的1200μa，所以图8e的电源供应网络820的em电流满足em规范。因此，方法900继续至操作s912。
图8c至图8e中的以上数目个主导柱pm及内部导柱pi针对说明性目的而给出。各种数目个主导柱pm及内部导柱pi是在本揭示案的一些实施例的预期范畴内。举例而言，在各种实施例中，额外内部导柱pi在图8e的电源供应网络820中进一步添加，此举将参看图10更详细地论述。
图10为根据本揭示案的各种实施例的图示图8a的电源供应网络800的其他变化的示意图。针对图10的图示，对应于图8a的电源供应网络800的电源供应网络经修改为电源供应网络1020。
相较于图8e的电源供应网络820，电源供应网络1020包含更多内部导柱pi，且电源供应网络1020中内部导柱pi的数目为电源供应网络820中主导柱pm的数目的三倍(3x)。换言之，电源供应网络1020中导柱的总数为电源供应网络800中导柱的总数的四倍(4x)。因此，基于关于图8c至图8e的以上论述，电源供应网络1020的ir降为电源供应网络800的ir降的0.25倍(0.25x)，且电源供应网络1020的em电流为电源供应网络820的em电流的四倍(4x)。
回看图1，尽管以上ir降预检查制程及em预检查制程在操作s120期间皆适用于预布局模拟，但在各种实施例中，ir降预检查制程及em预检查制程能够独立于彼此地执行。换言之，在各种实施例中，ir降预检查制程或em预检查制程中的至少一者在预布局模拟期间执行。
在一些实施例中，在包含执行ir降预检查制程及/或em预检查制程的操作s120之后，ic的电源供应网络布局基于如上文所论述的电源供应网络的设计来产生。在产生了电源供应网络布局之后，ic的电路布局基于如上文所论述的电路设计来产生。在一些实施例中，基于电源供应网络布局及ic的电路布局，制造ic中的至少一个元件。
如上文所论述，电源供应网络的ir降的计算是与图5的电路500相关联，且电源供应网络的em的计算是与图6的电路600相关联。为了改良ir降及em的计算的准确度，图11中的电路1100在一些实施例中适用。
图11为根据本揭示案的各种实施例的适用于ir降及/或em预检查制程的电路1100的示意图，此ir降及/或em预检查制程对如关于图2论述的电源供应网络执行。针对图11的图示，与图5或图6相比较，电路1100包含驱动器1102及控制器1104，驱动器及控制器中的每一者耦接至pdn电路510。在一些实施例中，驱动器1102具有高于控制1104的电流消耗的电流消耗。因此，在一些实施例中，驱动器1102亦被称作“热装置”，而控制器1104亦被称作“冷装置”。
在一些实施例中，为了改良ir降及/或em的计算的准确度，热装置面积与总装置面积(例如，热装置面积加上冷装置面积)的比率用作用于计算电源供应网络的ir降及/或em的系数。举例而言，当驱动器1102的装置面积为80且控制器1104的装置面积为20时，比率等于80/(80 20)＝0.8。在此类实施例中，电源供应网络的ir降经修改为(ir降)/比率的值，且电源供应网络的em电流经修改为em×比率的值。为了进一步解释，在下文提供实例。
在如上文关于图8c的电源供应网络800论述的实例中，流经vdd主导柱中每一者的电流ip变为(10ma/4)/0.8＝3.125ma。因此，电源供应网络800的ir降等于ip×rm＝3.125ma×50欧姆＝156.25mv。针对其他电源供应网络的ir降的计算可通过类比来推断，且因此该些电源供应网络并非本文中的其他细节。
对应地，在如上文关于图8c的电源供应网络800所论述的实例中，流经vdd主导柱及vdd内部导柱的vddem电流等于(im×4 ii×0)×0.8＝(100μa×4 100μa×0)×0.8＝320μa。针对其他电源供应网络的em的计算可通过类比来推断，且因此该些电源供应网络并非本文中其他细节。
