一种隧穿场效应晶体管及其制备方法与流程

专利2022-05-09  46

pct国内申请,说明书已公开。



技术特征:

技术总结
一种隧穿场效应晶体管及其制备方法,涉及场效应晶体管技术领域,可在线隧穿结构中,抑制点隧穿。隧穿场效应晶体管的制备方法包括:在衬底(10)上形成隔离结构(20),隔离结构(20)定义出有源区(30);形成第一介质层(41)和第一掩膜结构(50);第一掩膜结构(50)包括外侧(51)和内层(52),外层(51)包括第一侧壁(511)和硬掩膜(512);对露出的有源区(30)进行工艺处理形成漏区(31);使用第一填充物进行填充进行平坦化工艺,露出内层(52),以去除内层(52)以及其覆盖的第一介质层(41);对露出的有源区(30)进行工艺处理形成源区(32);在源区(32)上形成第二介质层(42),且第二介质层(42)的厚度小于第一介质层(41)的厚度;形成第二侧壁(513),使用第二填充物进行填充进行平坦化工艺;去除第一侧壁(511)和第二侧壁(513)、露出的第二介质层(42),以形成栅介质层(43)和栅极(70)。

技术研发人员:徐挽杰;蔡皓程;张臣雄
受保护的技术使用者:华为技术有限公司
技术研发日:2017.06.30
技术公布日:2019.03.05
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