如上文所论述，在电源供应网络情况下，ir降及/或em预检查制程能够在预布局模拟中执行。因此，ir降及/或em问题可在预布局模拟中早早地经最佳化。此外，电源供应网络布局能够在电路布局产生之前产生。因此，电源供应网络布局的面积在产生整个电路布局之前可被知晓且预见，因此减小用于设计整个布局的时间，此举参看图12例示性地论述。
图12为根据本揭示案的一些实施例的于图1的方法100中产生的电路布局1200的示意图。针对图12中的图示，电路布局1200包含区1210、区1220及区1230。在一些实施例中，区1210及1220中的每一者在电路布局1200中具有固定面积。区1230包含区块1230a、区块1230b、区块1230c及区块1230d。在一些实施例中，区块1230a以晶体管实施，且通过电源供应网络布局覆叠。因此，电源供应网络布局经实施以将电力传输至区块1230a中的晶体管。在一些实施例中，以晶体管实施的区块1230a亦被称作主动区域。
在一些实施例中，区块1230a的面积例如在方法100、方法700、方法900或其组合期间经判定为大于电源供应网络布局的面积。因为区块1230a的面积大于电源供应网络布局的面积，所以区1230的面积并不需要改变且能够保持相同。
另一方面，在一些实施例中，区块1230a的面积例如在方法100、方法700、方法900或其组合期间经判定为小于电源供应网络布局的面积。因为区块1230a的面积小于电源供应网络布局的面积，所以需要区1230的面积被放大以具有用于待置放的电源供应网络布局的空间，以便防止电源供应网络布局影响区1230中的其他元件。
基于以上内容，因为电源供应网络布局在产生电路布局1200的前产生，所以如上文所论述，电源供应网络布局的面积因此在产生电路布局1200之前知晓。因此，区1230的面积可根据电源供应网络布局的面积来估计。因此，区1230的面积可经预测(forecasted)。举例而言，在图12中，当虚线框指示区块1230a的面积且1230a的实线指示电源供应网络布局的面积时，电源供应网络布局的面积大于区块1230a的面积。在此类实例中，区块1230a的预测面积应用于通过实线包封的面积。
在一些方法中，具有晶体管的区块的面积必须经放大，此是因为电源供应网络布局的面积过大。此外，电源供应网络布局的面积在产生了整个电路布局之后知晓。在此情形下，整个布局设计必须经返工以便为电源供应网络布局留下空间。
相较于以上方法，电源供应网络布局的面积可在电路布局产生之前被知晓。具有晶体管的区块的面积可在产生整个电路布局之前经预测。因此，若电源供应网络布局的面积大于具有晶体管的区块的面积，则布局设计仅必须通过在早期设计制程中设计电源供应网络来返工。用于设计电路布局的时间因此被减小。
图13为根据本揭示案的一些实施例的用于执行关于图1、图7及图9的操作的集成电路(integratedcircuit；ic)设计系统1300的示意图。在一些实施例中，设计系统1300通过计算机辅助设计(computer-aideddesign；cad)系统来实施。针对图示，设计系统1300至少包含经由系统总线1305连接的记忆体1310、处理器1320，及制造工具1350。处理器1320经由系统总线1305与记忆体1310通信且存取储存于记忆体1310中的数据以执行关于图1、图7及图9的操作。
在一些实施例中，记忆体1310通过包含例如计算机可读储存装置的至少一个计算机可读储存媒体来实施。在一些实施例中，记忆体1310用以储存指令的程序(例如，电子设计自动化(electronicdesignautomation；eda)工具)1318，从而执行如上文所论述的各种设计制程。记忆体1310亦用以储存用于如上文所论述的各种设计制程的例如呈制程设计套组(processdesignkit；pdk)1314的形式的设计信息。在一些实施例中，设计信息(例如，pdk1314)包含与电源供应网络中的导电轨条及导电柱相关联的参数，如上文所论述。在各种实施例中，设计信息(例如，pdk1314)亦包含基础特定文件集，包含但不限于针对特定技术节点的技术文件、程序库元素程序库、设计规则及类似者。
在一些实施例中，处理器1320通过单一专用处理器实施，此单一专用处理器在ic设计期间执行如上文论述的多个制程(或执行指令的程序1318以执行如上文论述的多个制程)。
在一些实施例中，制造工具1350耦接至处理器1320。制造工具1350用以基于如上文所论述的ic的电源供应网络布局及电路布局来制造如上文所论述的集成电路及/或集成电路中的至少一个元件。
记忆体1310及处理器1320的数目针对说明性目的而给出。记忆体1310及处理器1320的各种数目是在本揭示案的一些实施例的预期范畴内。举例而言，在各种实施例中，设计系统1300包含多个专用处理器，且专用处理器中的每一者执行如上文所论述的制程中的一或多者。
在一些实施例中，设计系统1300用以在特定技术节点中接收ic的设计输入，此些设计输入包含例如记忆体1310中储存的设计规范1312。处理器1320如上文所论述存取并使用早早在设计制程中的设计规范1312，以便以即时方式产生ic设计布局1316，该ic设计布局可用以制造ic装置。
在一些实施例中，揭示一种产生电路布局方法，该产生电路布局方法其特征在于，包含以下操作：基于针对一集成电路的设计信息产生一电路设计，该电路设计包含针对该集成电路的一初始电源供应网络(pdn)；对该电路设计执行一预布局模拟以判定该电路设计是否满足一预定规范，该电路设计包含该初始电源供应网络；及在该电路设计满足该预定规范时，产生该集成电路的一电源供应网络布局，及在产生了该电源供应网络布局之后，产生该集成电路的一电路布局。在一些实施例中，该产生电路布局方法进一步包含提供呈待存取的一制程设计套组(pdk)的一形式的该设计信息，其中该设计信息包含与该初始电源供应网络中的电力轨条及导电柱相关联的参数。在一些实施例中，对包含该初始电源供应网络的该电路设计执行该预布局模拟的步骤包含对该初始电源供应网络执行一电压降预检查制程或一电迁移预检查制程中的至少一者。在一些实施例中，执行该电压降预检查制程的步骤包含执行越过该初始电源供应网络的电力轨条及耦接至该些电力轨条的导电柱的一电压降的一计算。在一些实施例中，执行该电迁移预检查制程的步骤包含执行流经该初始电源供应网络的电力轨条及耦接至该些电力轨条的导电柱的一电迁移电流的一计算。在一些实施例中，该产生电路布局方法进一步包含：在该电路设计不满足该预定规范时，将该初始电源供应网络修改为一经修改的电源供应网络，及对该经修改的电源供应网络执行一电压降预检查制程或一电迁移预检查制程中的至少一者。在一些实施例中，修改该初始电源供应网络的步骤包含在该初始电源供应网络中添加至少一个额外导电柱。在一些实施例中，修改该初始电源供应网络的步骤包含在该初始网电源供应网络中添加至少一个额外电力轨条。在一些实施例中，该产生电路布局方法进一步包含基于该电源供应网络布局及该集成电路的该电路布局，在该集成电路中制造至少一个元件。
又揭示一种产生电路布局方法，该产生电路布局方法其特征在于，包含以下操作：对包含一电源供应网络(pdn)的一电路设计执行一电压降预检查制程或一电迁移预检查制程中的至少一者；在该电路设计满足一预定规范时，产生针对一集成电路的一设计布局的一电源供应网络布局；在产生了该电源供应网络布局之后，产生该集成电路的该设计布局的一电路布局；对该设计布局执行一电压降及电迁移验证制程；及在电压降及电迁移要求在该电压降及电迁移验证制程期间被满足时，产生该集成电路的一最终设计布局。在一些实施例中，执行该电压降预检查制程的步骤包含执行越过该电源供应网络的多个电力轨条及耦接至该些电力轨条的多个导电柱的一电压降的一计算，以判定该电路设计是否满足一预定规范。在一些实施例中，执行该电压降预检查制程的步骤进一步包含：在该电路设计不满足该预定规范时，通过在该电源供应网络中添加至少一个额外导电柱来增大该电源供应网络的一导柱密度。在一些实施例中，执行该电压降预检查制程的步骤进一步包含在该电源供应网络的该导柱密度为该电源供应网络的一最大导柱密度时，通过在该电源供应网络中添加至少一个额外电力轨条而修改该电源供应网络。在一些实施例中，执行该电迁移预检查制程的步骤包含执行流经该电源供应网络的多个电力轨条及耦接至该些电力轨条的多个导电柱的一电迁移电流的一计算，以判定该电路设计是否满足一预定规范。在一些实施例中，执行该电迁移预检查制程的步骤进一步包含在该电路设计不满足该预定规范时，增大该电源供应网络的一导柱密度。在一些实施例中，执行该电迁移预检查制程的步骤进一步包含在该电源供应网络的该导柱密度为该电源供应网络的一最大导柱密度时，通过在该电源供应网络中添加至少一个额外电力轨条而修改该电源供应网络。在一些实施例中，增大该电源供应网络的该导柱密度的步骤包含在该电源供应网络中添加至少一个额外导电柱，其中该电源供应网络包括导电柱，该些导电柱各自包含耦接于一底部层与一顶部层之间的通孔，且该至少一个额外导电柱中的每一者包含耦接于该底部层与是在该顶部层下方的一导电层之间的通孔。
又揭示一种用以产生电路布局系统，该系统其特征在于，包含一记忆体及至少一个处理器。该记忆体用以储存针对一集成电路的设计信息，该设计信息包含与多个电力轨条及耦接至该些电力轨条的多个导电柱相关联的参数。该至少一个处理器与该记忆体通信且用以执行操作，该些操作包含：基于该设计信息产生一电路设计，该电路设计包含针对该集成电路的一电源供应网络(pdn)；对包含该电源供应网络的该电路设计执行一电压降预检查制程或一电迁移预检查制程中的至少一者以判定该电路设计是否满足一预定规范；在该电路设计满足该预定规范时，产生一电源供应网络布局且接着产生针对该集成电路的一设计布局的一电路布局；对该设计布局执行一电压降及电迁移验证制程；及在电压降及电迁移要求在该电压降及电迁移验证制程期间被满足时，产生该集成电路的一最终设计布局。在一些实施例中，为了执行该电压降预检查制程，该至少一个处理器用以执行越过该电力电源供应网络的该些电力轨条及耦接至该些电力轨条的该些导电柱的一电压降的一计算。在一些实施例中，为了执行该电迁移预检查制程，该至少一个处理器用以执行对流经该电源供应网络的该些电力轨条及耦接至该些电力轨条的该些导电柱的一电迁移电流的一计算。
前述内容概述若干实施例的特征，使得熟悉此项技术者可更佳地理解本揭示案的一些实施例的态样。熟悉此项技术者应了解，其可易于使用本揭示案的一些实施例作为用于设计或修改用于实施本文中引入的实施例的相同目的及/或达成相同优势的其他制程及结构的基础。熟悉此项技术者亦应认识到，此类等效构造并不偏离本揭示案的一些实施例的精神及范畴，且此类等效构造可在本文中进行各种改变、取代及替代而不偏离本揭示案的一些实施例的精神及范畴。
1.一种产生电路布局的方法，其特征在于，包括以下步骤：
基于针对一集成电路的设计信息产生一电路设计，该电路设计包含针对该集成电路的一初始电源供应网络(pdn)；
对该电路设计执行一预布局模拟，以判定该电路设计是否满足一预定规范，该电路设计包含该初始电源供应网络；及
在该电路设计满足该预定规范时，
产生该集成电路的一电源供应网络布局，及
在产生了该电源供应网络布局之后，产生该集成电路的一电路布局。
技术总结